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[圖片][圖片]同樣的表達(dá)式，但是PTC里邊就無(wú)法顯示

flag真的不能隨便立。看看兩年前的王思聰在朋友圈放出「共享充電寶能成我吃翔」的狠話時(shí)，很多都覺(jué)得王校長(zhǎng)這局贏定了，結(jié)果呢？但是如果增收的方式除了加價(jià)別無(wú)他法，不免讓人擔(dān)心共享充電寶的可持續(xù)發(fā)展，畢竟不可能無(wú)限制漲價(jià)，一旦價(jià)格超出用戶可承受范圍，恐怕真的會(huì)倒逼用戶自備充電寶，把為數(shù)不多的剛需變成非剛需。

與最優(yōu)的硅基MOSFET相比，氮化鎵晶體管及集成電路的開(kāi)關(guān)速度快很多及體積更小巧。相比先進(jìn)的硅基器件，當(dāng)今商用化的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）及集成電路的性能高出5至50倍。這個(gè)在性能方面的重大改進(jìn)可推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)，在氮化鎵技術(shù)推出之前，這是完全不可能實(shí)現(xiàn)的。然而，目前的eGaNFET及其它供應(yīng)商所制造的氮化鎵晶體管的性能仍然距離氮化鎵器件理論上的性能極限達(dá)數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。從將來(lái)的氮化鎵學(xué)習(xí)曲線可看到，氮化鎵與硅基器件的性能差異將會(huì)逐漸擴(kuò)大，而且氮化鎵器件將會(huì)繼續(xù)推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)并改變各個(gè)最終市場(chǎng)。

與最優(yōu)的硅基MOSFET相比，氮化鎵晶體管及集成電路的開(kāi)關(guān)速度快很多及體積更小巧。相比先進(jìn)的硅基器件，當(dāng)今商用化的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）及集成電路的性能高出5至50倍。這個(gè)在性能方面的重大改進(jìn)可推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)，在氮化鎵技術(shù)推出之前，這是完全不可能實(shí)現(xiàn)的。然而，目前的eGaNFET及其它供應(yīng)商所制造的氮化鎵晶體管的性能仍然距離氮化鎵器件理論上的性能極限達(dá)數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。從將來(lái)的氮化鎵學(xué)習(xí)曲線可看到，氮化鎵與硅基器件的性能差異將會(huì)逐漸擴(kuò)大，而且氮化鎵器件將會(huì)繼續(xù)推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)并改變各個(gè)最終市場(chǎng)。

與最優(yōu)的硅基MOSFET相比，氮化鎵晶體管及集成電路的開(kāi)關(guān)速度快很多及體積更小巧。相比先進(jìn)的硅基器件，當(dāng)今商用化的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）及集成電路的性能高出5至50倍。這個(gè)在性能方面的重大改進(jìn)可推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)，在氮化鎵技術(shù)推出之前，這是完全不可能實(shí)現(xiàn)的。然而，目前的eGaNFET及其它供應(yīng)商所制造的氮化鎵晶體管的性能仍然距離氮化鎵器件理論上的性能極限達(dá)數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。從將來(lái)的氮化鎵學(xué)習(xí)曲線可看到，氮化鎵與硅基器件的性能差異將會(huì)逐漸擴(kuò)大，而且氮化鎵器件將會(huì)繼續(xù)推動(dòng)全新應(yīng)用的出現(xiàn)并改變各個(gè)最終市場(chǎng)。