在調(diào)一個(gè)很普通的BOOST電路，輸出24V 8A，輸入電壓從36V往下調(diào)，在達(dá)到8.7V時(shí)，輸入電流失控，不斷增大，最后觸發(fā)保護(hù)，打嗝，問題出在哪里呢？斜坡補(bǔ)償？環(huán)路？還是？有人遇到嗎？
磁環(huán)參數(shù)：DCS234090 2個(gè) 19uH
電路圖和波形如下：
boost 在某一臨界電壓，輸入電流失控，那里出現(xiàn)了問題呢？
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@lzpiiei
下圖為開環(huán)測(cè)試的波形，電流還是會(huì)飆升。應(yīng)該不是右半平面零點(diǎn)問題吧？請(qǐng)指點(diǎn)一下。。。[圖片] [圖片] [圖片]
沒做過BOOST，不好下結(jié)論。
另外，你的VCC不會(huì)也是從VIN取的吧！3843在8.7V可是會(huì)欠保護(hù)的哦！
關(guān)斷UC3843只有三種可能性，你自己慢慢找原因吧！
1、PIN3超過過流保護(hù)點(diǎn)電壓，好像是1V還是0.8V；
2、PIN1點(diǎn)電壓低于1V（忘記是0.8還是1V多）；
3、PIN7的VCC電壓欠壓保護(hù)。
如果VCC沒問題，要么是磁芯飽和了，要么是環(huán)路問題。
分辨是那種情況其實(shí)很簡(jiǎn)單，VCC單獨(dú)供電，用更大的磁環(huán)防止磁芯飽和。
如果還不穩(wěn)定，那肯定就是環(huán)路問題了。BOOST好像一般設(shè)計(jì)在CCM模式，如果36V全滿載處于CCM模式，那么換句話說，8.7V就處在“超連續(xù)或者深度CCM模式”模式，不管是那種控制芯片，深度CCM模式，環(huán)路均很難控制。
沒有去具體計(jì)算你的參數(shù)，最好你核算一下原邊的紋波電流與峰值電流比值（類似反激里面的KRP值），這樣就可以知道8.7V輸入時(shí)，電感處于何種工作狀態(tài)。不管是BUCK、BOOST，還是反激，這個(gè)電流比值在最小輸入電壓全滿載輸出時(shí)，應(yīng)該不會(huì)小于0.3，帶同步整流時(shí)，應(yīng)該還會(huì)更大。
另外一點(diǎn)，UC3843---PIN4腳的RC值在某種情況下決定最大占空比（甚至好像不會(huì)超過0.5），RC取值是否合適，也待驗(yàn)證！最后一點(diǎn)，在輸入端靠近電感的地方并聯(lián)足夠多的電解電容，24V8A，8.7V輸入，太可怕了，搞不好都能在電容兩端拉出個(gè)溝來，想到的就這么多了。
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呵呵..........大家把注意力都集中在8.7V和UC2843上面了。@小凡凡
沒做過BOOST，不好下結(jié)論。另外，你的VCC不會(huì)也是從VIN取的吧！3843在8.7V可是會(huì)欠保護(hù)的哦！關(guān)斷UC3843只有三種可能性，你自己慢慢找原因吧！1、PIN3超過過流保護(hù)點(diǎn)電壓，好像是1V還是0.8V；2、PIN1點(diǎn)電壓低于1V（忘記是0.8還是1V多）；3、PIN7的VCC電壓欠壓保護(hù)。[圖片]UC3842中文 如果VCC沒問題，要么是磁芯飽和了，要么是環(huán)路問題。分辨是那種情況其實(shí)很簡(jiǎn)單，VCC單獨(dú)供電，用更大的磁環(huán)防止磁芯飽和。如果還不穩(wěn)定，那肯定就是環(huán)路問題了。BOOST好像一般設(shè)計(jì)在CCM模式，如果36V全滿載處于CCM模式，那么換句話說，8.7V就處在“超連續(xù)或者深度CCM模式”模式，不管是那種控制芯片，深度CCM模式，環(huán)路均很難控制。沒有去具體計(jì)算你的參數(shù)，最好你核算一下原邊的紋波電流與峰值電流比值（類似反激里面的KRP值），這樣就可以知道8.7V輸入時(shí)，電感處于何種工作狀態(tài)。不管是BUCK、BOOST，還是反激，這個(gè)電流比值在最小輸入電壓全滿載輸出時(shí)，應(yīng)該不會(huì)小于0.3，帶同步整流時(shí)，應(yīng)該還會(huì)更大。另外一點(diǎn)，UC3843---PIN4腳的RC值在某種情況下決定最大占空比（甚至好像不會(huì)超過0.5），RC取值是否合適，也待驗(yàn)證！最后一點(diǎn)，在輸入端靠近電感的地方并聯(lián)足夠多的電解電容，24V8A，8.7V輸入，太可怕了，搞不好都能在電容兩端拉出個(gè)溝來，想到的就這么多了。
