最近2個月，一家上市國產公司的DSP文章滿天飛，大招放了又放，各路朋友微信小二聽過沒有，怎么樣... 

小二其實很簡單，看規格和文檔質量就好了；發現沒有任何資料后，小二內心一顫，還真是敢玩啊

也許對于這家公司的高層來說，這種營銷的感覺是一魚三吃：

• 上市公司的市值管理，畢竟每年虧這么多，不放新聞怎么割韭菜
• 控股的公司需要下一輪融資，也是為下一次融資站臺
• 廣而告之，獲客，也是為下一次融資鋪墊

小二在看完朋友發個我的手冊之后，內心是：

• 過于營銷。

為什么是這個感覺，小二結合DeepSeek給你分析

手冊宣稱通過了AEC-Q100認證，Grade 1

問題：汽車MCU芯片，Grade 1標準 ，可以選用結溫度85°C下保持10年的Flash IP嗎？

DeepSeek：

汽車MCU芯片的Grade 1標準要求芯片在-40°C到125°C的環境溫度下正常工作，且需具備高可靠性和長壽命。對于Flash IP的選擇，結溫度（Tj）85°C下保持10年的要求是否適用，需考慮以下幾點：

• Grade 1標準：Grade 1要求芯片在高溫環境下（如125°C）仍能穩定運行，因此Flash IP的耐久性和數據保持能力需滿足這一標準。
• 結溫度（Tj）：結溫度是芯片內部的實際工作溫度，通常高于環境溫度。若Flash IP在Tj=85°C下能保持10年，需評估其在更高環境溫度下的表現是否仍能滿足Grade 1要求。
• 可靠性要求：汽車電子對可靠性要求極高，Flash IP需在高溫、高濕、振動等條件下保持穩定，且耐久性（如擦寫次數）和數據保持能力需滿足汽車應用的需求。
• 供應商認證：選擇Flash IP時，需確保供應商通過相關汽車電子認證（如AEC-Q100），并能在Grade 1條件下提供可靠的性能數據。

結論：僅憑Tj=85°C下保持10年的數據，無法直接判斷該Flash IP是否滿足Grade 1要求。需進一步評估其在更高溫度下的性能，并結合供應商的認證和可靠性數據進行綜合判斷。建議與供應商溝通，確保其產品符合Grade 1標準。

小二思考：

AEC-Q100 Grade對環境溫度要求是125°C環境溫度，一般結溫度至少135°C，一家AEC-Q100的數據手冊里面寫85°C的結溫度，從哪個角度都說不過去；

問題：AEC-Q100 Grade 1測試對于芯片批次數目和芯片數目的總要求

DeepSeek：

此處省略錯誤的分析過程

總結

AEC-Q100 Grade 1測試要求至少3個生產批次，每個批次至少77顆芯片，總計至少231顆芯片。這些要求旨在確保芯片在不同生產批次和嚴苛環境下的可靠性和一致性。

小二明確指出DeepSeek的結果錯誤，開啟了深度思考模式和聯網模式

問題：因為AEC-Q100的實驗有很多類別，不同類別的芯片需求數不一樣，所以你的一個批次只需要77顆是錯的。你能找到更詳細的測試規范并更新結果嗎

DeepSeek也是更正了答案：

根據AEC-Q100標準的具體測試規范，不同測試序列和測試項目對芯片樣本數量的要求確實存在顯著差異，并非所有測試均固定為每批次77顆。以下是基于最新搜索結果的詳細分析及更新后的結論：

---

1. 批次與樣本數量的核心規則

至少3個獨立生產批次：所有測試樣品必須來自3個不同的生產批次（Lot），以確保工藝穩定性和結果代表性。

樣本數量因測試組而異：不同測試序列（Group A-G）中的具體測試項目對樣本量的要求不同，部分測試需要多個批次的樣本疊加，部分測試僅需單一批次。

2. 關鍵測試組的樣本數量要求

以下列舉部分測試組的具體樣本要求（以Grade 1為例）：

測試組A（環境壓力加速測試）

• A1預處理（PC）：每個批次77顆，總計231顆（3批×77）。
• A2溫濕度偏壓（THB/HAST）**：每個批次77顆。
• A3高壓/無偏壓測試（AC/UHST）**：每個批次77顆。
• A4溫度循環（TC）：每個批次77顆。
• A5功率溫度循環（PTC）：每個批次45顆，總計135顆（3批×45）。
• A6高溫存儲壽命（HTSL）：每個批次45顆。

測試組B（使用壽命模擬測試）

省略...

