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產品開發卡殼了!請教DX輸出13V6A電源效率最高可做到多少?

小弟現有一個產品,要求密封在一個110*70*45的塑殼內,市電輸入,輸出13V6A,所以對溫升要求很嚴格,我試了一下,單端反激電路用0880+EI40+MBR2550,結果效率勉強達到80%,明顯不夠,可能溫升太高(密封),十幾分鐘后還把MBR2550給燒了.現在頭疼得厲害,特向DX求救,能否把效率做到90以上,且體積不能太大,但功率因數和紋波可不做要求.還有一點,限流時老是有自激現象,變壓器叫,不知大家把限流信號加在哪里,我是加在PC817的二極管下面,是否可以加在431的參考端? 小弟跪求中......
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瞌睡蟲
LV.5
2
2006-06-17 15:40
第一種,兩個二極管并聯
第二種,同步整流

不知你二極管的散熱片有多大??
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2006-06-17 15:54
@瞌睡蟲
第一種,兩個二極管并聯第二種,同步整流不知你二極管的散熱片有多大??
其實是你的方案選的不對 不要相信芯片資料上說的0880說其導通電阻最大只有一點幾歐姆事實上根本不是這樣 在電源滿載時其導通電阻至少是5R以上 一般是七八歐姆 所以加載其芯片很熱
你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的 建議用MBR20100CT兩片并聯使用
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glz119
LV.3
4
2006-06-17 15:55
@瞌睡蟲
第一種,兩個二極管并聯第二種,同步整流不知你二極管的散熱片有多大??
標準的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現在是整個溫升高,估計變壓器也不太合理,我初級60匝,次級5匝加了0.3MM氣隙,初級電感1.1mH,漏感80uH.發現RCD吸收電路也發熱厲害.
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2006-06-17 15:56
@開拓者1
其實是你的方案選的不對不要相信芯片資料上說的0880說其導通電阻最大只有一點幾歐姆事實上根本不是這樣在電源滿載時其導通電阻至少是5R以上一般是七八歐姆所以加載其芯片很熱你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的建議用MBR20100CT兩片并聯使用
你這個方案 這個效率是正常的 電路也沒有什么大錯誤之處 若是想提高 建議使用IC加場管驅動的辦法 效率能高出幾個百分點來
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2006-06-17 15:59
@glz119
標準的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現在是整個溫升高,估計變壓器也不太合理,我初級60匝,次級5匝加了0.3MM氣隙,初級電感1.1mH,漏感80uH.發現RCD吸收電路也發熱厲害.
根本不需要用反激同步整流 因為這個輸出電壓夠高的 如果是輸出低如5V6A 用同步整流是對的 同步整流電路復雜 搞不好的話 還不如肖特基管整流來的強 把你的樣品燒一會 摸一下你的那個IC 就知道 其不比肖特基管的溫度低
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glz119
LV.3
7
2006-06-17 16:11
@開拓者1
根本不需要用反激同步整流因為這個輸出電壓夠高的如果是輸出低如5V6A用同步整流是對的同步整流電路復雜搞不好的話還不如肖特基管整流來的強把你的樣品燒一會摸一下你的那個IC就知道其不比肖特基管的溫度低
謝謝各位DX,真是挺燙,與肖特基差不多,那怎么辦?用3842好像體積要大了點,還有,用什么MOSFET效率高?我用0880主要是覺得它簡單可靠,已經用了很久了,很有點感情了,呵呵!
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洪七公
LV.9
8
2006-06-17 16:21
@glz119
標準的TO220分裝15*25散熱器,反激用同步整流不好搞吧?再說現在是整個溫升高,估計變壓器也不太合理,我初級60匝,次級5匝加了0.3MM氣隙,初級電感1.1mH,漏感80uH.發現RCD吸收電路也發熱厲害.
用我們的反激同步整流IC調試不難.Mosfet 選用低Rds(on),4-10毫歐的,一下就能比你原來的用二極管降低幾w的損耗(你二極管應該有損耗在3-4W吧).推薦你使用我們的同步整流IC,不難調試.不過你得考慮你們這樣做你們的產品成本是否能接受,因為這得讓你要增加幾塊RMB.你如果是做低壓大電流肯定劃算,但你的13V/6A輸出確實得衡量一下.要樣品,調試資料請和我聯系0755-21009980 .下面是幾款反激同步整流IC的資料.1150532098.pdf1150532466.pdf
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glz119
LV.3
9
2006-06-17 16:25
還有一點,限流時老是有自激現象,變壓器叫,不知大家把限流信號加在哪里,我是加在PC817的二極管下面,是否可以加在431的參考端?
