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1.電容器的并聯(lián)
有效的容性去耦是通過在PCB上適當(dāng)位置放置電容器來實(shí)現(xiàn)的。在實(shí)際應(yīng)用中,兩個(gè)電容并聯(lián)使用能提供更寬的抑制帶寬。
不同容值電容并聯(lián)克服非理想特性
如上圖所示,采用一個(gè)大電容和一個(gè)小電容比如0.1uF和100pF兩個(gè)去耦電容單獨(dú)使用和并聯(lián)使用的曲線。由圖可知,當(dāng)不同電容器并聯(lián)使用時(shí),出現(xiàn)了一個(gè)例外的情況。假如,0.1uF電容器的自諧振頻率為15MHz,100pF電容的自諧振頻率是150MHz。在100MHz以上,并聯(lián)電容的結(jié)合阻抗有一個(gè)很大的上升,那是因?yàn)樵?00MHz以上,0.1uF電容變成了感性,而100pF電容仍為容性,這樣在這個(gè)頻率頻率范圍內(nèi)形成了一個(gè)并聯(lián)諧振LC電路。
不同容值并聯(lián)電容的諧振
如上圖所示,采用兩個(gè)不同電容并聯(lián)時(shí),在諧振時(shí)既有電感也有電容,因此會有一個(gè)反共諧振點(diǎn),在這些諧振點(diǎn)周圍,并聯(lián)電容表現(xiàn)的阻抗要大于它們單個(gè)使用時(shí)的阻抗,如果在這個(gè)點(diǎn)附近要滿足EMI要求,這就是一個(gè)不合適的位置。因此,兩個(gè)并聯(lián)電容必須要有不同的數(shù)量級。比如0.1uF和0.001uF或者容值相差100倍以上的關(guān)系,可以達(dá)到最佳的效果。容值相差100倍以上是為了讓反共諧振頻率范圍變得更窄一些。
為了優(yōu)化并聯(lián)去耦的效果,也需要減小電容內(nèi)的引線電感。同時(shí),當(dāng)電容裝到PCB上時(shí)會有一定值得走線電感存在。注:這個(gè)線長包括連接電容器到平面的過孔的長度。并聯(lián)去耦電容的PCB走線越短,去耦效果就越好。
另外,兩個(gè)相同容值的電容器并聯(lián)也可以提高去耦的效果和頻率,這是因?yàn)殡娙萜鞑⒙?lián)后等效的串聯(lián)電阻ESR和等效串聯(lián)電感ESL減小,對于多個(gè)同樣同樣值的電容器比如數(shù)量為n,采用并聯(lián)方式使用后,等效電容變?yōu)閚·C,等效電感變?yōu)長/n,等效電阻變?yōu)镽/n,但諧振頻率不變。同時(shí),從能量的角度考慮,多個(gè)電容器的并聯(lián)能向被去耦的器件提供更多的能量。
在使用并聯(lián)電容器的應(yīng)用時(shí)注意:
1)采用相同值的并聯(lián)電容器將增加凈電容,降低ESL和ESR。減少ESL和ESR是最重要的性質(zhì)。好的設(shè)計(jì),噪聲優(yōu)化會達(dá)到6dB的改進(jìn)(用多個(gè)較小的電容器取代一個(gè)電容器)。
2)如果電容值是不同的,反共振頻率點(diǎn)將會發(fā)生。進(jìn)行設(shè)計(jì)選擇電容值時(shí),使反共振不會發(fā)生在產(chǎn)生的信號的諧波,即開關(guān)或過渡頻率點(diǎn)。
2.電容受溫度的影響
由于電容中的介質(zhì)參數(shù)受到溫度變化的影響,因此電容器的電容值也隨著溫度變化。不同介質(zhì)隨溫度變化的規(guī)律不同,有些電容器的容量當(dāng)溫度升高時(shí)會減小70%以上,常用的濾波電容為瓷介質(zhì)電容,瓷介質(zhì)電容器有超穩(wěn)定型,比如COG或NPO;穩(wěn)定型,比如X7R;通用型,比如Y5V或Z5U共三種。不同介質(zhì)的電容器的溫度特性如下圖所示。
