BUCK電路需要高端開關(guān)，而PMOS在輸入電壓超過20V時（pmos的VGS一般在4V左右，就是說，目輸入電壓為30V的話，26V以下打開，30V以上關(guān)斷，而一般PMOS的Vgs=20V）不適用。那么只能選NMOS做高端開關(guān)，這樣就帶來了驅(qū)動問題。

當(dāng)NMOS做高端開關(guān)的時候，一般選用自舉電路，比如說選用IR2117這款芯片，典型應(yīng)用如下

其內(nèi)部原理如下

提煉電路如下:

假設(shè)VCC=12V；二極管VF=0.6V；Vh=450V；mos為IRFp460，Vgs=4V

VCC上電，VB=VCC-Vf =11.4V,Vs=0V

IN=VCC,HO=VB=VG,此時Vs=0；Vgs=Vb=11.4V>4V,mos導(dǎo)通，導(dǎo)通后瞬時VS=450V,同時電容C上低下高，被充電，VB=450+11.4V=461.4V

至此，VB電壓被抬高，導(dǎo)致以后的HO會在461.4~450V之間跳動，自舉完成

二極管要快恢復(fù)，電流不必大，1A足夠，主要任務(wù)是給電容充電，不過，耐壓要大于Vh。

至于電容C大小，主要是為驅(qū)動MOS同時給內(nèi)部CMOS反相器、低壓比較器、RS觸發(fā)器供電(前面脈沖發(fā)生器的供電為VCC，VB驅(qū)動兩個MOS管，電阻一定很大)，這些負(fù)載的電流很小。

但是考慮MOS的結(jié)電容效應(yīng)，電容C的電壓為MOS的Cgs和Cds結(jié)電容充電后，電壓跌落不應(yīng)大于6V，6/461.4=1.3%,   461.4-6=455.4V

455.4.4-450=5.4>Vgs，所以，一定要保證VB-V跌落>Vgs。IRFP460 Qg+Qgs+Qgd=200nc

根據(jù)公式Cg=Q/U=200*10E-9/462V=0.44nf

則C=200*10E-9/460V*100/1.3=34nf

實際電容C選用47nf應(yīng)該可以，耐壓600V

小弟新手，不知寫的對不對，望看到的大俠指正