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glz119
LV.3
10
2006-06-17 16:33
@開拓者1
其實是你的方案選的不對不要相信芯片資料上說的0880說其導通電阻最大只有一點幾歐姆事實上根本不是這樣在電源滿載時其導通電阻至少是5R以上一般是七八歐姆所以加載其芯片很熱你輸出16V,二極管反向耐壓至少要用到100V的建議用MBR20100CT兩片并聯使用
那完了!
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2006-06-17 20:59
建議如下:
1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小 110*70*45沒有問題.
2.MOS管用仙童的Super FET(超級FET),
FCP16N60    600V   16A   0.22Ω
FCP20N60    600V   20A   0.15Ω
3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯,耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.
4.由于Super FET的耐壓只有600V,變壓器的設計要使反射電壓低一些.
5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應影響,要用多股線繞.
原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.
三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.
變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,
該變壓器的主要發熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.
6.鋁型材散熱器的導熱系數約200,純銅的導熱系數396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內外的熱阻,又可以使散熱器少占殼內空間.
7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個3300UF/25V.
8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發熱.
9.經過以上措施,效率達到85%以上是沒有問題的,應該接近90%.
10.附FCP16N60和 FCP20N60資料


1150549046.pdf1150549173.pdf
.
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開拓者1
LV.8
12
2006-06-19 08:36
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯,耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設計要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導熱系數約200,純銅的導熱系數396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內外的熱阻,又可以使散熱器少占殼內空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發熱.9.經過以上措施,效率達到85%以上是沒有問題的,應該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
MOS用最大電流10A 最高電壓600V的就行了 這樣的外殼 做這個規格的功率輸出 倒也是差不多 可以做到 效率好的話 也可認到85%吧 其實場管驅動的電路比0880難一點 也難不了多少 還有就是注意線路板布局布線 線路板搞不好 調試時電源會不穩定 我吃過這種虧 建議去借簽一下別人的布局布線才好
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glz119
LV.3
13
2006-06-19 11:58
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯,耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設計要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導熱系數約200,純銅的導熱系數396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內外的熱阻,又可以使散熱器少占殼內空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發熱.9.經過以上措施,效率達到85%以上是沒有問題的,應該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
請問老兄FCP16N60大概什么價位?有沒有800v以上的?用600v管子遇瞬時短路可能會炸管,小弟過去碰到過好幾次.如果按老兄方案成本可能會偏離不少吧?另外,原邊匝數是不是少了?我算了一下要差很多阿!
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開拓者1
LV.8
14
2006-06-19 14:28
@glz119
請問老兄FCP16N60大概什么價位?有沒有800v以上的?用600v管子遇瞬時短路可能會炸管,小弟過去碰到過好幾次.如果按老兄方案成本可能會偏離不少吧?另外,原邊匝數是不是少了?我算了一下要差很多阿!
不會吧 反激式的一樣就是用600V耐壓的管子啊 16N60肯定比較貴 這個東西東就是用6N60免強也能做得下吧 看你是什么輸入條件了
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開拓者1
LV.8
15
2006-06-19 14:31
@開拓者1
不會吧反激式的一樣就是用600V耐壓的管子啊16N60肯定比較貴這個東西東就是用6N60免強也能做得下吧看你是什么輸入條件了
短路炸管 和MOS耐壓值應該沒有關系吧 短路時 是電流突然增大 卻不是電壓高吧
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wjc5230
LV.3
16
2006-06-19 15:06
你的MBR2550是肖特基還是快恢復.
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glz119
LV.3
17
2006-06-19 15:06
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應該沒有關系吧短路時是電流突然增大卻不是電壓高吧
老兄您的匝數(特別是原邊)是不是太少了?我算了一下要差很多阿!短路炸管我看好像是MOS管關斷瞬間炸的.
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glz119
LV.3
18
2006-06-19 15:08
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應該沒有關系吧短路時是電流突然增大卻不是電壓高吧
對不起,搞錯了,是別人!
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glz119
LV.3
19
2006-06-19 15:13
@wjc5230
你的MBR2550是肖特基還是快恢復.
MBR都是肖特基,快恢復是MUR.
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wjc5230
LV.3
20
2006-06-19 15:17
@glz119
MBR都是肖特基,快恢復是MUR.
你的輸出電壓是13V,為什么用的是肖特基,不是快恢復?
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glz119
LV.3
21
2006-06-19 15:18
@開拓者1
短路炸管和MOS耐壓值應該沒有關系吧短路時是電流突然增大卻不是電壓高吧
我EI40是原邊30+30,次級5匝
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glz119
LV.3
22
2006-06-19 15:20
@wjc5230
你的輸出電壓是13V,為什么用的是肖特基,不是快恢復?
