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1）對(duì)于第一個(gè)問(wèn)題，我覺得應(yīng)該是勵(lì)磁電流Imag導(dǎo)致變壓器飽和。正激變壓器在工作時(shí)，變壓器原邊繞組電流產(chǎn)生的磁力線方向和副邊繞組產(chǎn)生的磁力線方向是相反的，那么變壓器就不會(huì)因?yàn)閚Io太大而導(dǎo)致變壓器飽和。反擊變壓器因?yàn)樵卪osfet導(dǎo)通過(guò)程中，副邊繞組沒(méi)有電流流過(guò)，而不能產(chǎn)生反方向的磁力線，此時(shí)原邊流過(guò)的電流完全為勵(lì)磁電流，因此原邊電流如果太大變壓器就會(huì)飽和，開氣隙可以解決因勵(lì)磁電流太大而飽和的問(wèn)題。2）第二個(gè)問(wèn)題不知道怎么解釋3）第三個(gè)問(wèn)題我認(rèn)為deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。今天和同事討論這個(gè)問(wèn)題，同事說(shuō)僅僅是一個(gè)象限磁通變化值。半橋的一個(gè)mosfet關(guān)斷時(shí)勵(lì)磁電流達(dá)到最大，死區(qū)時(shí)間內(nèi)保持不變，當(dāng)另外一個(gè)mosfet導(dǎo)通時(shí)，勵(lì)磁電流減小并且改變方向，因此磁通是逐漸由一個(gè)象限變到另外一個(gè)象限的，因此deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。

改驅(qū)動(dòng)電阻當(dāng)然是改變Mosfet的快慢，影響原變的Vds，經(jīng)過(guò)變壓器折射到副邊，導(dǎo)致二極管應(yīng)力高。不知道你是改大還是改小？

PWM的頻率=100K

驅(qū)動(dòng)變壓器計(jì)算和正激變壓器計(jì)算方法一樣嗎？電感量也不用考慮嗎？磁芯選擇呢？

大家說(shuō)說(shuō)呀磁芯怎么選.PFC的電感值確定后,它的圈數(shù)怎么確定(變壓器形式磁芯)?N=sqrt(L/Al),但Al又和氣隙有關(guān).大家說(shuō)說(shuō)該怎么算.

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陳老師,還是把具體的過(guò)程寫一寫吧.謝謝!!!

陳老師:輸出電解電容不知道怎么算,很多書上都有計(jì)算公式,但我用公式算的結(jié)果和實(shí)際的相差很大,難道是公式不對(duì)嗎?我們公司的工程師很多都是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來(lái)選電容的.不知道陳老師是怎么選的?比如反激式:inputVoltage:85Vac--264Vac工作頻率:65KHzOutputVoltage:12V,5A,紋波電壓:50mVCLC濾波那該電路的輸出電容怎么選呢?謝謝!!!