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暫無(wú)內(nèi)容

IGBT為什么價(jià)錢(qián)漲的這么快

guochangzhen

最新回復(fù)：2018-05-28 23:18

1377

哪位前輩能說(shuō)說(shuō)3DK109C

guochangzhen

最新回復(fù)：2018-04-09 00:17

1266

請(qǐng)教前輩，同樣的參數(shù)，不同的封裝區(qū)別

guochangzhen

最新回復(fù)：2017-10-05 11:21

2389

拆個(gè)12KW電磁灶機(jī)芯

guochangzhen

最新回復(fù)：2016-05-21 12:15

2633

求教：494半橋方案的LED電源問(wèn)題，望高手解答

guochangzhen

最新回復(fù)：2016-02-20 16:09

1989

【敗家第二季+10】暴力拆解LED燈

guochangzhen

最新回復(fù)：2015-09-25 13:31

2715

【敗家第二季+10】拆模塊

guochangzhen

最新回復(fù)：2015-09-23 16:47

2993

收到"銳駿新型專(zhuān)利內(nèi)絕緣MOSFET–TO-220S封裝，活動(dòng)"，送的工具

guochangzhen

最新回復(fù)：2015-07-05 22:00

1287

guochangzhen：

這是濾波電容

2017-10-11 20:46 回復(fù)

原帖：0-500A,0-65V大功率可調(diào)電源（2）

guochangzhen：

祝大伙中秋快樂(lè)

2017-10-04 20:56 回復(fù)

原帖：請(qǐng)教前輩，同樣的參數(shù)，不同的封裝區(qū)別

guochangzhen：

從本質(zhì)上講我還是認(rèn)為小封裝就是虛標(biāo)，4個(gè)60A的單管絕對(duì)比不上一個(gè)75A的模塊，不管從芯片，價(jià)格，質(zhì)量上都沒(méi)法比。用4個(gè)60A的單管做8KW半橋肯定比用75A模塊做8KW半橋壞的快

2017-10-04 20:55 回復(fù)

原帖：請(qǐng)教前輩，同樣的參數(shù)，不同的封裝區(qū)別

guochangzhen：

謝謝回答，講的很詳細(xì)，那這么說(shuō)同樣參數(shù)小封裝尺寸小須多層，大封裝尺寸大單層，價(jià)錢(qián)應(yīng)該差不多。但實(shí)際上同樣參數(shù)的to247封裝價(jià)錢(qián)會(huì)比sot-227封裝宜很多，性能也會(huì)更差，那么是不是可以認(rèn)為to-247是虛標(biāo)呢？

2017-09-29 22:15 回復(fù)

原帖：請(qǐng)教前輩，同樣的參數(shù)，不同的封裝區(qū)別

guochangzhen：

謝謝回答，但模塊的晶粒明顯比247封裝的大好多，還拿igbt來(lái)說(shuō)，4個(gè)60A的單管晶粒還沒(méi)一個(gè)75A的模塊的晶粒大

2017-09-28 21:23 回復(fù)

原帖：請(qǐng)教前輩，同樣的參數(shù)，不同的封裝區(qū)別

guochangzhen：

一般都是18V,有些半橋設(shè)備上用+-15V。+18-5V。

2016-09-06 12:45 回復(fù)

原帖：igbt 模塊電子白金機(jī) 亮啦

guochangzhen：

謝謝你的回答，問(wèn)題是假負(fù)載電阻阻值沒(méi)變，拆掉輸出也正常