為了降低損耗
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wjc5230
LV.3
23
2006-06-19 15:27
@glz119
為了降低損耗
你換上快恢復管試試,你的效率有所改變.
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glz119
LV.3
24
2006-06-19 15:35
@wjc5230
你換上快恢復管試試,你的效率有所改變.
快恢復好像比肖特基電阻大吧!
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開拓者1
LV.8
25
2006-06-20 11:01
@glz119
快恢復好像比肖特基電阻大吧!
當然是快恢復的損耗更大啦
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glz119
LV.3
26
2006-06-20 12:47
我EI40是原邊30+30,次級5匝,有問題嗎?
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franc_y
LV.5
27
2006-06-20 16:53
@glz119
我EI40是原邊30+30,次級5匝,有問題嗎?
有點危險﹐除非你的Spike處理的非常好﹐否則你用不了600V的管子
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franc_y
LV.5
28
2006-06-20 16:56
@世界真奇妙
建議如下:1.單端反激電路,不用同步整流,主功率電路改用3842+MOS,殼大小110*70*45沒有問題.2.MOS管用仙童的SuperFET(超級FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付邊整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并聯,耐壓100V.管子兩端要加RC吸收,以抑制反向電壓尖峰.4.由于SuperFET的耐壓只有600V,變壓器的設計要使反射電壓低一些.5.變壓器可用EC28X35臥式,PC40.為減小趨膚效應影響,要用多股線繞.原邊0.19線9股21T+21T,付邊0.25線30股7T,輔助繞組0.19線1股7-8T.三明治繞法.墊約0.27毫米氣隙,原邊21T+21T的總電感為380-400微亨.變壓器原邊允許峰值電流2.8A.工作頻率約70K,該變壓器的主要發熱是付邊繞組.如果窗口有余,付邊可再加股.6.鋁型材散熱器的導熱系數約200,純銅的導熱系數396,散熱器不要用成品鋁型材,要用銅板制作,要緊貼外殼的內壁繞一圈.這樣可以一舉兩得,既可以盡可能地減小殼內外的熱阻,又可以使散熱器少占殼內空間.7.輸入整流橋的電流容量用大,可減少發熱.電解電容必須用105度的.高壓濾波82UF/400V.輸出電解至少要用兩個3300UF/25V.8.盡可能減少鉗位電路,吸收電路功耗,減少發熱.9.經過以上措施,效率達到85%以上是沒有問題的,應該接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60資料1150549046.pdf1150549173.pdf.
變壓器最好用PQ的﹐這樣副邊的圈數還可以減小﹐最好在4T左右
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wxy2003
LV.4
29
2006-06-21 00:53
用0880做寬電壓輸入可能是比較夠嗆,窄電壓輸入沒有問題.
外殼尺寸完全可以.
但你的肖特基確實電壓和耐壓都不夠.
提高產品轉換效率的方法很多,其中之一是電路參數必須設計合理并優化.第二變壓器設計也是至關重要.發熱的三大源泉是開關管,變壓器,次級整流器,搞定這三塊效率就出來了.
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glz119
LV.3
30
2006-06-21 09:49
@wxy2003
用0880做寬電壓輸入可能是比較夠嗆,窄電壓輸入沒有問題.外殼尺寸完全可以.但你的肖特基確實電壓和耐壓都不夠.提高產品轉換效率的方法很多,其中之一是電路參數必須設計合理并優化.第二變壓器設計也是至關重要.發熱的三大源泉是開關管,變壓器,次級整流器,搞定這三塊效率就出來了.
呵呵,老兄真是夜貓子!小弟的RCD吸收電路發熱也厲害,有點燙手,用的是33K/3W+222+P6KE440+BYV26C
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camm3219
LV.3
31
2009-07-23 08:24
@洪七公
用我們的反激同步整流IC調試不難.Mosfet選用低Rds(on),4-10毫歐的,一下就能比你原來的用二極管降低幾w的損耗(你二極管應該有損耗在3-4W吧).推薦你使用我們的同步整流IC,不難調試.不過你得考慮你們這樣做你們的產品成本是否能接受,因為這得讓你要增加幾塊RMB.你如果是做低壓大電流肯定劃算,但你的13V/6A輸出確實得衡量一下.要樣品,調試資料請和我聯系0755-21009980.下面是幾款反激同步整流IC的資料.1150532098.pdf1150532466.pdf
能否用作LLC的同步整流?
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