柵極線路很短(大約2cm)時單芯片的柵極驅(qū)動波形:
柵極線路很短(大約2cm)時雙芯片并聯(lián)的柵極驅(qū)動波形:
可以看出這兩個波形相差不大。
柵極線路較長(大約20cm)時單芯片的柵極驅(qū)動波形:
柵極線路較長(大約20cm)時雙芯片并聯(lián)的柵極驅(qū)動波形:
可以看出尖峰一個是17.2V,一個是18.6V,相差1.4V之多。
另外,采用雙芯片直接并聯(lián)的話,還會由于一致性的問題導(dǎo)致不均流和故障率增高。
單芯片MOSFET和雙芯片并聯(lián)MOSFET的區(qū)分辦法:
在一般工廠和業(yè)余條件下要從芯片結(jié)構(gòu)區(qū)分單芯片MOSFET和雙芯片并聯(lián)MOSFET還是比較困難的,但是也有一個非常簡單又暴力的辦法可以區(qū)分,就是砸開MOSFET,由于柵極電流很小,所以單芯片只要一根很細(xì)(約5mil)的引線就可以把芯片的柵極引到封裝的柵極管腳。而雙芯片內(nèi)部是由2個芯片并聯(lián),自然就有2個柵極,而2個柵極之間是相互絕緣的,沒有任何電氣連接,所以只有每個柵極都用一條引線連接到封裝的柵極管腳。
所以只看柵極有幾條引線就可以區(qū)分單芯片和雙芯片并聯(lián)MOSFET!