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精華問答一（寬禁帶直播交流群）
緣分:
請問一下，CAN芯片5腳懸空行嗎？CAN布線有講究不？
風(fēng)雨同舟:
有，高速的。
緣分:
用等長或是不允許別線交叉。
風(fēng)雨同舟:
盡量布在輸出端。
省錢高手怪點點:
不需要。
Dimon:
@緣分?你距離長的話，串canh59Ω，串canl59Ω；距離短，懸空沒事，外界干擾多的話也建議加一下。
緣分:
往哪里加59？
Dimon:
5-6 5-7之間。
省錢高手怪點點:
為啥59？
緣分:
5腳不是應(yīng)該接vcc/2電壓嗎？
Dimon:
5角是個基準電平，以這個基準來解析canh和canl的電信號。@省錢高手怪點點 canh 和canl 之間阻抗掛120Ω，為了匹配基準電平，應(yīng)該是60Ω
省錢高手怪點點:
那為啥是59不是60呢？
Dimon:
60Ω電阻不常見，不在標準電阻之列，用59居多。如果5腳懸空，canh和canl之間接120Ω。如果要引入5腳，就分別接120Ω的一半。
省錢高手怪點點:
那如果總線上有10個設(shè)備呢？
Dimon:
理論做法是首尾加120Ω。實際就我個人來看，一般使用中每個節(jié)點都加，沒太大影響。
風(fēng)雨同舟:
公司串了5.1K電阻，阻值大小和 canh 、canl電壓有關(guān)吧？
Dimon:
看你節(jié)點數(shù)。120Ω都只是經(jīng)驗值，還要算線長啥的，反正我都不計算，直接掛兩個59Ω，計算是為了 更好的特征阻抗匹配，經(jīng)驗值拿起來就用省事。@風(fēng)雨同舟?你說的串5.1k是canh 和canl的上下拉電阻吧？常見的還有1k。canh和canl 之間一般都是120Ω左右 。就是系統(tǒng)計算也不會差別那么大，也許是我沒接觸過canh和canl之間串那么大的。
緣分:
用加TVS管嗎？
Dimon:
加tvs只是保護，通信總線，你不加不影響正常使用。
緣分:
是保護CAN芯片嗎？為什么SW_3V3用0歐電阻而不像其它那樣用磁珠呢？
電子白板專用電源:
實際就是為了EMI，布線而設(shè)定的。
緣分:
0歐電阻是為了EMI?
電子白板專用電源:
這個電路是為了EMI，0是為了布線不糊涂。3V3,SW_3V3 實際都是3.3V,GND，SW_GND，實際都是地。但是他們又不能交叉，所以用0歐姆最后接在一起。
緣分:
磁珠也是嗎？
電子白板專用電源:
磁珠也可以，但是磁珠還有另外的意思，濾波。這個電路應(yīng)該是用于ARM 系列的高速板。
精華問答二（PSIM仿真技術(shù)交流群）
旅行zhai:
各位好！第一個是軟件里的電路PFC電感電流波形，第二個是我復(fù)制了一個，但是第二個PFC電感里的仿真波形就不對了，為什么？
Nemo:
仿真時間設(shè)置不同
August:
那個像時鐘一樣的也要一樣，左上角那個。
旅行zhai:
這個時間影響波形嗎？時間是不一樣。
August:
步長要一樣。
旅行zhai:
我再重新設(shè)置一下。
精華問答三（電源學(xué)習(xí)1營）
王瑞 :
請教個問題，在筆記本充電時，對于3S1P電池（標壓11.5V）charge IC輸出給電池的充電電壓是多少？是13.2V（電芯滿充電壓4.4V*3）還是15V（5V*3）？謝謝
前任吉他手:
現(xiàn)在的鋰離子電池充電限制電壓4.4V居多，4.4x3=13.2V。鋰離子電池充電限制電壓有4.2V4.35V4.4V等幾個版本，具體看電池的技術(shù)規(guī)格書。
王瑞:
@張海濤-助理工程師-成都?感謝答復(fù)，不太理解的是，看華為/opo的手機charge IC給電池的都是5V（盡管電池也是4.4V的禁充電壓）
德考拉:
這個要看電池，電池的種類很多?？磸S家要求。
前任吉他手:
手機內(nèi)部有充電電源管理ic，會把5V降壓到4.4以下。不是所有手機的充電，都是5V，具體看手機的快充充電協(xié)議。
德考拉:
二極管有0.7v壓降。
緣分:
9v
德考拉:
說的對，現(xiàn)在還有9 12的，12v
前任吉他手:
最終電池終端的電壓都是4.4V以下，你知道這個就OK
悠然山主:
5/9/12/15/18/20，主流充電頭，看你的充電協(xié)議。
王瑞:
@悠然山主?謝謝，請問這是筆記本的嗎？
前任吉他手:
筆記本一般19.2V和20V居多，19.5V的也有。筆記本電腦19v19.5v20v比較主流，也有12V的。@王瑞?
