目前我了解的2類IC設計模式：PI-集成MOS的開關方式；ON/O2等控制器+MOS分離的PWM工作模式進行分析！

基本的反激變換器原理圖如下所示，在需要對輸入輸出進行電氣隔離的低功率<75W～的開關電源應用場合，反激變換器（Flyback Converter）是最常用的一種拓撲結構（Topology）。簡單、可靠、低成本、易于實現是反激變換器突出的優點；接下來我將電源的關鍵參數的設計&工作模式進行說明！

我們先來確定系統的輸入輸出參數，進行開關電源關鍵參數的分析設計；關鍵參數我們來分析FLY 的反射電壓VOR 與 工作模式KP或 KRF/KRP的設計！

舉例說明：先進行關鍵參數分析

上面原理圖設計要求：90VAC-265VAC的全電壓范圍；

對應的公式計算應用 100VRMS–Min 來計算輸入電解電容的紋波電流

輸出規格：

12V-2A /2.5A & 110V-0.42A/0.5A;

1.對高效率要求的VOR 設計參考(我的設計經驗)

對于85VAC-265VAC(通用)輸入電壓范圍，VOR推薦：80V-110V最佳范圍

對于165VAC-265VAC(國內)輸入電壓范圍，VOR推薦：100V-120V最佳范圍

分析如下：

變壓器性能相關參數設計分析：

使用基本計算公式；我們將計算公式進行EXCEL自動計算，從而對比參數設計！

計算參考如下：

A.VRO=80V   LP=280uH時   NP=26圈  

B.VRO=90V   LP=280uH時   NP=30圈

對比VRO=80V與 VRO=90V 時其變壓器的原邊圈數有差異；VRO=80V時有最小的圈數；其漏感最小有好的交叉調整率和高的效率！（實踐測試一致OK）

2.工作模式分析KP/KRP

對于關鍵參數FLY反激變壓器，KP=KRP作為反激變壓器中的靈魂參數，該如何對其進行取舍，值得我們深入探討! 

工作模式：即電感電流工作狀態，一般分DCM、CCM、BCM三種(定性分析)。

KP/KRP：描述變壓器/電感電流工作狀態的一個量(定量計算)；實際意義；

只要原邊電感電流處于連續狀態，都稱之為CCM模式。而深度CCM模式(較小紋波電流)與淺度CCM模式(較大紋波電流)相比較，電感量相差好幾倍，而淺度CCM模式與BCM、DCM模式的各種性能、特點可能更為相似。顯然需要一個合適的參數來描述所有電感電流的工作狀態。通過設置KP/KRP值，可以把變壓器的電感電流狀態與磁性材料、環路特性等緊密聯系起來。我們也可以更加合理的評估產品設計方案!!

A．對于集成MOS的PI系統對KP的定義

連續模式CCM：如果在次級電流下降到零之前MOSFET開通，則電源工作在連續工作模式。

非連續工作模式(DCM)：在非連續工作模式下，當MOSFET開通時，次級電流為零。

B.對于分離的PWM控制的ON/O2系統對KRP=KRF的定義

C.KP=KRP=KRF的工作模式分析

KRP較大時(特別是DCM模式)，磁芯損耗一般較大(NP較小)，氣隙較小(無氣隙要求，僅滿足LP值)，LP較小，漏感會較大，紋波電流較大(電流有效值較高)；

KRP較小時(特別是深度CCM模式)，磁芯損耗一般較小(NP較大)，氣隙較大(有氣隙要求，平衡直流磁通)，LP較大，漏感會較小，紋波電流較小(電流有效值較低)； 

注：KRP較小時，氣隙也是可以做到較小，但這需要更大的磁芯和技巧；

KRP較大時，磁芯損耗也是可以做的較小，但這同樣需要更大的磁芯和技巧；注意：相同磁芯、開關頻率，DMAX，DCM模式比CCM模式下的輸出功率更大；其實這是不完全對的(至少不符合實際,因為需要限制DMAX，導致空載容易異常)，原因在于DCM模式下磁芯損耗會超出你的想象(電應力也會如此)；DCM模式下，如果想大幅度降低磁芯損耗，唯一的方法是增大NP，而過大的NP會與LP形成現實沖突(DCM模式下，LP一般較小)，造成磁芯氣隙超出你的想象(漏感也會如此)；有沒有方法解決這種現實矛盾?答案應該是肯定的，即選擇合適的磁芯結構，如長寬比小且AE大的磁芯(PQ系列)，或許會比長寬比大且AE小的磁芯(EER、EEL系列)更加有優勢。

