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Q值也變，導(dǎo)致Q*V在R小時(shí)VLr&VCr升高。

空載Fs高于Fr1，增益高輸出電壓變高了，所以要跳頻，或縮占空比。最關(guān)鍵的是llc由串聯(lián)會(huì)變并聯(lián)的，因看到了次級(jí)電容

張老師只關(guān)注占空比，因是反激，在Ton時(shí)是儲(chǔ)能，Toff時(shí)才釋放能量，次級(jí)diode的損耗要考慮。Toff越長(zhǎng)diode損耗越大。另DCM，CCM，QR的情況都要考慮，反激D小于0.45，就是綜合考慮初級(jí)MOS耐壓，次級(jí)diode或MOS導(dǎo)通損耗及反饋補(bǔ)償?shù)模C合設(shè)計(jì)。

當(dāng)你看懂了源程序你就不這么認(rèn)為，SCR為低頻50HZ開，正好和電網(wǎng)同步，同時(shí)加入0-1度179-180度的死區(qū)時(shí)間，SCR可以電流自動(dòng)過零關(guān)斷，如果用MOS就不好控制。。。

l2,l11不用貼，本身是吸收的，有了Q1,Q2就不貼

好好的研究一下，很不錯(cuò)的，我以復(fù)制OK

復(fù)制了一臺(tái)，220伏的，開機(jī)正常，挺開心的，在此愿和各位分享

Q1先ON,TX6,C9,諧振,電流由C9到TX6123腳到10,11,12腳返回到C7,Q8,ZVS

scr工作在50HZ,改為MOS請(qǐng)如何開上管  

下管通時(shí)C背充電，下關(guān)時(shí)C通過光藕開通上管