gowithwind：
談一談MOSFET的溫升。1,MOSFET的溫升與損耗相關(guān)，F(xiàn)et的損耗包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗；2,導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---與門級(jí)驅(qū)動(dòng)沒有什么關(guān)系；3,所以我們的重點(diǎn)是分析開關(guān)損耗，下面我們看看開關(guān)損耗的計(jì)算公式A，Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電阻負(fù)載)B，Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電感負(fù)載)從上面的公式，我們可以看出開關(guān)損耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情況下，與電流與電壓的交叉時(shí)間Tcross關(guān)系很大(也就是門極驅(qū)動(dòng))C, 基本上Tcross由Fet的柵極充、放電時(shí)間常數(shù)Tg=Rdrive*Cg和門限電壓Vt來決定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg為輸入電容，Rdrive為驅(qū)動(dòng)電阻)