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個人認為損耗應該分為IGBT的導通損耗和開關損耗，以及二極管的導通損耗和開關損耗四大類。二極管的導通損耗除了和自身特性相關外最大的因素就是溫度了，而開關損耗除這兩點之外也和關斷的速率（反向恢復階段的電流大小）之間存在一些關系。至于IGBT的導通損耗除了與溫度相關和門極電壓也相關。開關損耗就復雜一些了，和工作電流，工作電壓，密勒電容（門極與集電極之間的等效電容與集射電壓相關），驅動電流，門極穩態電壓，溫度等因素都有關系。有一點容易忽略的是和關斷震蕩波形也有關系。也就是說和外圍電路的雜散參量，尤其是吸收電路也是有關系的。當然了，最主要的還是IGBT自身特性決定的開關硬度。

IGBT的特點是大功率，高電壓。（電源的功率大了，電壓就不能太低，否則大電流會導致高損耗，關斷尖峰等問題。）而且抗過載沖擊能力強。而MOS的特點則是開關速度快。所以在大功率應用，尤其是高壓應用中IGBT使用較多。而高頻應用則MOS較多。在開關電源里，IGBT主要還是用在頻率較低的有源功率因數校正等部分。在其他場合，像民用的電磁爐等千瓦級的產品上使用份額較大。而隨著伺服電機等電力產品越來越多的替代傳統的氣動，液壓等動力機構。乃至電力汽車，新能源等產業的崛起。IGBT，尤其是高壓大功率的IGBT的使用會越來越多。個人淺見，電源產業未來高附加值的增長點，主要會集中在低壓直流大電流和高動態性能的逆變兩大方向。前者在強調高效和高功率密度的基礎上，會越來越看重動態響應能力。而后者則會越來越看重與伺服控制技術相結合的寬動態范圍的輸出頻率和電壓。

你好！我的意思是，如果驅動器的輸出速率不足。就會導致IGBT的集電極電位在進入上升或下降階段時，驅動器的輸出還沒有達到最終穩定的電壓值。這個現象是會導致問題的。原因是這種情況下，驅動器輸出在這個時間節點上的電壓值每一次都可能有較大差異。這就導致了工作狀態的不穩定，很容易超出實際的安全工作區間，從而導致損壞。并不是我們平時所說的功率超過額定值而導致的器件燒壞。不知道我說清楚沒有？

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綜上所述，驅動器與控制板之間的線纜不能過長，否則就存在引入干擾，導致誤觸發的風險。鑒于驅動器輸出與功率器件之間的距離也不能太遠，建議采用光纖隔離驅動器的那種一分為二，中間通過不怕干擾的光纖進行連接的方式。另外，建議按照上述方法補充一個接地，以便旁路耦合電流對控制板的影響。

還有一個問題就是干擾電流的引導問題。通過合理的接地處理是可以優化耦合電流對控制板相關電路的干擾的。也是將該干擾電流引走，使它不經過控制板電路。具體來說就是把它引回到它的源頭去。由于電場的建立需要等量的異種電荷。因此對驅動器的電荷補充必然導致電源側的電荷缺失。實際中，這個電荷的缺失是要通過各種雜散參量組成的電荷路徑從周邊環境（包括地）中汲取回來的。而不同途徑提供電荷量的比例，自然是決定于各路徑阻抗的大小。如果我們人為建設一條低阻抗的電荷路徑連接在，害怕受到干擾的敏感電路入口與干擾源的源頭之間。那么干擾電流就會抄近道回到干擾源而不對敏感設備造成影響。很明顯，這個通路應該是驅動器與控制板連接處的地到它所驅動的IGBT（MOSFET）周邊最近的接地屏蔽體處。但是這里一定要注意，不要把其他干擾從這個屏蔽體引到控制板。所以，常用的對策就是在這兩點之間串接一個并聯了電阻的高頻瓷片電容。具體的阻值和容值就要根據具體情況設定了。另外注意線材一定使用盡量短的多股軟線，以便進一步降低阻抗。需要注意的一點是，由于控制板的電源一般是隔離的開關電源。所以有些系統的主控板往往是懸浮地。這在高壓大功率場合不太合適。很可能累積靜電，導致故障。但是貿然接地又有可能引入干擾。所以，推薦對主控板以上述的方式，接地于功率電路的接地屏蔽體。并且保持一個接地點。