電路中用RC吸收電路吸收 IGBT 的電壓尖峰，但RC 的參數選擇很是納悶，

看資料有的說 t=RC 這個時間參數 要是10倍的 開關頻率參數，有的說和頻率無關；

有的還給出一些公式：　C=(2.5-5)×10的負8次方×If　　If=0.367Id　　Id-直流電流值　

                       R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56　　選擇10歐　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2　　Pfv=2u(1.5-2.0)　　u=三相電壓的有效值阻容吸收回路在實際應用中，RC的時間常數一般情況下取1~10毫秒。        小功率負載通常取2毫秒左右，R=220歐姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。        大功率負載通常取10毫秒，R=10歐姆/10W，C=1微法/630~1000V。

還有些其他的說法，所以想請教下，大家平時是怎么選擇的？如何估計？