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暫無內(nèi)容
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excellenthc:
從圖上來看這是柵極電壓波形,要加快上升速度,那么就必須給柵極足夠的充電電流.
2009-04-03 10:35 回復(fù)
原帖:請教一個MOSFET問題
excellenthc:
說詳細(xì)一點(diǎn)好吧~~~
2009-04-03 10:32 回復(fù)
原帖:請教一個MOSFET問題
excellenthc:
TOP227很老的啦.又貴...不合算...我是一個電源研發(fā)工程師,聯(lián)系EMAIL:excellenthc@163.com
2007-11-20 16:49 回復(fù)
原帖:E128磁芯
excellenthc:
用EI25就足夠了.用那么大的浪費(fèi)
2007-11-20 16:46 回復(fù)
原帖:E128磁芯
excellenthc:
具體問題就問我吧!!
2007-11-19 16:29 回復(fù)
原帖:大家給推薦一個電路
excellenthc:
我有啊.可以給你一個樣品.15V1A的.15W的了.各種表現(xiàn)都非常好.效率在80%!!
2007-11-19 16:29 回復(fù)
原帖:大家給推薦一個電路
excellenthc:
再第一個個1/4充電,之后電容是放電的,但是由于電容放電時間較長,也就是電容放電時間常數(shù)比正弦波下降的角頻率要大,當(dāng)電壓到負(fù)半周時,電容電壓還是比較高的.進(jìn)入負(fù)半周,此電容電壓跟電源負(fù)半周的電壓疊加給第二個電容充電....
2007-10-26 16:53 回復(fù)
原帖:菜鳥問一個關(guān)于電容充放電的問題
excellenthc:
什么電位差比較?理想分析的話,在動態(tài)的充電中,最后一個電容都要承受6倍的電壓
2007-10-26 10:16 回復(fù)
原帖:倍壓整流電路簡介
excellenthc:
對電路1,把上面的依次電容編號為1.3.5,下面的電容一次編為2.4.6..這樣的話,在電壓周期的正半周是對1充電,負(fù)半周是對2充電,再下一個正半周對3充電,依次下去,經(jīng)過3個周期,最后面的電容才有6倍的電壓.就是越后的電容要求的耐壓就越高了...怎么會說電路1的電容受到的耐壓小呢???????
2007-10-25 17:56 回復(fù)
原帖:倍壓整流電路簡介
excellenthc:
對電路1具體分析一下,好像每一個電容比前面的電容受到的電壓要高1倍,這樣最后面的電容受到的電壓就是6倍了,越往后要求的電容的耐壓就越高啊..?????????疑惑中
2007-10-25 17:48 回復(fù)
原帖:倍壓整流電路簡介
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