驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術背景，然后詳細講解如何正確理解和應用驅動器的相關功能。
現在市場上功率半導體器件IGBT，MOSFET，SiC MOSFET和GaN，大都是電壓柵控器件，驅動起來比電流型雙極性晶體管BJT容易得多，只需要有限的電荷給柵極電容充電，但問題是很容易受干擾，除了米勒電流造成的誤導通以外，由于其它種種原因，柵極電壓被抬高后，也會帶來短路風險導致損耗增加，甚至影響器件壽命，損壞柵極。
柵極鉗位
前文《驅動電路設計（八）---米勒鉗位雜談》已經提過，在功率器件開關過程中，由于C-E（D-S）間的dv/dt快速變化，會通過米勒電容產生位移電流，給柵極電容充電。這樣可能會抬高功率器件的柵極電壓，特別是當關斷過電流和短路電流時。
IGBT短路時，其短路電流ISC短路電流是由柵極電壓決定的：
因此，將柵極電壓限制在某一合理的最大值很重要，這樣可以使得短路電流的值不至于過大，不會超出最大的短路能量。圖1給出了某種1200V IGBT柵極電壓、短路電流和最大短路時間的關系。如果柵極鉗位能很好限制短路時最大的柵極電壓，那么也就限制了最大的短路電流。
圖1. 柵極電壓、短路電流和最大短路時間之間的關系
圖2a和2b給出兩種不同的柵極鉗位方法。首先，可以利用一個單向或雙向的TVS二極管接在IGBT VT1的柵極和發射極之間。當柵極電壓超過TVS二極管的擊穿電壓后為低阻抗的通路，實現迅速泄放的目的?？紤]誤差和溫度的影響，即：
另外一種柵極鉗位的方法是通過二極管VD2直接將柵極和驅動電源電壓連接，因此柵極電壓被限制在電源電壓加上二極管正向壓降之內。當驅動輸出級是軌對軌輸出時，鉗位到電源是個好辦法。當電源電壓為+15V時，如果出現短路，柵極電壓可以有效地被限制在+16V以內。
(a) BJT升壓電路
(b) MOSFET升壓電路
圖2. 柵極鉗位
在選擇TVS管時，要注意擊穿電壓的最大值和最小值之間通常都會有一個較寬范圍，如圖3所截取的數據手冊所示。除了考慮最大值，還需要考慮溫度的影響，一般擊穿電壓會隨溫度升高而增大，另外溫度升高后會使二極管的額定耗散功率降低，如圖4所示。
圖3. 飛兆半導體的SMBJ5V0(C)A—SMBJ170(C)A系列TVS二極管數據手冊
圖4. 脈沖功率降額曲線
在選擇電源鉗位二極管時，必須保證在高溫下，二極管的漏電流或反向電流IR較低。如果反向電流太高，就成為驅動器電源不必要的負載，反向電流也會造成關斷狀態的功率器件柵極電壓的被抬高。這時，如果沒有RGE，驅動級對地具有高阻抗，甚至接近或超過功率器件的開通閥值電壓，在一些不利條件下，功率半導體會由于這樣的原因出現寄生開通。
與PN結二極管相比，肖特基二極管的正向電壓很低，因此非常適合用于電源鉗位。而選用PN結二極管后鉗位電壓至少為17V，特別是在BJT輸出的柵極驅動中，圖2a。當肖特基二極管用于MOSFET推挽輸出級時，有可能把柵極電壓UGE鉗在+15V，圖2b。
相比于PN結二極管，肖特基二極管的缺點在于它們在高溫時反向漏電流更高。因此必須根據其反向電流的特征選擇合適的肖特基二極管。圖5a是快恢復PN二極管，圖5b為肖基特二極管的漏電流特性。注意肖基特二極管的漏電流比硅快恢復二極管大很多。
圖5. 肖特基二極管和快恢復PN二極管的IR=f(UR,Tj)特性
設計中還有一個問題也很重要，為了不對柵極鉗位產生影響，柵極電壓和電源之間的寄生電感應該盡可能的小，這也是功率器件應用的一般原則。
柵極鉗位也不適合用于每個周期的正常開關過程。鉗位時，驅動級電流會有一部分注入鉗位二極管，這會造成驅動負載不必要的增加。所以在選擇器件時，應保證其VRWM（最大反向工作電壓）不低于且盡可能接近于被保護線路的正常最大工作電壓，比如說15V。
主動關斷電路
EiceDRIVER™ Compact 1ED314x對付米勒電流采用另外一種思路---主動關斷功能。是驅動器的一項保護功能，其設計目的是防止功率開關柵極懸浮時的誤導通。
如果驅動器失去電源，即VCC2掉電，驅動器的主動關斷電路就動作，供電是驅動器所連接柵極的浮動電壓。
如果開關上出現高速的dUCE/dt，就會產生米勒電流，主動關斷電路一樣可以提供米勒鉗位，即使柵極驅動器沒有接通電源，主動關斷電路也會利用該電壓為自己供電，并主動將柵極拉低。
圖6. EiceDRIVER™ Compact 1ED314xMU12的主動關斷
柵極鉗位設計原則
柵極電壓鉗位是功率半導體可靠工作的必要條件，實現的方法是多種多樣，設計中要抓住要點：
1.鉗位電壓以精確為好
2.鉗位電路不要成為驅動的負載
3.鉗位電路不能在正常工況時被觸發
系列文章
驅動電路設計（一）——驅動器的功能綜述
驅動電路設計（二）——驅動器的輸入側探究
驅動電路設計（三）---驅動器的隔離電源雜談
驅動電路設計（四）---驅動器的自舉電源綜述
驅動電路設計（五）——驅動器的自舉電源穩態設計
驅動電路設計（六）——驅動器的自舉電源動態過程
驅動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用
驅動電路設計（八）——米勒鉗位雜談
參考資料
1.英飛凌工業半導體驅動技術合集
2. IGBT模塊：技術、驅動和應用 機械工業出版社
3. Datasheet EiceDRIVER™ 1ED332xMC12N Enhanced (1ED-F3)
4. AN 2022-03 EiceDRIVER™ F3——具有短路保護功能的單通道增強型隔離柵極驅動器系列
5. AN-2021-03 Technical description 1ED324xMC12H_1ED325xMC12H Application Notes