1.VCC有一個(gè)輔助電源供電，不會(huì)欠壓保護(hù)；
2.電路是工作在CCM模式，低壓紋波電流與峰值電流比值約為0.2（這個(gè)值要大于0.3嗎？）
3.用的是2843，開環(huán)占空比最大為0.92
4.環(huán)路問題？現(xiàn)在開環(huán)還是有這個(gè)問題
5.試過用更大的環(huán)（現(xiàn)在用的是2個(gè)CSC234090，試過用三個(gè)，同樣的電感量），沒有解決，看電流波形，貌似還沒有飽和。
輸入電感前并電容式的確有一些效果的，因?yàn)檩斎爰y波小了。。
又或許是我的工作做得還不夠細(xì)致吧，今天把思路整理一下，把這些可能性再排查一下。。
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@lzpiiei
1.VCC有一個(gè)輔助電源供電，不會(huì)欠壓保護(hù)；2.電路是工作在CCM模式，低壓紋波電流與峰值電流比值約為0.2（這個(gè)值要大于0.3嗎？）3.用的是2843，開環(huán)占空比最大為0.924.環(huán)路問題？現(xiàn)在開環(huán)還是有這個(gè)問題5.試過用更大的環(huán)（現(xiàn)在用的是2個(gè)CSC234090，試過用三個(gè)，同樣的電感量），沒有解決，看電流波形，貌似還沒有飽和。輸入電感前并電容式的確有一些效果的，因?yàn)檩斎爰y波小了。。又或許是我的工作做得還不夠細(xì)致吧，今天把思路整理一下，把這些可能性再排查一下。。
在此情況下，你的輸出應(yīng)該也是挺不住的
輸入電壓太低，要保持輸出功率，就必須提高輸入電流，
但是在達(dá)成目標(biāo)之前，你的過流保護(hù)動(dòng)作了。
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@lzpiiei
1.VCC有一個(gè)輔助電源供電，不會(huì)欠壓保護(hù)；2.電路是工作在CCM模式，低壓紋波電流與峰值電流比值約為0.2（這個(gè)值要大于0.3嗎？）3.用的是2843，開環(huán)占空比最大為0.924.環(huán)路問題？現(xiàn)在開環(huán)還是有這個(gè)問題5.試過用更大的環(huán)（現(xiàn)在用的是2個(gè)CSC234090，試過用三個(gè)，同樣的電感量），沒有解決，看電流波形，貌似還沒有飽和。輸入電感前并電容式的確有一些效果的，因?yàn)檩斎爰y波小了。。又或許是我的工作做得還不夠細(xì)致吧，今天把思路整理一下，把這些可能性再排查一下。。
"2.電路是工作在CCM模式，低壓紋波電流與峰值電流比值約為0.2（這個(gè)值要大于0.3嗎？）"
電流模式控制的另外幾個(gè)潛在缺點(diǎn)：
采樣信號(hào)容易受到干擾
相對(duì)于電壓模式控制，電流模式控制有無與倫比的優(yōu)點(diǎn)。但兩種情況除外：
輸出功率太小（且輸入電壓很高），雜散尖峰掩蓋取樣電流；
輸出功率太大（且輸入電壓很低），無法采樣電感電流（畢竟20%的交流成分）。
KRP不能過小有以下幾個(gè)原因：
磁芯利用率的問題；
次諧波振蕩（盡管有斜率補(bǔ)償，但有個(gè)補(bǔ)償額度的問題）
KRP過小（深度CCM模式），開關(guān)損耗應(yīng)該挺大，當(dāng)然低壓低頻可能不存在這個(gè)問題，但又會(huì)又另外一個(gè)問題存在，低頻率帶寬似乎會(huì)受到限制，具體影響有多大，我暫時(shí)沒辦法說清楚，畢竟沒做過這種產(chǎn)品，詳見《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》。
呵呵呵..........
