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HT4901 是一款集成了充電管理模塊、電量檢測及LED 指示模塊、升壓放電管理模塊，完全取代目前市場上的充電管理IC+MCU+升壓IC 方案。特點： 高度集成，極少的外圍元器件 內(nèi)置電量檢測，充電時電池能量狀態(tài)顯示 使用內(nèi)置MOSFET 充電電流500mA（典型值），外擴MOSFET 充電電流可達到2A 以上 支持對0V 電池充電，并有涓流預(yù)充電模式，更好的保護電池 升壓輸出電壓可調(diào)，使用內(nèi)置MOSFET 升壓輸出給外設(shè)的充電電流可達500mA，外擴MOSFET 升壓輸出給外設(shè)的充電電流可超過2A 固定開關(guān)頻率500KHZ 升壓電路高效率：90% 待機功耗可控制在30uA 以下 內(nèi)置50mA LED 手電驅(qū)動 電池過充、過放保護 輸出具有空載自動識別關(guān)機、過流保護、短路保護 過溫保護功能參數(shù)選擇：1.升壓輸出電壓Vout 由電阻R3 和R4 按以下公式設(shè)定：Vout = （1+R3/R4）×1.25V2.反饋環(huán)路設(shè)計：參考典型應(yīng)用電路圖，電阻R3 和R4 阻值的選擇，除要符合上述Vout 公式外，還須在系統(tǒng)的靜態(tài)電流和抗干擾能力方面做權(quán)衡。更高的電阻取值可降低系統(tǒng)的靜態(tài)電流（電流I=1.25V/R4）；較低的電阻取值可獲得較好的抗噪聲和抗干擾能力，降低對PCB 布圖寄生參數(shù)的敏感度，提高穩(wěn)定性；因此，對于無待機狀態(tài)或懸置狀態(tài)的應(yīng)用而言，R3 和R4 取值宜低些，而對于對待機或懸置電流要求很高的應(yīng)用，R3 和R4 阻值需要取高，這時候由于反饋回路的阻抗很高，從而對干擾非常敏感，必須非常仔細地進行布圖，并且避免任何對FB 端的干擾。為了提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，可在FB 端與Vout 之間接一電容，該電容的經(jīng)驗取值是：當(dāng)上述電阻為MΩ級時，取值約100pF；當(dāng)上述電阻取值為幾十至幾百KΩ時，取值在10nF~0.1uF 之間。元器件選擇：1.升壓電路輸出電容的選擇。輸出電容的選擇決定于輸出電壓紋波。在大多數(shù)場合，要使用低ESR 電容，如陶瓷和聚合物電解電容。如果使用高ESR 電容，就需要仔細查看轉(zhuǎn)換器頻率補償，并且在輸出電路端可能需要加一額外電容。2. DC-DC 升壓電路電感材質(zhì)《值》的選擇。因為電感值影響輸入和輸出紋波電壓和電流，所以電感的選擇是感性電壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計的關(guān)鍵。等效串聯(lián)電阻值低的電感，其功率轉(zhuǎn)換效率最佳。要對電感飽和電流額定值進行選擇，使其大于電路的穩(wěn)態(tài)電感電流峰值。3.升壓轉(zhuǎn)換器要選快速正向壓降低的肖特基整流二極管。使其功耗低并且效率高。肖特基二極管平均電流額定值應(yīng)大于電路最大輸出電流。4.MOSFET N 盡量選用內(nèi)阻小，開關(guān)速度快的，使其功耗低并且效率高，并且做好散熱處理。功能及參數(shù)：升壓輸出在待機狀態(tài)時，短按按鍵一下從待機狀態(tài)喚醒，對內(nèi)置電池電量檢測；電量顯示幾秒后關(guān)閉，同時啟動升壓輸出；在電池電壓欠壓或進入限流/短路保護時關(guān)閉升壓輸出，進入待機模式。LED 手電照明,連續(xù)快速按按鍵2 下，打開LED 手電照明功能；同樣再連續(xù)按按鍵2 下即可關(guān)閉LED 手電照明。 待機模式：1、 長按按鍵進入待機模式2、 智能檢測沒有充電輸入、沒有放電輸出、沒有打開LED 手電3 分鐘內(nèi)進入待機模式3、 待機功耗可控制在30uA 內(nèi)聯(lián)絡(luò)電話：15018515109 QQ:1339543557 陳小姐