(在DCM模式下，如果限制DMAX，則會比CCM模式下輸出更大的功率) 

KRP較大時，增大DMAX可以在一定程度上降低原邊的紋波電流及有效電流值，但是次級的電流應力會更加惡劣，這種方法(增大/減小DMAX)只適合平衡初次級的電壓、電流應力，應該不是一種很好的設計手段。 

KRP較大時，空載啟動困難，特別是低壓大電流輸出，且空載無跳頻(寬范圍AC輸入時尤其如此，如3.3V10A，特別是超低壓輸出)； 

KRP較小時，開關損耗較大，特別是高壓小電流輸出，且開關頻率較高(窄范圍AC輸入時尤其如此，如100V0.5A，特別是高壓輸出)； 

注：非低壓大電流產品(如12V5A)，KRP較大時，DMAX不能設計的過小，否則空載也會啟動困難，且空載無跳頻(寬范圍AC輸入時尤其如此)； 

KRP較大時，動態響應較快，環路補償比較容易(特別是采用電流模式控制)； 

KRP較小時，動態響應較慢，環路補償相對困難(特別是采用電壓模式控制)； 

KRP較大時，電感電流斜率較急，CS采樣端對噪聲影響不明顯；

KRP較小時，電感電流斜率較緩，CS采樣端可能會受到噪聲影響； 

注：電流模式芯片通常會比電壓模式控制芯片的性能更加優異，但并非所有情況下都是如此。如果輸入電壓較高，輸出功率較小，電流模式芯片可能無法檢測CS電壓，低壓大電流輸出產品在空載時也會出現這種情況(對寬范圍AC輸入，低壓大電流輸出〈甚至非大電流輸出產品〉，如果KRP較大，DMAX又較小，空載極有可能出問題，或許輕載降頻、提高VCC都不一定有效，但是采用某些電壓模式控制芯片，可能會避免此問題)。低壓輸入，輸出功率很大時，電感電流斜率較緩，CS采樣電壓(電阻/互感器)可能很容易受到干擾，如果負載變化較大，也可能會導致CS端采樣異常。也不是所有電流模式芯片均比電壓模式芯片要好，這需要綜合考慮各種因素，包括外圍電路的復雜程度。 

超高壓輸入時，KRP應該設置較大(最好是QR模式)，開關損耗會較低；

超低壓輸入時，KRP應該設置較小(最好是深度CCM模式)，漏感會較低；

推薦KP=KRP選取法則

對于FLY的關鍵參數的設計就是先設計好電氣參數，如初次級的電壓、電流應力，評估各種損耗溫升，考慮到PWM芯片、MOS、二極管各種的特點(先確定好)，讓FLY-反激變換器工作在最佳的工作狀態。根據這個最佳的電氣參數，我們來設計變壓器參數，如NP、NS、氣隙等等，最后通過更換磁芯或是微調變壓器的參數結構設計，讓整個變換器都工作在最合理的狀態。參考上面的VRO=80V和VRO=90V的EXCEL的計算表格參數；

對于FLY的設計可以直接引用一些PI的資料，特別是設計流程、軟件操作、芯片資料、包括部分設計思路等等都非常的簡單易學！單并不代表PI的設計理念比其他公司更優秀，多年的PI產品的設計應用是我更熟悉些和了解，而且這些資料都有中文版本，內容詳實，方便初學者追根溯源。 

PI的變壓器設計軟件其實是非常不錯的入門工具，熟練了也可以把它用來設計其它類型的芯片。現在又可以用來設計PFC、正激、LLC等拓撲，已經非常強大了，建議初學者可以多花點時間學習！細節后續再進行補充！