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IGBT突波吸收電容雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術，使電容具低感抗，多條引線設計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路材料特性電容結構:雙層金屬化膜，內部串聯結構封裝:阻燃塑膠外殼，環氧樹脂封裝，符合(UL94V-0)標準.尺寸:適合于各種IGBT保護。(可按客戶需求定制特殊規格)電氣特性電容量:0.0047to6.8μF,參考表格數據額定電壓:700to3000Vdc損耗角正切:測試條件1000±20Hz，25±5℃. Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4絕緣電阻:3000s，s=MΩ.μF測試條件1minute，100Vdc(25±5℃)耐電壓:2Ur(DC)測試條件10s，t25±5℃，1Min工作溫度:-40~+85℃以上產品全新原裝進口，有現貨，直接代理商，有價格優勢