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樓主是不是華科的看到你在白云上問了同樣的問題

說反了一個(gè)積分環(huán)節(jié)是I一個(gè)積分環(huán)節(jié)加上一個(gè)微分環(huán)節(jié)是PI一個(gè)積分環(huán)節(jié)加上兩個(gè)微分環(huán)節(jié)是PID至于動態(tài)響應(yīng),主要和系統(tǒng)的帶寬相關(guān).PID的動態(tài)響應(yīng)快主要是他的兩個(gè)零點(diǎn)更好的補(bǔ)償了系統(tǒng)的相位滯后使系統(tǒng)的帶寬增加

又測了一下次級的測量有問題,樓上的計(jì)算是對的.

沒有什么效果電感量增大的同時(shí)漏感也增大了

請問有沒有詳細(xì)的變壓器和電感屏蔽的資料?謝謝

初級匝數(shù)增加,磁芯的deltaB就減小,可以是磁芯的工作區(qū)域H-B線性度更好,但是磁芯的利用率不是很低么?在10匝的時(shí)候,deltaB計(jì)算為+-0.2T增加到22匝,deltaB連+-0.1T都不到.還有就是增加初級電感量對減少關(guān)斷震蕩有什么幫助?

沒有加MOSFET關(guān)斷緩沖電路,只反并聯(lián)了個(gè)二極管

我算了一下,EC55的AL(nH/N2)值在4000左右18匝,那么L=4000nH*18*18=1.296mH和測量結(jié)果基本一致

請問如何仿真MOSFET關(guān)斷時(shí)的初級震蕩?

RC吸收電路加在變壓器初級電路上是有的,為了降低關(guān)斷速度,去掉了實(shí)測加不加放電二極管對關(guān)斷速度影響不是太大