一種具有短路限制的GaN及驅動、保護的實現
GaN器件的商用為電力變換器技術具有重要的意義，目前650V GaN器件已廣泛使用在電源適配、充電器、通信電源等領域，由于具備低導通電阻和高開關頻率，能有效地提高電源的功率密度和效率、減小其體積。
驅動SiC MOSFET有多容易？
平時我們使用充電器，一般都是關注充電器的品牌，是小米還是華為，不會去在意它里面是使用的什么材料，為什么小米這款65W的充電器要單獨說明是GaN呢？
基于GaN FET的12V1200W LLC電源設計指南
在一般的規格書電氣特性中，我們可以看到會標識功率模塊的漏電流參數值，以MSCSM120AM16CT1AG這個1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模塊來說，其漏電流為如圖1所示
功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性
