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PQ2620 變壓器設計

請教PQ2620 變壓器設計參數,輸出48V /1A   用的是OB2263  請各位老大指點一下

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linug
LV.4
2
2012-07-13 15:24
 
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2012-07-13 15:52
@linug
[圖片] 
初級會不會太少了。這樣會容易磁飽和啊
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2012-07-13 16:47
@流失的明天
初級會不會太少了。這樣會容易磁飽和啊

通壓下初級匝數是會少些,不放心的話可增加匝數或按220v窄電壓范圍設計,對提高效率也有好處.

 

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2012-07-13 19:49
@linug
[圖片] 
48V1A用連續模式去設計兄弟!
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yong168
LV.7
6
2012-07-13 20:22

全程DCM模式是不是會好點

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2012-07-13 20:53
@yong168
全程DCM模式是不是會好點

F=65K, IN90-264VAC,OUT 48V1A  

NP=34,NS=16,NA=5

LP=0.88MH

其實窄電壓輸入也可以用的

 

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amonson
LV.8
8
2012-07-13 21:39

最低電壓時CCM,假設△I=IEDC,最大占空比0.42,工作頻率65KHz那么變壓器二次側電流有效值為:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2電流密度,選0.6mm繞24圈(2mm檔墻,剛好繞滿兩層)。

選擇合適的輸入濾波電容,使得最低直流電壓為100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初級圈數應為24*1.5=36。驗算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初級電流為1.37A/1.5=0.91A,所以選擇0.5mm銅線,但為了繞滿整層,將初級圈數增至42T(2mm檔墻,剛好繞滿三層)。

驗算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457

電感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH


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linug
LV.4
9
2012-07-14 11:06
@amonson
最低電壓時CCM,假設△I=IEDC,最大占空比0.42,工作頻率65KHz那么變壓器二次側電流有效值為:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2電流密度,選0.6mm繞24圈(2mm檔墻,剛好繞滿兩層)。選擇合適的輸入濾波電容,使得最低直流電壓為100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初級圈數應為24*1.5=36。驗算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初級電流為1.37A/1.5=0.91A,所以選擇0.5mm銅線,但為了繞滿整層,將初級圈數增至42T(2mm檔墻,剛好繞滿三層)。驗算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457電感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH
團長的經驗好貼,能不能寫詳細一點,我輩學習學習
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bdzn
LV.9
10
2012-07-14 12:07
@ymyangyong
通壓下初級匝數是會少些,不放心的話可增加匝數或按220v窄電壓范圍設計,對提高效率也有好處.[圖片] 
第二種的參數更合理些。但是我覺得這樣子不能全電壓了,應該是把B設置成0.15就差不多了。
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2012-07-16 19:56
謝謝各位老大的指點,但我按36:15:5   結果是MOS溫度太高了,老化2小時就保護了。
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2012-07-16 19:59
@amonson
最低電壓時CCM,假設△I=IEDC,最大占空比0.42,工作頻率65KHz那么變壓器二次側電流有效值為:(1A/0.58)*√(13*0.58/12)=1.37A,取4A/mm2電流密度,選0.6mm繞24圈(2mm檔墻,剛好繞滿兩層)。選擇合適的輸入濾波電容,使得最低直流電壓為100V,那么n=100*0.42/(48*0.58)=1.5,所以初級圈數應為24*1.5=36。驗算△B=100*0.42/(36*0.119*65)=0.15T,Bm=0.226T,可行。初級電流為1.37A/1.5=0.91A,所以選擇0.5mm銅線,但為了繞滿整層,將初級圈數增至42T(2mm檔墻,剛好繞滿三層)。驗算100D/[48*(1-D)]=42/24,D=0.457電感量:L=0.8(100*0.457)2/(48*0.065)=535.5uH
感量是460UH
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2012-07-20 17:05
@流失的明天
初級會不會太少了。這樣會容易磁飽和啊
應該差的不太多,要想感量取大的話,可以把初級線圈搞到32Ts,用0.45mm的線;次級搞到19Ts,用0.55mm的線。
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2012-07-20 17:06
@jiayanbo12345
應該差的不太多,要想感量取大的話,可以把初級線圈搞到32Ts,用0.45mm的線;次級搞到19Ts,用0.55mm的線。
感量可以取到550UH。
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2012-07-20 17:08
@流失的明天
謝謝各位老大的指點,但我按36:15:5  結果是MOS溫度太高了,老化2小時就保護了。
增大MOS管的散熱片面積試試呢?
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2012-07-20 20:20
@流失的明天
謝謝各位老大的指點,但我按36:15:5  結果是MOS溫度太高了,老化2小時就保護了。
用我的試試看
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roc19850
LV.5
17
2012-07-23 09:11
@linug
[圖片] 
效率低了啊。
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ssuge
LV.4
18
2012-07-23 16:12
**此帖已被管理員刪除**
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yinjin
LV.3
19
2013-08-26 08:40
@ssuge
**此帖已被管理員刪除**
這個好!
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2014-12-08 14:34
@linug
[圖片] 
這位朋友。你這個軟件能給我發一個給我嗎?在此先謝謝你了。我是剛剛才開始弄這個電源這一塊,有很多不懂的。
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LamCyunSing
LV.1
21
2019-05-18 11:19
@ymyangyong
通壓下初級匝數是會少些,不放心的話可增加匝數或按220v窄電壓范圍設計,對提高效率也有好處.[圖片] 
層主你好,請問能幫我計算下CCM模式下輸出為40V1A的反激變壓器匝數嗎,謝謝
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