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cbq1985：

現在一些場合都在用SICMOSFET了，一般都是1700V的，由于跨導和溝道效應，VGE一般都會比普通的SIMOSFET大，一般在最大的80%左右，公司使用都會有一個降額使用。我有一個地方不是在太明白，SIMOSFET的VGE當時詢問了很多廠家的FAE，最高150度的結溫是由于封裝的限制，并不是里面的晶元，雖然sic的熱導率比較高，是不是只能認為它的功率密度比較大，實際在節溫使用時，是否同樣要按SIMOSFET一樣來限制結溫降額。

2013-12-17 10:29 回復

原帖：MOS的選擇

cbq1985：

班長好，我有一個不明白的地方，有的廠家VGS標了一個浪涌的值，ms級的可以到30V，在實際的設計過程中不知道可以在范圍內使用這個電壓。

2013-12-05 21:25 回復

原帖：MOS的選擇

cbq1985：

這個要看是什么器件，Trr一般是nS級別，由于Qrr的緣故

2013-07-20 22:44 回復

原帖：反向恢復時間trr=-1，是什么意思啊，是什么等量級啊

cbq1985：

像繼電器，斷路器這種器件安規也只是給一個參考溫度，MOSFET，IGBT這種不能超過其換算后的結溫，其它器件按規格書上的環境溫度來，人可接觸的塑料件65度，可接觸的金屬70度。