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他們的制造成本都不超過RMB0.6

[圖片] 變壓器問題！圈數(shù)多了，初級建議24~28圈，反射電壓設(shè)計到80V左右，初級感量降低到450~500uH。效率低的原因有以下幾點：1、750uH感量在AC100V時候造成初級電流紋波系數(shù)Kr太小，估計在0.4左右。變壓器中直流分量太高，開關(guān)損耗加大，（特別是開通損耗增加不少）。2、若直接降低感量會造成磁芯氣隙過大，鐵損太大。同時漏感損失的能量增大。 

對于反激電源  CCM狀態(tài)時候的直流Bdc是該考慮的,若DELTAB取0.2而CCM直流分量Idc占到IP的1/3那么Bdc就該有0.1  那么Bmax就該有0.3,對TDK而言:BM:390,BR:55  0.39-0.055=0.335  CCM直流分量Idc占到IP的1/3時候若DELTAB取0.2則變壓器工作不是很理想的!!

你那是斬波,大小變化方向不變也符合直流定義.那如果是變壓器的話可以是反激也可以是正激.

嚴重同意樓上的意見~!1、一般來說變壓器的損耗大約只占到  系統(tǒng)總損耗的1/3不到(MOS損耗  輸出整流損耗(含整流管和輸出濾波電容))且輸出電壓小于20V情況下.如果輸出90V  應(yīng)該效率很高的.另外還想順便說一句,輸出整流管要用到至少300V以上的!2、AC85V輸入按照一瓦2uF的輸入濾波電容,輸入整流部分的文波應(yīng)該不小于35V!

請看12貼典型的是大波讓原邊處于CCM模式,小波之后才又轉(zhuǎn)為DCM模式.大小波出現(xiàn)的情況有:1、芯片為了使得高低壓過功率電流一致,一般會把高壓(即小占空比)的SENSE監(jiān)測電壓設(shè)定得小些,比如設(shè)定為0.7V,把低壓(即大占空比)時的SENSE監(jiān)測電壓設(shè)定得大些,比如設(shè)定為1V.就是通常說的動態(tài)峰值功率限制.那么此情況在CCM狀態(tài)直流分量比較重的時候容易出現(xiàn)大小波.為什么呢?因為,只要原邊直流分量大于7/10那么過功率時候在開啟時就該出現(xiàn)關(guān)斷,下一個周期原邊電流將從低的直流點或者從零開始按照V/L的斜率上升.2、環(huán)路不穩(wěn)定,系統(tǒng)相位裕度不夠.

大小波出現(xiàn)的情況有:1、芯片為了使得高低壓過功率電流一致,一般會把高壓(即小占空比)的SENSE監(jiān)測電壓設(shè)定得小些,比如設(shè)定為0.7V,把低壓(即大占空比)時的SENSE監(jiān)測電壓設(shè)定得大些,比如設(shè)定為1V.就是通常說的動態(tài)峰值功率限制.那么此情況在CCM狀態(tài)直流分量比較重的時候容易出現(xiàn)大小波.為什么呢?因為,只要原邊直流分量大于7/10那么過功率時候在開啟時就該出現(xiàn)關(guān)斷,下一個周期原邊電流將從低的直流點或者從零開始按照V/L的斜率上升.2、環(huán)路不穩(wěn)定,系統(tǒng)相位裕度不夠.

猜測是正常的頻率,典型的前一個周期開大了,后一個周期在開啟后檢測到MOS到地電阻的電壓高于sense保護電壓后關(guān)閉MOS.

3842的3腳對地的電容主要是濾除sense電阻的在MOS開啟時的SPIKE,  電容值大了會造成最小暫空比增大,在電源開機啟動或者高壓短路的時候原邊電流處于很高的CCM狀態(tài)并且MOS的VDS極尖峰電壓會增大很多,從而炸掉MOS管.

從你的圖上沒看到有為494供電的電源.