目前測(cè)試電機(jī)波形的方式我看很少有人來講，今天說說測(cè)試上下管的準(zhǔn)備工作

     測(cè)試上管一般使用差分探頭測(cè)試GS和DS的電壓波形，測(cè)試下管用單端即可，當(dāng)然沒有差分探頭，也可以使用單端測(cè)試，參考地要選擇電機(jī)的功率低，一般對(duì)于低速高壓信號(hào)，說點(diǎn)題外話：layout不建議分太多地，否則會(huì)造成參考地過小，回流路徑過大，干擾也越大，一般高低各一個(gè)地就好了，我看好多人設(shè)計(jì)都是將地分割很多部分，根據(jù)多年產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)來說，高速低速高壓低壓數(shù)字模擬也不是絕對(duì)要分割開的，如果速率不快的電路可以數(shù)字模擬一個(gè)地，單獨(dú)加磁珠隔離下，高低壓這個(gè)最好要分隔開，根據(jù)能量來算，能量越大輻射干擾能力肯定是越強(qiáng)，干擾都是以能量的形式散發(fā)的，好了，這里就不多講了，感興趣的大家可以討論。

這是測(cè)試過程中的GS回勾，一般我們選用的mos導(dǎo)通閾值一般是2v左右或者是3v導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候的回勾有誤導(dǎo)通情況，這樣當(dāng)下管打開的時(shí)候，上下管會(huì)出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，這樣電源馬上就會(huì)短路了，輕則燒mos，重則燒板子，這個(gè)時(shí)候就要選用閾值稍微高點(diǎn)的mos，當(dāng)回勾的尖峰電壓低于導(dǎo)通mos，這個(gè)時(shí)候是比較符合需要的，一般調(diào)整GS端預(yù)留的參數(shù)，至于怎么調(diào)整，這里不做過多的贅述。

還有這種波形出現(xiàn)，這個(gè)也需要調(diào)整，

一般做法是：

1.增大上橋RG電阻，減緩柵極充放電速度；

2.DS之間并聯(lián)RC阻容；

3.適當(dāng)增加Cgs電容。