90W適配器輻射30M---58M超標(biāo)是什么地方引起的?普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來解決. 這些都試了,還是不行。可能是還沒有找到源頭吧,現(xiàn)在主要是30M--40M左右的超的多,請大家?guī)兔Τ龀鲋饕猓€有哪些點(diǎn)能引起這些點(diǎn)超呢?如果整好了一定會在這里跟大家一起分享的。感謝了~!
緊急求助輻射30M--58M超標(biāo),更新進(jìn)度了
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@lxiaoqing
你好,這個(gè)解決了沒有呢
1,初級MOS吸收回路不知有沒有串聯(lián)電阻, 串聯(lián)電阻阻值適當(dāng)加大,但功率要足,要不然溫升會高。(MOS耐壓余量大的情況下)。
2,次級肖特基吸收電阻減小。(肖特基耐壓余量大的情況下)
3,增大驅(qū)動電阻。(影響效率)
4,MOS 源極套磁珠。(影響效率)
5,肖特基腳套磁珠,或直接串引線套磁珠。(影響效率)
6,減小BUCK 電容+ ----》變壓器-----》MOS -----》Isense電阻----BUCK 電容地之間回路的距離。
7,減小輸出 電容+ ----》變壓器-----》肖特基 -----輸出電容地之間回路的距離。
8,變壓器出次級之間加屏蔽。
9,變壓器除了第一層初級繞組正繞,其余繞組反繞(但相位要保證不變)。
。。。。。。
希望對你有用,這些都是我平時(shí)解EMI時(shí) 針對30M-40M的對策。
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@wangxufei
1,初級MOS吸收回路不知有沒有串聯(lián)電阻,串聯(lián)電阻阻值適當(dāng)加大,但功率要足,要不然溫升會高。(MOS耐壓余量大的情況下)。2,次級肖特基吸收電阻減小。(肖特基耐壓余量大的情況下)3,增大驅(qū)動電阻。(影響效率)4,MOS源極套磁珠。(影響效率)5,肖特基腳套磁珠,或直接串引線套磁珠。(影響效率)6,減小BUCK 電容+----》變壓器-----》MOS-----》Isense電阻----BUCK 電容地之間回路的距離。7,減小輸出 電容+----》變壓器-----》肖特基 -----輸出電容地之間回路的距離。8,變壓器出次級之間加屏蔽。9,變壓器除了第一層初級繞組正繞,其余繞組反繞(但相位要保證不變)。。。。。。。希望對你有用,這些都是我平時(shí)解EMI時(shí)針對30M-40M的對策。
樓主,解決了嗎?說好的分享呢?
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