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其實還有「第零代」，可控硅是也，可控硅只能做開關，但似乎注定跟軟開關無緣。

既然要把結電容抽個精光，那么，關斷時的零電壓環境（暫時鉗位）須有保證，且反偏要很給力才行吧？

這寫法確是有點蒙人，30A是管子的載流能力極限，而30ns是完全關斷所需時間，由0至30A都一樣，不能跟那個「轉換速率」混淆。

死區的意義，是保障電源與開關管的安全，不管開關是不是理想開關，死區都是省不得的，儲能是個漸變的過程，能量的調撥流轉需要時間，開關諧振利用電感電容成就軟開關功能，故須設置死區才可解除供電電源的牽制。

電感感抗不可能無窮大，管子串聯電感開通不會真正零電流，因開關管有殘余壓降，單純並聯電容（而且其值不能大）不能零電壓關斷。

軟開關可分為負載換相與開關諧振兩大類，負載換相是負載本身或其耦合網絡為開關管「鳴鑼開道」，開關本身還是硬通斷，開關諧振是讓諧振元件分擔開關管最吃力的工序，亦就是通與斷這兩個暫態動作，讓管子只需負責導與堵這兩個穩態。

諧振元件只在開關瞬間參與運作，所以，準諧振是一種開關諧振而不是負載換向。

衰減震蕩的一個特例

第五代是全諧振，四零俱到位，而且由于是橋類拓撲，無功易于往電源返還（順道為磁芯復位提供方便），但如果需要穩定的電源輸入，那就有違穩壓的初衷，只能做調壓了吧，另外，既然諧振能取代吸收與保護，那么，EMI呢，能不能在主電路內把EMI也一併擺平呢，第六代所針對的會不會是這點呢？

電壓模式必須以Vout波動為代價，電流模式是量出為入，拉多少吃多少，隨著負載的變化，電流與電壓的平衡關系會隨之更新，改變三角波的幅度或基線可以做到改變參考電流而Vout甭變的效果，不過，在穩壓系統中，電流環的性質跟共集極電路人自舉類似，也是一種具有正反饋樣效應的機制，如果再加上占空比大于0.5且不加補償，就會不穩定了。