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  • AC/DC設(shè)計(jì)中,輸入85-440V交流電壓,用PI的芯片如何實(shí)現(xiàn)?

AC/DC設(shè)計(jì)中,輸入85-440V交流電壓,用PI的芯片如何實(shí)現(xiàn)?

AC/DC設(shè)計(jì)中,輸入交流電壓154V---440V,輸出單路10W5V/2A

或者輸出雙路,一路10W5V/2A,另一路2W,12V,兩路之間采用光耦隔離。

因?yàn)镻I輸出電壓范圍都是在85--265之間的,請(qǐng)問(wèn)用PI的芯片如何實(shí)現(xiàn)?該選用什么芯片?用TNY278可以嗎?

謝謝!

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leo.xu
LV.7
2
2012-01-13 09:33

輸入電壓過(guò)高,內(nèi)部集成MOS耐壓不夠, PI有個(gè)DEMO資料串個(gè)MOS做反激的可以參考,建議不要采用,效率做不高,對(duì)串的MOS要求也高

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小凡凡
LV.7
3
2012-01-13 09:53

不要用TNY系列,TOP些列就行了,700V的耐壓,有足夠發(fā)揮的余地.....

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jade.li
LV.5
4
2012-01-13 10:27
@leo.xu
輸入電壓過(guò)高,內(nèi)部集成MOS耐壓不夠,PI有個(gè)DEMO資料串個(gè)MOS做反激的可以參考,建議不要采用,效率做不高,對(duì)串的MOS要求也高
請(qǐng)問(wèn)MOS具體有什么要求呢?
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xxl2406
LV.3
5
2012-01-13 16:45
@小凡凡
不要用TNY系列,TOP些列就行了,700V的耐壓,有足夠發(fā)揮的余地.....
那請(qǐng)問(wèn)用TOP254可以不?   有沒(méi)有具體的電路參考啊?  內(nèi)部700V耐壓為什么TOP系列輸入還是85-265V?不明白。。。
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xxl2406
LV.3
6
2012-01-13 16:49
@leo.xu
輸入電壓過(guò)高,內(nèi)部集成MOS耐壓不夠,PI有個(gè)DEMO資料串個(gè)MOS做反激的可以參考,建議不要采用,效率做不高,對(duì)串的MOS要求也高
如果對(duì)效率暫時(shí)沒(méi)有要求?您說(shuō)的那個(gè)DEMO串MOS的資料哪里可以下呢?推薦一下。。。謝謝!  另外我想問(wèn)一下,有些電表的電源他們輸入范圍是在440V的,請(qǐng)問(wèn)PI在這方面有什么好的方案?
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謝厚林
LV.12
7
2012-01-13 17:20
@xxl2406
那請(qǐng)問(wèn)用TOP254可以不?  有沒(méi)有具體的電路參考啊? 內(nèi)部700V耐壓為什么TOP系列輸入還是85-265V?不明白。。。
85V-265Vac是一般電壓輸入規(guī)格
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xxl2406
LV.3
8
2012-01-13 21:26
@謝厚林
85V-265Vac是一般電壓輸入規(guī)格
那請(qǐng)問(wèn)TOP系列的最大輸入電壓能夠輸入多少V?
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小凡凡
LV.7
9
2012-01-13 21:41
@xxl2406
那請(qǐng)問(wèn)TOP系列的最大輸入電壓能夠輸入多少V?

最惡劣情況下不要超過(guò)650V,留50V裕量就行了,看你怎么設(shè)計(jì)

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謝厚林
LV.12
10
2012-01-14 10:02
@xxl2406
那請(qǐng)問(wèn)TOP系列的最大輸入電壓能夠輸入多少V?
輸入電壓這要看你的設(shè)計(jì)。Vor設(shè)計(jì)的高低,和漏感都會(huì)影響Vds的高低。
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xxl2406
LV.3
11
2012-01-16 09:37
@leo.xu
輸入電壓過(guò)高,內(nèi)部集成MOS耐壓不夠,PI有個(gè)DEMO資料串個(gè)MOS做反激的可以參考,建議不要采用,效率做不高,對(duì)串的MOS要求也高
請(qǐng)問(wèn)PI  “DEMO資料串個(gè)MOS做反激”的資料哪里有?請(qǐng)幫忙給個(gè)鏈接,謝謝! 我的QQ550123410
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民展微
LV.4
12
2012-01-17 16:29
@謝厚林
輸入電壓這要看你的設(shè)計(jì)。Vor設(shè)計(jì)的高低,和漏感都會(huì)影響Vds的高低。
**此帖已被管理員刪除**
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謝厚林
LV.12
13
2012-01-18 22:55
@民展微
**此帖已被管理員刪除**
耐壓和輸入電壓不是一個(gè)概念。耐壓是IC的漏極最高承受電壓。輸入電壓越高,漏極的電壓也會(huì)越高。
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xxl2406
LV.3
14
2012-01-31 17:35
@leo.xu
輸入電壓過(guò)高,內(nèi)部集成MOS耐壓不夠,PI有個(gè)DEMO資料串個(gè)MOS做反激的可以參考,建議不要采用,效率做不高,對(duì)串的MOS要求也高
如果對(duì)效率暫時(shí)沒(méi)有要求?您說(shuō)的那個(gè)DEMO串MOS的資料哪里可以下呢?推薦一下。。。謝謝! 我的QQ550123410  另外我想問(wèn)一下,有些電表的電源他們輸入范圍是在440V的,請(qǐng)問(wèn)PI在這方面有什么好的方案?
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謝厚林
LV.12
15
2012-02-01 09:15
@民展微
**此帖已被管理員刪除**
不要暈,你還有什么問(wèn)題?
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jackbo
LV.2
16
2012-02-05 13:45
內(nèi)置MOS耐壓800V的應(yīng)該可以高輸入滿足設(shè)計(jì)要求,反射電壓在變壓器設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)的低一些。英飛凌有一些耐壓800V的IC,其他公司目前沒(méi)有用過(guò)。
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leo.xu
LV.7
17
2012-02-07 13:56
@jackbo
內(nèi)置MOS耐壓800V的應(yīng)該可以高輸入滿足設(shè)計(jì)要求,反射電壓在變壓器設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)的低一些。英飛凌有一些耐壓800V的IC,其他公司目前沒(méi)有用過(guò)。

英洛華的也是800V的

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LPQQQ
LV.5
18
2012-03-09 10:43
@leo.xu
英洛華的也是800V的
在高壓輸入端增加調(diào)整管,設(shè)定輸出直流電壓360伏,不過(guò)損耗發(fā)熱大呀。
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