這個(gè)電路圖來(lái)自德州儀器的技術(shù)文檔ZHCABK5：電流檢測(cè)放大器的滿量程和動(dòng)態(tài)范圍注意事項(xiàng)。
電路采用INA190進(jìn)行高端電流采樣，采用兩顆采樣電阻Rshut1和Rshunt2。小電流時(shí)，PMOS截止，INA190采樣Rshunt1和Rshunt2兩個(gè)電阻上的壓降。大電流時(shí)，PMOS導(dǎo)通短路Rshunt1，INA190采樣Rshunt2兩端的壓降（MOS的導(dǎo)通電阻忽略不計(jì)）。
電路值得學(xué)習(xí)討論的地方有兩點(diǎn)：
1.三極管驅(qū)動(dòng)PMOS為什么不使用電阻分壓的方式驅(qū)動(dòng)？而是使用穩(wěn)壓管作為分壓？例如下圖我們常見(jiàn)的三極管控PMOS電阻分壓原理圖：
這一點(diǎn)我認(rèn)為使用穩(wěn)壓管分壓可能是為了增快PMOS的導(dǎo)通速度，因?yàn)槿绻褂秒娮璺謮旱姆绞饺ヲ?qū)動(dòng)PMOS，電阻限制Cgs充電速度，從而會(huì)導(dǎo)致PMOS開(kāi)啟相對(duì)慢一些。例如下圖是簡(jiǎn)化的電路，可以看到使用穩(wěn)壓管作為驅(qū)動(dòng)，可以讓電容Cgs兩端電壓爬升的更快。
2.為什么PMOS的畫(huà)法和常規(guī)畫(huà)法不一樣？為什么是漏極接VCC，源極接負(fù)載？這樣可以控制嗎？
關(guān)于這一點(diǎn)可以很負(fù)責(zé)的說(shuō)，這樣畫(huà)也是是可以控制的，因?yàn)橹灰_保被并聯(lián)的電阻兩端電壓不超過(guò)寄生二極管的壓降（就像TI這份文檔中的Rshunt1的兩端電壓最大為0.1V），此時(shí)Rshunt1的兩端壓降也不足以讓PMOS的寄生二極管導(dǎo)通，所以這種用法和常規(guī)用法一樣控制邏輯。并且這種用法我也在其他的一些這種量程切換電路上也見(jiàn)到了兩三次。
那么ZHCABK5中的這種用法相對(duì)常規(guī)的用法能帶來(lái)什么好處呢？我問(wèn)了下網(wǎng)友，網(wǎng)友說(shuō)大概是可以利用PMOS的寄生二極管鉗位達(dá)到保護(hù)Rshunt1采樣電阻，為了防止電流過(guò)流而PMOS還未導(dǎo)通，防止燒電流采樣電阻。我認(rèn)為這種說(shuō)法應(yīng)該是正確的。這種二極管的鉗位保護(hù)在胡博的丐中丐電流源中也有所使用（D6和D7），不過(guò)是使用的外置二極管。
