abcd8：
樓主，給你個(gè)參考意見(jiàn)，僅供參考。我覺(jué)得是MOS管開(kāi)關(guān)損耗引起的發(fā)熱，并不是導(dǎo)通損耗。根據(jù)你提供的波形來(lái)看，其中開(kāi)通損耗比關(guān)斷損耗要大。1、先從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)看，開(kāi)通上升沿波形出現(xiàn)震蕩，這個(gè)震蕩會(huì)增加MOS管的開(kāi)通損耗，所以可以優(yōu)化電路參數(shù)來(lái)減小或者避免這個(gè)震蕩。通常的做法，增大MOS管驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力或者減小柵極限流電阻阻值；縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)走線，優(yōu)化走線路徑。2、MOS管的關(guān)斷下降沿波形也出現(xiàn)了明顯的震蕩，這個(gè)震蕩同樣會(huì)增大MOS管的損耗，常見(jiàn)的就是MOS管VDS電壓出現(xiàn)尖峰，需要優(yōu)化MOS管關(guān)斷電路。通常的做法，在MOS管的G、S之間反接一個(gè)PNP三極管，加快MOS管的關(guān)斷時(shí)間；單三極管的放電路徑要盡量的短，最好將三極管放在MOS管的旁邊。