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是樓主寫錯了，你看懂了就行

同意你的觀點。t2~t3期間，VGS沒變化，說明Cgs并沒被充電，Ig的電流幾乎全部為Igd。在VDS大于VGS期間，Cgd在放電，Ig充當為放電電流；當VDS小于VGS后，Cgd開始反向充電，Ig充當為反向充電電流。

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哦哦，理解您的意思了。等把論文搞完了，我會查查資料的。還有mil/A是什么意思？這個不懂，我的算出來為700mil/A.不在200到500之間。是不是最小不能低于200，最大的話無上限，只要變壓器能繞下，工程上考慮200到500間是不是因為成本原因？

您好，我覺得您此步進入了循環計算：您在步驟17中計算出[圖片]后來您說“由于DIA=0.4mm>2Dfm=0.182*2=0.364mm，不滿足導線直徑小于兩倍穿透深度的原則，應采用小直徑的導線并繞或采用多股導線。設初級繞組股數為2股，則dn=d/SQRT(n)=0.4/SQRT(2)=0.283mm<2Dfm=0.182*2=0.364mm,可得，初級繞組采用單股導線裸直徑DIA=0.283mm的2股導線并繞。”但是您在167貼中：CMA={[1.27*DIA*DIA*(π/4)]/IRMS}&nbsp;*&nbsp;(1000/25.4)*&nbsp;(1000/25.4)={[1.27*0.4*0.4*(π/4)]/0.62}&nbsp;*&nbsp;(1000/25.4)*&nbsp;(1000/25.4)=398.7mil/A，滿足500≥CMA≥200。我覺得您此處的DIA應該為0.283mm，或者是0.566mm，而不是等于0.4mm。我不知道兩股線并繞的DIA算一股線的裸直徑，還是需要乘以2倍？

您好，您在步驟5.1.（1）中說“VOR越高，DMAX越大，可減小輸入電容的容值，提高低壓時的能量傳輸?！闭垎枮槭裁础癉MAX越大，可減小輸入電容的容值，提高低壓時的能量傳輸？“您能解釋下嗎？

您好：可有計算與MOSFET并聯的RCD參數計算方面的公式、資料等？

我用的是手持式的RLC測量表，跟手持式萬用表差不多大的。我把頻率調到10KHZ，測的的初級漏感為29uh，頻率為1KHz時，測得的漏感為42.3uh。我的初級電感量為理論值2.007mh，實際值為2.029mh。

您好：請問您為什么強調“需要注意的是，測試頻率應采用變換器的工作頻率?！蔽矣幸蓡柫耍?.頻率跟漏感之間有什么關系&nbsp;？&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;2.我如果用信號發生器產生我需要的頻率，是直接接在變壓器的待測線圈兩端嗎（別的線圈短接）？但是這樣怎么測量漏感呢？

您好，我測漏感時，按你說的，把別的線圈全部短接，但是我測量的這個線圈的漏感值一直在慢慢的下降是怎么回事？非常非常慢慢地下降，大概好幾秒下降0.1uh。