求MOS管驅動電阻的計算方法

鄙人現在在調試幾款電源的輻射，發現把MOS管的驅動電阻改大，效果很明顯。但是怕改大了對MOS管的驅動有影響，請教各位高手這個電阻改怎么計算。。。。。。。。。。。謝謝！

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zq2007

LV.11

2012-02-15 15:19

這就是一個效率與輻射的折中選擇，沒有絕對的計算方法。

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綿陽人

LV.4

2012-02-16 18:55

@zq2007

這就是一個效率與輻射的折中選擇，沒有絕對的計算方法。

沒有一個大楷的計算方法嗎？

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jingzy

LV.4

2012-02-17 10:09

這個只是RC充電的問題，C指的是MOS管的結電容，個人理解

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zxcmnbv888

LV.5

2012-02-17 10:34

@綿陽人

沒有一個大楷的計算方法嗎？

加大R di/dt 變小,對你的輻射有幫助,但效率下降,兩者可權衡利幣,若加太大,效率引響嚴重,就要考盧從其它方面解決EMI 換mos 或你布板方面更改,或變壓器繞線方式更改== 若效率影響不大,加大點驅動電阻沒問題

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小鞏

2012-02-17 11:07

@jingzy

這個只是RC充電的問題，C指的是MOS管的結電容，個人理解

學習中。

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綿陽人

LV.4

2012-02-17 18:51

@小鞏

學習中。

謝謝指點...................

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yong168

LV.7

2012-02-17 18:58

一般來說，驅動電阻小，驅動電壓上升要快，MOS導通快，但是對EMI不好，驅動電阻大的話，驅動電壓上升慢，MOS導通慢，效率會有影響，所以這個值要折中取值，通常的話，并多個電阻和二極管，相對來說，會好一點~~~

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小鞏

2012-02-17 20:26

@yong168

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綿陽人

LV.4

2012-02-18 15:01

@小鞏

[圖片]

今天去測試，輻射在30KHZ的時候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點一下啊！驅動電阻改大也沒有用

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小鞏

2012-02-18 15:15

@綿陽人

今天去測試，輻射在30KHZ的時候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點一下啊！驅動電阻改大也沒有用

看來這個還是真不好整呀。

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zxcmnbv888

LV.5

2012-02-19 21:42

@綿陽人

今天去測試，輻射在30KHZ的時候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點一下啊！驅動電阻改大也沒有用

什么30K 輻射那么低嗎 30M 好不好，把你原理圖發上來看看你做的是多大功率的

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yong168

LV.7

2012-02-19 23:30

@綿陽人

今天去測試，輻射在30KHZ的時候，超了1DB，怎么搞都不下去，有沒有高手指點一下啊！驅動電阻改大也沒有用

這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應該可以過的了··

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小鞏

2012-02-20 10:00

@yong168

這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應該可以過的了··

學習中。

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jingzy

LV.4

2012-02-20 10:15

@yong168

這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應該可以過的了··

學習中！

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綿陽人

LV.4

2012-02-20 20:09

@yong168

這樣的話，變壓器上面加0.9圈銅箔吧···這樣應該可以過的了··

你是說外銅箔嗎？

內銅箔我是用線繞的

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