關于晶體，已經發過3篇，主要講了關鍵術語、頻偏、負性阻抗：
②晶體在使用過程中需要注意哪些點？(二)--PCB板實際頻偏計算
今天我們就聊聊晶體的另一個關鍵特性：激勵功率。
1、一道面試題
照例，先拋出來一道面試題：“PCB板上的晶體的激勵功率過大，如何調整？”。這個問題比較常規，面試中標的概率比較高，實際使用時也可能會碰到這類問題。如何回答，10秒時間自己先思考下。
2、激勵功率是…
激勵功率，實際就是晶體諧振器工作時所消耗的功率。其實，這點很容易理解。電子器件工作是總是要消耗功率的。
3、激勵功率的范圍是…
既然問道“晶體的激勵功率過大”，那就需要知道激勵功率通常的范圍是多少，多少算是過大。
激勵功率的范圍，在晶體諧振器的規格書上都會有明確說明。一般而言，通常會要求激勵功率小于300uW。實際工程應用中，激勵功率小于200uW較為適宜。（具體以實際規格書要求為準）
如下圖所示，某品牌的晶體規格書中Driver Level就要求小于300uW。
如下圖所示，這個晶體的激勵功率已達到299.1uW，數值已經非常臨界。最好還是通過調整參數，降低到200uW以下。
4、激勵功率過大，會怎樣？
既然要求了激勵功率的范圍，可能有小伙伴會問了：超過這個范圍，會怎樣？
這是個好問題！
我們搞技術，做研發的，就需要這種專研、探索，充滿好奇心的心態。
舉個栗子：你可以形象地把晶體理解為一個人的心臟。激勵功率過大，就是心臟跳動的力度過于劇烈。如果心臟長時間處于劇烈跳動，勢必會出現器官疲勞，衰竭等現象，再后面可能會引發一系列連鎖反應。
再說回晶體，如果激勵功率過高，可能會出現振蕩頻率不穩定的情況。
5、激勵功率如何測試？
既然我們知道了激勵功率的范圍以及過大的危害，那么我們有必要了解激勵功率如何測試。
如上圖所示，用高頻電流探頭直接測試量晶體諧振電路中的電流有效值Irms。再根據如下公式計算，即可得出DL。
注意：這里面的電阻是RL，不是ESR。
6、激勵功率過大，如何調？
如文章開頭面試題中問道：晶體激勵功率過大，如何調整？
其實，知道了激勵功率的計算公式，這個問題也就沒什么了。
①降低電流值：可以增大限流電阻，這個方法簡單粗暴有效！
②減小外部匹配電容容值，也可以降低激勵功率。
7、實測報告
你可以上面說的有些虛無縹緲，有點摸不著看不到。下面我們看下某品牌的晶體的匹配測試實測報告。
外部匹配電容為20pf時，頻偏為+40.2ppm，激勵功率0.041uW，負性阻抗1535kΩ。
頻偏有些偏大，調整外部匹配電容(從20pf調整為27pf)。我們可以看到頻偏降到+11.5ppm，而激勵功率增大(從0.041uW增大到0.097uW)，同時負性阻抗降低。
由此也可以看出，調整匹配電容后，可謂是牽一發而動全身，其他幾個關鍵參數都會隨之改變。同時也驗證了，增大匹配電容，激勵功率上升；反之則下降。
8、總結
今天要聊的內容基本到這里了，來捋一下今天都聊了哪些內容：
①激勵功率就是晶體諧振器工作時所消耗的功率；
②激勵功率的范圍：通常小于300uW。小于200uW較為適宜；（具體以實際規格書要求為準）
③激勵功率過大，可能會出現振蕩頻率不穩定的情況；
④激勵功率的計算方法，詳見上面公式；
⑤降低激勵功率，可以增大限流電阻，也可以嘗試減小匹配電容容值。
怎么樣？一個簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！
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