你的問題我算是明白了，應(yīng)該是DCDC里面的“輸入反射電流”測(cè)試，ACDC電源里面沒有這一項(xiàng)，輸入端有20多A的平均電流，應(yīng)該挺恐怖，或許輸入端要加LC濾波吧！專門搞DCDC的應(yīng)該清楚。
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@小凡凡
"2.電路是工作在CCM模式，低壓紋波電流與峰值電流比值約為0.2（這個(gè)值要大于0.3嗎？）"電流模式控制的另外幾個(gè)潛在缺點(diǎn)：采樣信號(hào)容易受到干擾 相對(duì)于電壓模式控制，電流模式控制有無與倫比的優(yōu)點(diǎn)。但兩種情況除外： 輸出功率太小（且輸入電壓很高），雜散尖峰掩蓋取樣電流； 輸出功率太大（且輸入電壓很低），無法采樣電感電流（畢竟20%的交流成分）。KRP不能過小有以下幾個(gè)原因： 磁芯利用率的問題； 次諧波振蕩（盡管有斜率補(bǔ)償，但有個(gè)補(bǔ)償額度的問題） KRP過小（深度CCM模式），開關(guān)損耗應(yīng)該挺大，當(dāng)然低壓低頻可能不存在這個(gè)問題，但又會(huì)又另外一個(gè)問題存在，低頻率帶寬似乎會(huì)受到限制，具體影響有多大，我暫時(shí)沒辦法說清楚，畢竟沒做過這種產(chǎn)品，詳見《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》。 呵呵呵.......... 你的問題我算是明白了，應(yīng)該是DCDC里面的“輸入反射電流”測(cè)試，ACDC電源里面沒有這一項(xiàng)，輸入端有20多A的平均電流，應(yīng)該挺恐怖，或許輸入端要加LC濾波吧！專門搞DCDC的應(yīng)該清楚。
輸入反射電流？我這里的20A不是反射電流，是滿載輸出時(shí)，輸入端的有效電流，你是說反射電流太大了？影響了？不是很明白。
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@小凡凡
我以前測(cè)過一個(gè)小功率的，看到過類似的情況，前級(jí)搞個(gè)LC濾波試試。8、9V輸入，200來瓦，確實(shí)夠折騰的，保持冷靜勒！
嗯。感覺有點(diǎn)亂，整理一下思路。在這過程中，感覺影響的因素是很多的，環(huán)路是肯定有影響的，環(huán)路不好，在十幾V就會(huì)有問題了，現(xiàn)在的問題應(yīng)該已經(jīng)不是環(huán)路的問題了，因?yàn)楝F(xiàn)在是開環(huán)測(cè)試，問題同樣出現(xiàn)，只是在很低的電壓會(huì)出現(xiàn)。一個(gè)個(gè)排除，原因總會(huì)找到的。有其他好的建議的繼續(xù)指點(diǎn)下哈。。例如在這導(dǎo)通的過程中，MOS發(fā)熱，導(dǎo)通電阻上升導(dǎo)致電感兩端電壓減少，占空比增加，會(huì)不會(huì)也影響到呢？雖然影響很少，應(yīng)該還是有的吧。。
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@lzpiiei
嗯。感覺有點(diǎn)亂，整理一下思路。在這過程中，感覺影響的因素是很多的，環(huán)路是肯定有影響的，環(huán)路不好，在十幾V就會(huì)有問題了，現(xiàn)在的問題應(yīng)該已經(jīng)不是環(huán)路的問題了，因?yàn)楝F(xiàn)在是開環(huán)測(cè)試，問題同樣出現(xiàn)，只是在很低的電壓會(huì)出現(xiàn)。一個(gè)個(gè)排除，原因總會(huì)找到的。有其他好的建議的繼續(xù)指點(diǎn)下哈。。例如在這導(dǎo)通的過程中，MOS發(fā)熱，導(dǎo)通電阻上升導(dǎo)致電感兩端電壓減少，占空比增加，會(huì)不會(huì)也影響到呢？雖然影響很少，應(yīng)該還是有的吧。。
對(duì)我個(gè)人而言，這也是個(gè)學(xué)習(xí)過程。
可能的話輸出直接用芯片做成兩相交錯(cuò)，應(yīng)該不會(huì)出現(xiàn)類似問題。
還有一個(gè)方法應(yīng)該可以試試，不用2843內(nèi)部的運(yùn)放，改成其它的芯片采樣。
這里是網(wǎng)上下的一個(gè)100W（19V5A）的，功率不一樣，方案差別不大，另外現(xiàn)在有1個(gè)豪歐的MOS，TO-220的，應(yīng)該不貴。
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