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MOS管擊穿一般是因為端電壓太高所致，剛才算了一下，你這個反激的拓撲，MOS兩端承受的最高電壓應該是1.414*Vin+Vor+變壓器初級漏感產生的電壓尖峰，大概的值應該是1.414*220+60*20/34+50=463V，應該是沒問題的，你可以試試輸入電壓從低至高慢慢調上去觀察Vds兩端波形，再看看是不是RCD吸收電路有問題沒有吸收初級的漏感。

傳導1M以內大部分是差模干擾，可以試著更改一下整流橋之前的X安規(guī)電容容量大小，或者差模電感的感量大小，實際上變壓器內也是可以的，如果在不影響驅動工作的前提下，在變壓器最里層或者是變壓器初次級之間增加一層屏蔽，可將傳導波形的振幅減小。CDN30M好像也是壓線了，這里可以增大MOS管的驅動電阻或者在MOS管的D腳與變壓器的初級之間增加一個貼片磁珠。會有效果。

這個是次級吸收，吸收輸出整流端肖特基二極管的尖峰電壓的一個小電路結構。

功率這么小，應該是反激，但是你這只有變壓器的資料，沒有原理圖，掛角都不知道哪個是高壓端，哪個是低壓端，根本沒法判斷的。

電流波形曲線彎曲，向內彎曲表示磁芯飽和

啥都沒有 怎么幫你解決。。

我之前也碰到過這樣的問題，你可以試試等比例放大分壓比電阻，我做60W600mA時就是用這個辦法把調整率調好的。