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深入解析Buck-Boost到Flyback的演變過程

作為工程師,說到電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在熟悉不過了。無非是BUCK,BOOST,Buck-Boost,F(xiàn)lyback,F(xiàn)orward,Two-Transistor Forward等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在此就不一一列舉,本文將和大家分享一下Buck-Boost到Flyback過程分析,希望能幫助到各位!

電源的拓?fù)溆泻芏喾N,但是其實(shí)我們能夠理解一種拓?fù)洌涂梢岳斫馄渌負(fù)浣Y(jié)構(gòu)。因?yàn)榻M成各種拓?fù)涞幕驹厥且粯拥摹?/p>

對于隔離電源:大家接觸最多的電路拓?fù)鋺?yīng)該是 flyback。

但是大家一開始做電源的時候,不會設(shè)計(jì),連分析也不懂,唯一能做的是模仿(難聽點(diǎn)就是抄襲)。這樣子的狀態(tài)持續(xù)了一段時間后,才開始慢慢的有一些了解。但對于新手來說,如果能從基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)BUCK、BOOST進(jìn)行演變成更復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),那么我們?nèi)跁炌ǖ睦斫飧鞣N拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),就變得非常容易。

其實(shí)理解隔離電源,相對非隔離DCDC來說,需要多理解一個基本元素——變壓器。然后很多基本原理也可以通過基本拓?fù)溥M(jìn)行演變。

本文就是做了一個演變的過程分析。

為了分析 flyback 電路,我們從 flyback 的源頭開始說吧。Flyback 是從最基本的三種電路中的buck-boost 演變而來的。所以對 buck-boost 的分析,一定有助于對 flyback 的分析,而且buck-boost 看起來似乎要比 flyback 簡單,至少它沒有變壓器。

下面將要開始來對 buck-boost 進(jìn)行演變,最終會演變成 flyback。

圖一

Buck-Boost電路——降壓或升壓斬波器,其 輸出均勻電壓U0大于或小于輸進(jìn)電壓Ui,極性相反。

圖一 是 buck-boost 的原型電路。把電感 L 繞一個并聯(lián)線圈出來,如圖二:

圖二

把 L 的 2 個并聯(lián)線圈斷開連接,并且改變?nèi)?shù)比,改為:1:n,如圖三:

圖三

把圖三中的二極管沿著所在回路移動,變成陰極朝外的樣子,并且,改變輸出電壓V和接地的位置。(二極管的作用是單向?qū)ǎ娐窙]有其他分支電流,在一個環(huán)路中的兩個位置,效果可以等效。)

(Buck Boost是實(shí)現(xiàn)反壓的,但是我們隔離電源并不是需要反壓,所以我們需要調(diào)換一下電源的極性。)

如圖四:

圖四

把圖四中的 Q 順著回路移動到變壓器下方,如圖五:

(開關(guān)的位置其實(shí)在哪都可以,只是我們不希望MOS的打開條件Vgs的伏值不要太高。)

圖五

轉(zhuǎn)變一下變壓器的繞線方向,則形成了Flyback

圖六

以上說明,我們研究 buck-boost 的行為特性,對研究 flyback 的行為特性有很大的幫助。因?yàn)閮蓚€電路各工作過程都是極其類似的。只是在buck boost的拓?fù)渲校挥幸粋€電感,進(jìn)行儲能,而在flyback電路中,是一個變壓器。原邊側(cè)的電磁能量,在原邊側(cè)電路突然斷開的時候,能夠把能量傳遞到副邊側(cè)。

對于Buck-Boost拓?fù)鋪碚f:

第一個工作狀態(tài):mosfet Q 開通,二極管 D 關(guān)斷.如圖八所示:

圖八

此時,輸入電源對電感進(jìn)行充電。電容原先充電的能量,對負(fù)載進(jìn)行供電,保持其原來的電壓。

第二個工作狀態(tài):Mosfet Q 關(guān)斷,二極管 D 開通.如圖九所示:

圖九

此時,電感會維持原來的電流。

我們來看下flyback的工作過程:

假定這個 flyback 電路仍然工作在穩(wěn)定的 CCM 狀態(tài)。

在狀態(tài) 1 mosfet Q 開通,二極管 D 關(guān)斷,電路如圖所示。

類比于剛剛我們提到的BuckBoost的狀態(tài)一,此時對電感進(jìn)行充電,電容維持負(fù)載的電流。

在flyback的狀態(tài) 2 Mosfet Q 關(guān)斷,二極管 D 開通,此時變壓器的副邊對負(fù)載和電容進(jìn)行充電。

剛剛我們討論的是CCM情況。flyback有個另外的情況DCM。

工作在DCM情況下的flyback比在CCM下多了一個工作狀態(tài) 3. 工作狀態(tài)1 和工作狀態(tài)2 與CCM的工作狀態(tài) 1 和 2 相同,在工作狀態(tài) 3 下,Mosfet Q 和二極管 D 都處于關(guān)斷狀態(tài).三個工作狀態(tài)經(jīng)歷時間分別為 d1Ts,d2Ts,d3Ts.

(免責(zé)聲明:整理本文出于傳播相關(guān)技術(shù)知識,版權(quán)歸原作者所有。)

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  • 陽光帝國 2020-11-13 09:30
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