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AC/DC 電源控制芯片---GS175 GS176 GS178 GS286 GS288

GS17X——具有OTP功能的新型反激功率開關

概述

    GS17X是內置高壓功率MOSFET的電流模反激PWM控制芯片,適用于5-18W以內的全電壓范圍離線式反激開關電源,具有高性能、低待機功耗、低成本的優點。設計了完善的保護功能,包括軟啟動、過溫保護(OTP)、VDD欠壓鎖定保護(UVLO)、過壓保護(OVP)及箝位、逐周期電流限制(OCP)、過載保護(OLP)和圖騰柱輸出驅動高箝位等,特別對音頻噪聲和FM干擾進行了處理。芯片內置的頻率抖動和圖騰柱柵極軟驅動技術可容易地獲得良好的EMI性能。GS17X采用DIP-8L封裝,GS175D(600V MOSFET)支持12W以內的適配器應用,GS176D(600V MOSFET)支持15W以內全電壓適配器應用,GS178支持18W(600V MOSFET)以內全電壓適配器應用。

特征

內置600V功率開關MOSFET

過溫保護功能

低的啟動電流:3uA(Typ)低的工作電流:2mA(Typ)

內置軟啟動以減小MOSFET應力

內置頻率抖動以改善EMI特性

應用

ü AC/DC電源適配器

ü 電池充電器

ü DVB機頂盒電源

ü 開放式電源

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陳R   聯系電話 :+86-189-8084-8815          

 E-mail: green_source@126.com    

QQ: 5827-54568

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GS28X——5%精度的恒流/恒壓PSR功率開關

概述

GS28X是一款內置高壓功率MOSFET、內建高精度基準(±1%)的基于原邊控制模式,輸出±5%精度的脈寬調制功率開關,內置了恒流/恒壓兩種控制方式,無需TL431和光耦,適用于小功率AC /DC電源適配器、充電器及LED照明電源,最大功率為12W。GS285推薦5-6W應用,GS286推薦6-7.5W應用,GS288推薦8-12W應用。

特征

原邊控制模式,無需TL431和光耦

內置600V功率開關MOSFET

恒壓和恒流精度可達5%

頻率抖動

過溫保護OTP功能

恒流和輸出功率可調

應用

ü 手機、無繩電話、PDA、數碼相機等電池充電器

ü 小功率適配器

ü LED照明

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GS5232——高精度原邊控制PWM控制器

概述

    GS5232是一款內建高精度基準(±1%)基于原邊控制模式,輸出±5%精度的脈寬調制控制器,內置了恒流/恒壓兩種控制方式,無需TL431和光耦,配合外置功率MOSFET應用于18W以內中小功率AC /DC電源適配器、充電器及LED照明電源。完善的保護措施,包括逐周期電流限制、峰值電流限制、過溫保護、過壓保護、電源箝位和欠壓鎖定功能。此外,芯片內部設置的頻率抖動功能和軟驅動功能保證了芯片在工作時具有良好的抗電磁干擾性能。

特征

原邊控制模式,無需TL431和光耦

恒壓和恒流精度可達5%

頻率抖動

過溫保護OTP功能

應用靈活可實現超小體積

恒流和輸出功率可調

應用

ü 手機、無繩電話、PDA、數碼相機等電池充電器

ü 小功率適配器

ü LED照明

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GS6562D——有源功率因子校正控制芯片

概述

    GS6562D是一款基于臨界導通模式(CRM)的有源功率因數校正控制器(PFC),適用中大功率的AC/DC開關電源,能應用于LCD-TV、LED照明等領域,采用SOP-8L封裝,兼容ST L6561和L6562各種版本。采用高線性乘法器和頻率補償技術,優化系統諧波失真,提高PF值。內建優良的保護機制,包括動態過壓保護和靜態過壓保護(OVP)、欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制、乘法器輸出箝位、系統開環保護和圖騰柱輸出驅動高箝位等。

特征

臨界導通模式

低功耗、高基準精度

最小開關頻率限制

頻率補償技術

逐周期電流控制

優良的保護措施 

應用

ü 電子鎮流器

ü AC/DC電源

ü LED照明電源

ü LCD-TV/顯示器等電源

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GS5842—— 低成本大功率反激式綠色節能PWM控制器

概述

    GS5842 是一款高集成度,低功耗的電流模PWM控制器,適用于100W以內離線式AC-DC反激拓撲的電源模塊。優化的流控圖騰驅動電路配以頻率抖動技術,可以減小開關損耗同時獲得良好的EMI特性。為了獲得良好的效率和待機功耗,GS5842 在重載或中等負載時,工作在 PWM 模式,在空載和輕載時,電路采用綠色模式,有效的降低了待機功耗。GS5842內置了多種保護功能:欠壓鎖定、過載保護、過溫保護、過壓保護及鉗位等,保護解除后均可自動恢復工作。 

特征

零OCP/OPP恢復間隙控制技術

低的啟動電流:7.5uA(Typ)、低的工作電流:3mA(Typ)

內置頻率抖動以改善EMI特性

內置前沿消隱(LEB)電路和同步斜率補償 

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2014-02-28 15:42
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