之前分別對AEC-Q100 B組的3個驗證項目進行了介紹，在此我們對B組項目進行一個總結。

B組是ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS，加速壽命模擬測試。

先看一下AEC-Q100測試流程表中B組的位置。

B組項目放大圖

B組的3個項目回顧

B組的3個驗證都是加速壽命模擬測試項目，是用來模擬產品的工作壽命的，所以這三項測試，全都需要給產品上電，需要產品工作起來才可以驗證。

B1項：HTOL項是高溫工作壽命驗證，對于包含NVM（非易失性存儲功能）的器件，必須根據Q100-005的流程在HTOL驗證之前進行預處理。主要模擬產品的工作壽命，一般進行不同溫度級別的1000小時驗證，125℃的1000小時對應55℃平均使用溫度下的78600小時工作時間，約為9年時間，該項驗證可以模擬產品的使用壽命。

AEC-Q100車規芯片驗證B1：HTOL - 高溫工作壽命實驗

B2項：ELFR項是早期壽命失效率驗證，非破壞性測試，在A、B兩組驗證中，僅有PC和ELFR是非破壞性的，它主要驗證產品在早期工作壽命過程中的失效率，所以驗證時間短，但是需要數量大，800pcs*3批次。一般進行不同溫度級別48小時的驗證，125℃的48小時對應55℃平均使用溫度下的3773小時工作時間，約為半年時間，根據浴盆模型，絕大多數的生產和工藝問題都會在這個初始階段暴露出來。

因為早夭驗證的樣品數量實在太大，所以原則上，這些驗證樣品還可以作為合格樣品出售給客戶，也可以用于其他的驗證項目。

AEC-Q100車規芯片驗證B2：ELFR - 早期壽命失效（早夭）

B3項：EDR - NVM非易失性存儲器驗證，很多客戶會有一個誤區，就是僅存儲器比如NOR、NAND才需要進行EDR驗證，但是實際上，任何包含NVM模塊的芯片，都需要進行EDR的驗證，而且如果帶有NVM的MCU，還要根據B3項中的預處理流程，先進行NVM的預處理然后再開始HTOL。而且EDR分為高溫和低溫驗證，高低溫的失效模式并不相同，所以原則上都需要獨立驗證。

EDR流程相對來說還是比較復雜的，細節可以參考如下文章。

AEC-Q100車規芯片驗證B3：EDR - NVM非易失性存儲器驗證

如上B組的加速壽命實驗項目總結，除了ELFR以外，其余2項都是破壞性的，不可以再用于其他驗證，所以準備樣品的時候，搭配好樣品數量和驗證內容，ELFR剩余的樣品怎么重復利用都很重要，要不產品的消耗量真的很大。

本文對AEC-Q100 B組的內容進行了簡答的介紹和總結，希望對大家有所幫助。

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