不同介質(zhì)電容器的溫度特性
如圖所示,COG電容器的容量幾乎隨溫度沒有變化,X7R電容器的容量在額定工作溫度范圍變化在12%以下,Y5V電容器的容量在額定工作溫度范圍內(nèi)變化70%以上。這些特性是需要注意的,否則會出現(xiàn)濾波性能在高溫或低溫時(shí)性能變化而導(dǎo)致產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)生電磁兼容問題。
COG介質(zhì)雖然穩(wěn)定,但介質(zhì)常數(shù)較低,一般為10~100,因此當(dāng)體積較小時(shí),容量較小。X7R的介質(zhì)常數(shù)高很多,為2000~4000,因此較小的體積也能產(chǎn)生較大的電容,Y5V的介質(zhì)常數(shù)最高,為5000~25000。
在設(shè)計(jì)應(yīng)用時(shí),設(shè)計(jì)工程師通常選用電容器時(shí),片面追求電容器的體積小,這種電容器的介質(zhì)雖然具有較高的介質(zhì)常數(shù),但溫度穩(wěn)定性會很差,從而導(dǎo)致產(chǎn)品及設(shè)備溫度特性變差。這在選用電容器時(shí)要特別注意,特別是在軍用設(shè)備中。
3.電容受電壓的影響
電容器的電容量不僅隨著溫度變化,還會隨著工作電壓變化,這一點(diǎn)在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中也要注意。不同介質(zhì)材料的電容器的電壓特性如下圖所示。
電容器的電壓特性
如圖所示,X7R電容器在額定電壓狀態(tài)下,其容量降為原始值的70%,而Y5V電容器的容量降為原始值的30%。了解這個(gè)特性后,在選用電容時(shí)要在電壓或電容容量上留出余量,否則在額定工作電壓狀態(tài)下,濾波器會達(dá)不到預(yù)期的效果。
綜合考慮溫度和電壓的影響時(shí),電容的變化如下圖所示。
電容器件的溫度/電壓特性
電容器的本體外表面上通常會標(biāo)示出電容容量值,稱為電容器的標(biāo)稱容量。標(biāo)稱容量與實(shí)際容量之間的偏差與標(biāo)稱容量之比的百分?jǐn)?shù)稱為電容器件的允許誤差。常用電容器件的允許誤差有±0.5%、±1%、±5%、±10%、±20%。
電容器在使用時(shí),允許加在其兩端的最大電壓值稱為工作電壓,也稱為耐壓或額定工作電壓。使用時(shí),外加電壓最大值一定要小于電容器件的額定工作電壓,通常推薦外加電壓應(yīng)在額定工作電壓的2/3以下。
電容器的絕緣電阻表征電容器的漏電性能,在數(shù)值上等于加在電容器兩端的電壓除以漏電流,絕緣電阻越大,漏電流越小,電容器件質(zhì)量越好。品質(zhì)優(yōu)良的電容器件具有較高的絕緣電阻,一般在兆歐級別以上。電解電容器的絕緣電阻一般比較低,漏電流較大。
注意:電容器件產(chǎn)生的干擾噪聲問題。當(dāng)電容器件使用不當(dāng)會造成噪聲源。比如電解電容器件用作電源濾波或脈沖耦合電容。在處理微小信號的電路中,這些電容會因?yàn)槁╇娀蚱渌虮热鐪囟茸兓纬尚碌脑肼曉础T俦热纾陂_關(guān)電源中的高壓MOSFET器件等輸入阻抗電路的旁路電容,若容量發(fā)生變化,也會產(chǎn)生噪聲。
作者簡介:杜佐兵
電磁兼容(EMC)線上&線下高級講師
杜佐兵老師在電子行業(yè)從業(yè)近20年,是國家電工委員會高級注冊EMC工程師,武漢大學(xué)光電工程學(xué)院、光電子半導(dǎo)體激光技術(shù)專家。目前專注于電子產(chǎn)品的電磁兼容設(shè)計(jì)、開關(guān)電源及LED背光驅(qū)動設(shè)計(jì)。