測試組C（封裝組裝完整性測試）

省略...

測試組G（腔體封裝完整性測試）

省略...

3. 總樣本量的復雜性

無法統一計算：由于不同測試項目對批次和樣本量的要求差異較大，總樣本量需根據具體測試組合累加。例如：

• ELFR測試（B2）：單批次800顆。
• VFV測試（G2）：單批次15顆。
• HTOL測試（B1）：3批次共231顆。
• 部分測試需跨批次：如序列A中的某些測試需從3個獨立批次各抽取77顆，而序列B的ELFR僅需單批次。

4. 核心原則與零失效要求

• 零失效（Zero Defect）：所有測試項目均要求樣本在測試后無任何功能或性能失效。
• 測試條件適配性：樣本量和測試時間需根據芯片的Grade等級（如Grade 1或Grade 2）調整。例如，Grade 1的HTOL測試需在125°C下進行1000小時，而Grade 2可能縮短至408小時。

5. 總結與建議

• 具體測試決定樣本量：芯片廠商需根據AEC-Q100的測試清單（如Group A-G的42項測試）逐項核對樣本要求，而非統一按每批次77顆計算。
• 重點關注高樣本量測試：如ELFR（800顆）、HTOL（231顆）等，可能成為資源投入的重點。
• 供應商與實驗室協作：建議與認證實驗室（如賽寶實驗室、華南檢測等）合作，針對具體芯片類型定制測試方案。

如需完整的測試項目與樣本量對照表，可參考AEC-Q100 Rev-H標準文檔或聯系專業檢測機構獲取詳細數據。

小二思考：

AEC-Q100 Grade 1 要求不高，也不低，但是一個初創公司的產品，需要在剛剛量產后通過AEC-Q100認證，基本是不可能的，因為一個批次的投片生產周期基本也是4個月+的時間；三個批次全部投片完成，基本也需要半年時間了； 

很多公司會宣傳符合AEC-Q100要求，但是敢隨意寫通過AEC-Q100認證的，小二是長見識了；也是歡迎這家公司能夠曬出AEC-Q100證書排疑；

小二專門看了下手冊里面的功耗數據，全是空白！一個宣傳過了AEC-Q100的芯片功耗數據全是空白，等同于什么呢...  不敢想象給客戶帶來的風險得有多高....

問題：MCU滿足ISO26262 ASIL-B要求，Flash及SRAM是否需要做ECC

DeepSeek：

根據ISO 26262標準的要求，MCU芯片若需滿足ASIL-B功能安全等級，其Flash（閃存）和SRAM（靜態隨機存儲器）通常需要支持ECC（糾錯碼）機制，以應對隨機硬件失效風險。以下是具體分析：

省略....

5. 總結與建議

• ASIL-B推薦支持ECC：從實際產品設計和認證案例看，支持ECC是滿足ASIL-B要求的典型方案，尤其是Flash和SRAM等關鍵存儲器。
• 需結合安全分析：是否采用ECC需通過危害分析與風險評估（HARA）確定，確保所有潛在失效模式均被覆蓋。
• 供應商選擇：建議優先選擇已通過ASIL-B認證且明確支持ECC的MCU產品，以降低開發風險。 

如需進一步驗證，可參考ISO 26262-5:2018中關于硬件安全機制的說明，或聯系認證機構（如DEKRA、TÜV等）獲取詳細要求。

小二思考：

從手冊資料看，沒有Flash支持ECC的介紹，SRAM也不全支持ECC，這不是說過不了認證，但是Flash如此重要的存儲不支持ECC，確實會需要選擇時候多思考一些；

再挑一個數據吧，DSP芯片很重要的采樣單元ADC，德州儀器的C2000系列的ADC，2.5V內部參考下，ENOB基本是11bit， 這家公司同等條件，大概在10.5bit左右，然而小二也是第一次見到，最低采樣電壓竟然不支持0V... 小二又一次被深深的觸動到了....