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借樓主的地方也問一下,有沒有500V的小功率的NMOS?電流只用到幾十mA.現(xiàn)在在用600V/1A的管子,覺得成本貴了點(diǎn).

這個(gè)電路有一個(gè)使用限制的,就是Vcc必須比輸出電壓高幾伏才能驅(qū)動(dòng)兩個(gè)NMOS.而且成本也增加了不少.

不敢當(dāng)啊,離大師還差遠(yuǎn)了,這個(gè)壇子里有不少高手的.如果我沒算錯(cuò)的話,這個(gè)變壓器是工作在DCM模式下,占空比20%,次級峰值電流19.3A.對5.5A的輸出,建議工作在CCM模式下,這對減少銅損有好處!

溫度為20度時(shí),62.5k的頻率,趨膚深度為0.26mm.線徑一般取小于兩倍的趨膚深度的線徑,也就是說要小于0.52mm.次級線圈0.8mm太大了.另外你可以用手感覺一下是磁芯的溫度高些還是線包的溫度高些,知道了后可以對癥下藥

首先,你的transformer2:N=6是不是筆誤?應(yīng)該是12吧?從成本上來說,2的圈數(shù)增加了,成本上升.另外圈數(shù)增加有可能導(dǎo)致窗口面積不夠,要換大一規(guī)格的磁芯,也是增加成本.從性能上來說,2的圈數(shù)增加而要保持電感量不變,勢必要增大氣隙,從而導(dǎo)致變壓器的寄生參數(shù),譬如漏感增加,影響性能.還有圈數(shù)增加,銅損也會(huì)相應(yīng)增加.

變壓器的損耗主要是銅損和鐵損.銅損方面,你的線徑太大了,趨膚效應(yīng)比較明顯,建議增加或者保持截面積不變的情況下使用多股細(xì)線.鐵損方面,可以考慮降低頻率和降低Bmax來實(shí)現(xiàn).

同意你的說法!

100W左右的功率,外殼選用市場上方便買到的16cm*9cm的塑膠殼.

是不是作生產(chǎn)充電器都要求這樣測試?現(xiàn)在已經(jīng)讓客戶快遞過來,還沒收到.所以先在這里問問有哪些可能導(dǎo)致這樣的現(xiàn)象的.如果是一些電阻電容的參數(shù)因?yàn)殚L期高溫導(dǎo)致發(fā)生了不可逆的改變,那倒好說,就但如果是充電IC出了問題,那就麻煩了