kuamax123：
尊敬的主辦方：首先，很感謝有這樣的活動可以諸多愛好者更多的去了解熟悉SiCMOSFET的發展以及在實際工業應用中的現狀。本人剛博士畢業半年，現為高校教師，從事電力電子系統狀態監測與故障診斷相關研究，前期主要針對SiMOSFET以及IGBT開展了大量相關的器件特性分析、可靠性評估、在線狀態監測等研究，積累了豐富的相關理論和實際經驗。SiCMOSFET目前已在電動汽車、光伏發電系統等領域得到大量關注，羅姆公司一直處于半導體行業的領先地位，本人現階段主要在開展SiCMOSFET并網逆變器健康狀態監測研究，重點是SiCMOSFET的特性分析與參數監測，這也是本人想申請該評估板的原因之一，也希望借此取得的相關研究或分析結果可以進一步促進新型半導體功率器件的發展。我的申請理由如下：（1）實驗室具備相關的泰克示波器（帶PWR模塊可在線監測導通電阻）、電子負載等儀器，分析SiCMOSFET在特定工況下器件的開關特性與損耗，以及驅動電路的相關設計方案；（2）實驗室具備高溫箱等環境實驗設備，分析高溫環境下，SiCMOSFET相關參數的變化特性，如Vth,Rdson等。（3）基于實驗室具備的FPGA+DSP開發板，試圖開發一種可在線原位監測SiCMOSFET健康參數的測試平臺，以便后續為光伏逆變器的PHM（故障預測與健康管理）奠定基礎。我的試用規劃如下：（1）測試SiCMOSFET評估版在室溫條件下的開關特性，并與傳統IGBT進行對比，通過改變工況條件，分析開關管導通與斷開階段，器件振鈴效應、拖尾電流現象以及功率損耗；（2）將評估板相關測試點引出至高溫箱外部（便于測試用），在不同溫度工作環境下，測試評估板的相關特性參數以及SiCMOSFET特征參數Vth,Rdson的變化趨勢，從而間接反映開關管的溫度特性及損耗。（3）通過功率循環測試實驗，加速SiCMOSFET退化，分析可表征該器件健康狀態的特征參數，基于實驗室已有開發平臺，設計一種可在線監測該器件參數的測試電路/平臺，為后續光伏發電系統PHM提供技術保障。 最后，感謝主辦方、感謝電源網等支持該活動的有心人，希望有幸可以學習、研究羅姆SiCMOSFET評估板。