王瑞:
感謝！
精華問答四（Altium設(shè)計學(xué)習(xí)1營）
緣分:
走線交叉處能加滴淚嗎？
Chu_yi:
可以的，用快捷鍵T+R進入設(shè)置界面，然后選擇你要加淚滴的方式和樣式。
波浪濤濤:
英文模式下輸入，別用快捷鍵。
javike:
常規(guī)操作
Farmer_劉:
走線交叉處能加滴淚有好處，差點的銅箔不容易剝離。
緣分:
這個標志要自已畫嗎？
繁星:
軟件是AD還是cadence
緣分:
Ad
繁星:
找個圖片用畫圖板改成黑白的PNG格式，在腳本里倒入就可以了。具體教程網(wǎng)上查一下，有很多。
緣分:
ok
精華問答五（PSIM仿真技術(shù)交流群）
緣分:
這個二極管在這里有用嗎？
古月填作胡:
吸收線圈的反向電流。
緣分:
4148行嗎，用不用改肖特基？
只色不戒:
速度越快越好。
緣分:
快恢復(fù)二極管。
古月填作胡:
4148可以。
江玉霖:
感性器件需要續(xù)流。
昨夜星辰:
蜂鳴器的一端都接地了，這個二極管就沒必要了。
精華問答六（電源網(wǎng)活動福利群）
武略的朋友:
請教一下mos管的導(dǎo)通損耗如何計算，有例題最好。
王生-功率mos:
@武略的朋友?MOS規(guī)格書上都有，看耗散功率。
武略的朋友:
Mos的開關(guān)損耗，這個一般都是要計算的。
張夜雨:
損耗 = 導(dǎo)通損耗 + 開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗 = I^2*Rd，開關(guān)損耗：開通過程損耗 + 關(guān)閉過程損耗
昨夜星辰:
這個算的其實也不準，它的不同溫度下啊，RdS也不一樣。
張夜雨:
所以一般手冊上都給給一個測試條件，比如25度條件下的測試值。
武略的朋友:
@張夜雨?有公式?jīng)]？這需要量化。
張夜雨:
開通過程和關(guān)閉過程的比較復(fù)雜，我還真沒認真算過，一般就算了個導(dǎo)通損耗。
武略的朋友:
@張夜雨?謝謝。
武略的朋友:
開通過程損耗和關(guān)閉過程損耗這兩個損耗怎么計算呀?@張夜雨?
張夜雨:http://www.elecfans.com/d/1008046.html，你參考一下。
武略的朋友:
謝謝。
精華問答七（MOSFET學(xué)習(xí)2營）
林國榮:
請教一個問題，為什么開關(guān)電路中，有些MOS管在關(guān)斷時DS尖峰電壓超過了他的耐壓值不出現(xiàn)異常，能吸收能量不大的尖峰，有些品牌的不行。是那個參數(shù)問題，可以有效測試出來對比嗎？
國瓷電容(MLCC):
這個是芯片問題，有些芯片抗壓能力超強。正常芯片>600V的應(yīng)該瞬間可以去到720的。
張碩:
我也有這個疑問，耐不耐搞是不主要是續(xù)流二極管強不強啊
林國榮:
@國瓷電容(MLCC)?正常的超過自己的耐壓會鉗位的！
國瓷電容(MLCC):
這要看芯片設(shè)計，正如剛才張工所說，續(xù)流二極管作用；有些芯片設(shè)計不一樣。其實可以把芯片剖開，看看里面損壞為電壓還是電流還是其它因素，然后再來分析最好。
張碩:
謝謝。
林國榮:
怎么看是電壓損壞還是電流損壞？
吳享林:
邊緣柵極處有小的擊穿點基本上是電壓型損壞，中間有大面積擊穿的是電流型損壞。
林國榮:
奮斗:
可以理解這個是電壓損壞對嗎？@吳享林?
林國榮:
我們在這個全橋電路中使用的IFR3205(國產(chǎn)代替品）
吳享林:
是的。
奮斗:
好的，謝謝。
豬:
我看著有大面積損壞，為啥不叫電流型損壞。
林國榮:
有可能電壓損壞后再大電流損壞！
奮斗:
并聯(lián)使用，只要一個電壓損壞了，其他的驅(qū)動不會停，就是電流損壞。
精華問答八（MOSFET學(xué)習(xí)2營）
豬:
各位，數(shù)字電源和模擬電源中間為啥加了一個磁珠和電阻？
深圳市芯茂微電子:
抗干擾，EMC。
豬:
我之前見得都是加磁珠，為啥還加個電阻呢？
張碩:
那是虛線，你看這資料是不給你提供了參考電源的電路啊。
人到中年:
數(shù)字地干擾大，數(shù)字電路自身抗干擾好一些，模擬電路抗干擾差，用0歐電阻獨立分開，兩種回路電流不互相影響，減少干擾
黃遠鋒:
磁珠主要濾高頻10MHz以上，電阻抗低頻干擾，犧牲點效率。
豬:
好的，感謝。