LDO英文low dropout regulator，意為低壓差線性穩壓器，是相對于傳統的線性穩壓器來說的。

傳統的線性穩壓器，如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上，否則就不能正常工作。

但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v，顯然是不滿足條件的。

針對這種情況，才有了LDO類的電源轉換芯片。

LDO 是一種線性穩壓器，線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。

所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。

正輸出電壓的LDO(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體管作為 PNP，這種晶體管允許飽和，所以穩壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右。

與之相比，使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線性穩壓器的壓降為 2V 左右，負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類似。

更新發展使用的 CMOS 功率晶體管，它能夠提供最低的壓降電壓，使用 CMOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降，是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的，如果負載較小，這種方式產生的壓降只有幾十毫伏。

DC-DC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換)，只要符合這個定義都可以叫DC-DC轉換器，包括LDO，但是一般的說法是把直流變(到)直流由開關方式實現的器件叫DCDC。

LDO是低壓降的意思，低壓降(LDO)線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優點，它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。

新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出噪聲30μV，PSRR為60dB，靜態電流6μA，電壓降只有100mV。

LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在于其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體管。

P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流。

另一方面，采用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低。

而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導通電阻的乘積，由于MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。

如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。

所以，在把鋰離子電池電壓轉換為3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。

雖說電池的能量最后有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。

如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關型的DC-DC了，因為從上面的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等于輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。

DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路，DC-DC轉換器的優點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。

隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器，僅需要幾只外接電感器和濾波電容器，但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關噪音較大、成本相對較高。

近幾年來，隨著半導體技術的發展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低，體積越來越小。

由于出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。

例如對于3V的輸入電壓，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出，其次，對于中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。

另外，如果開關頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。

有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。

總的來說，升壓是一定要選DC-DC的，降壓是選擇DC-DC還是LDO，要在成本，效率，噪聲和性能上比較。