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圖1

那時候也會疑惑，為什么單片機驅動MOS管還需要再加一個三極管？直接驅動不行嗎？

那今天我們就來理一理！

我們以STM32為例，先看一下STM32的I/O輸出能力，如下圖2所示：

圖2

在之前的文章中我們有提到過MOS的米勒效應問題，具體的文章可以戳這里：

用好MOS管的前提——米勒效應

要想減少米勒效應就需要提高柵極驅動電流，來縮短寄生電容的充放電時間，而STM32的驅動能力如上圖2所示非常的小，這是其中的原因之一。

原因二：現在的MCU供電等級都是比較低，從1.8V~5V都有，而每個MOS管的Vgs(th)都不一樣，范圍2~3V左右，飽和電壓6~8V左右，對于3.3V的單片機來說，最高驅動電壓只能到3.3V，如果直接驅動MOS管，那很有可能會使MOS管處于半導通的狀態（恒流工作區），致使MOS的內阻大，功耗高，發熱量大！

而加入三極管就會穩妥很多，驅動電壓一般在0.3~0.7V即可導通。再由三極管去驅動MOS管，無論是電壓還是驅動電流均能滿足要求。

當然了，也不是說單片機的I/O不能直接驅動MOS，只是MOS在選型時要注意，且可選種類不多，在低頻低功率場合下，直接I/O驅動也是可行的。

總之，具體情況具體分析吧！設計時，擇優而定即可！