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【原創】逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解

    【謝謝】這個帖子居然加分了,謝謝版主!

 

       這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關的特性。

大家都知道,IGBT單管相當的脆弱,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT上去,可能開機帶載就炸了。這一點很多人估計都深有體會。當時我看到做魚機的哥們用FGH25N120AND這個,反映很容易就燒了,當時不以為然。

只到我在工作中遇到,一定要使用IGBT的時候,我才發現我錯了,當初我非常天真的認為,一個IRFP460,20A/500V的MOSFET,我用個SGH40N60UFD  40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會炸的吧,實際情況卻是,帶載之后,突然加負載和撤銷負載,幾次下來就炸了,我以為是電路沒有焊接好,然后同樣的換上去,照樣炸掉,這樣白白浪費了好多IGBT。

后來發現一些規律,就是采用峰值電流保護的措施就能讓IGBT不會炸,下面我就會將這些東西一起詳細的說一說,說的不好請大家見諒,這個帖子會慢慢更新,也希望高手們多多提出意見。

我們將這個問題看出幾個部分來解決:

1,驅動電路;

2,電流采集電路;

3,保護機制;

 

一、驅動電路

這次采用的IGBT為IXYS的,IXGH48N60B3D1,詳細規格書如下:IXGH48N60B3D1 

    驅動電路如下:

 

這是一個非常典型的應用電路,完全可以用于IGBT或者MOSFET,但是也有些不一樣的地方。

1,有負壓產生電路,

2,隔離驅動,

3,單獨電源供電。

首先我們來總體看看,這個電路沒有保護,用在逆變上100%炸,但是我們可以將這個電路的實質摸清楚。

先講講重點:

1:驅動電阻R2,這個在驅動里頭非常重要,圖上還有D1配合關閉的時候,讓IGBT的CGE快速的放電,實際上看需要,這個D1也可以不要,也可以在D1回路里頭串聯一個電阻做0FF關閉時候的柵極電阻。

下面發幾個波形照片,不同的柵極電阻,和高壓HV+400V共同產生作用的時候,上下2個IGBT柵極的實際情況。

 

上面的圖,是在取消負壓的時候,上下2管之間的柵極波形,柵極電阻都是在10R情況下。

上面的圖是在不加DC400V情況下測量2管G極波形,下圖是在DC400V情況下,2管的柵極波形。

為何第二個圖會有一個尖峰呢。這個要從IGBT的內部情況說起,簡單來說,IGBT的GE上有一個寄生的電容,它和另外的CGC一個寄生電容共同組成一個水池子,那就是QG,其實這個和MOSFET也很像的。

那么在來看看為何400V加上去,就會在下管上的G級上產生尖峰。借花獻佛,抓個圖片來說明:

 

如上圖所示,當上官開通的時候,此時是截止的,由于上官開通的時候,這個時候要引入DV/DT的概念,這個比較抽象,先不管它,簡單通俗的說就是上管開通的時候,上管等效為直通了,+DC400V電壓立馬加入到下管的C級上,這么高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過產生一個感應電流,這個感應電流上圖有公式計算,這個電流在RG電阻和驅動內阻的共同作用下,在下管的柵極上構成一個尖峰電壓,如上面那個示波器的截圖所示。到目前為止,沒有引入米勒電容的概念,理解了這些,然后對著規格書一看,米勒電容是什么,對電路有何影響,就容易理解多了。

 

這個尖峰有許多壞處,從上面示波器截圖可以看出來,在尖峰時刻,下管實際上已經到7V電壓了,也就是說,在尖峰的這個時間段內,上下2個管子是共同導通的。下管的導通時間短,但是由于有TON的時間關系在里面,所以這個電流不會太大。管子不會炸,但是會發熱,隨著傳輸的功率越大,這個情況會更加嚴重,大大影響效率。

本來是要發出加入負壓之后波形照片,負壓可以使這個尖峰在安全的電平范圍內。示波器需要U盤導出位圖,這樣清晰,今天發懶沒有摸儀器了,后面再去補上去。


二,電流采集電路

說到這一步,就是離保護不遠了,我的經驗就是電流采集速度要很快,這樣才能在過流或短路的時候迅速告訴后面的電路->,這里出問題了。讓IGBT迅速安全的關閉。

這個電路該如何實現呢?對于逆變電路,我們可以直接用電阻采樣,也可以用VCE管壓降探測方式。管壓降探測這個論壇里有多次討論出現過,但是都沒有一個真正能用,
真正實際應用過,測試過的電路(專用驅動芯片例外),這是因為每種實際應用的參數大不一樣,比如IGBT參數不同,需要調整的參數很多,需要一定的經驗做調整。


我們可以從最簡單的方式入手,采用電阻檢測這個電流,短路來了,可以在電阻上產生壓降,用比較器和這個電壓進行比較,得出最終是否有過流或者短路信號。

用這個圖就可以了,因為原理非常簡單,就一個比較的作用,大家實現起來會非常容易,沒有多少參數可以調整的。

 

上圖是采樣H橋對地的電流,舉個例子:如果IGBT是40A,我們可以采取2倍左右的峰值電流,也就是80A,對應上圖,RS為0.01R,如果流入超過80A脈沖電流那么在該電阻上
產生0.01R*80A=0.8V電壓,此電壓經過R11,C11消隱之后到比較器的+端,與來自-端的基準電壓相比較,圖上的-端參考電阻設置不對,實際中請另外計算,本例可以分別
采用5.1K和1K電阻分壓變成0.81V左右到-端,此時如果采樣電阻RS上的電壓超過0.8V以上,比較器立即翻轉,輸出SD 5V電平到外部的電路中。這個變化的電平信號就是我們
后面接下來需要使用的是否短路過流的信號了。

有了這個信號了,那我們如何關閉IGBT呢?我們可以看情形是否采取軟關閉,也可以采取直接硬關閉。

采取軟關閉,可以有效防止在關閉的瞬間造成電路的電壓升高的情況,關閉特性非常軟,很溫柔,非常適合于高壓大功率的驅動電路。


如果采取硬關閉,可能會造成高壓DC上的電壓過沖,

比如第一圖中的DC400V高壓可能變成瞬間變成DC600V也說不定,當時我看一些資料上的記載的時候,非常
難以理解:關就關了嘛,高壓難道還自己升上去了?實際情況卻是真實存在的。

如果大家難以理解,可以做個試驗,家里有水塔的,最清楚,水塔在很高的樓上,水龍頭在一樓,
打開水龍頭,水留下來了,然后用極快的速度關閉這個水龍頭,你會聽到水管子有響聲,連水管子都會要震動一下(不知道說的對不對,請高手指正,在此引入水龍頭這個例子
還得感謝我讀書的時候,老師看我們太笨了,講三極管特性原理的時候打的比喻,在此我要感謝他),IGBT在橋電路的原理同樣如此。在IGBT嚴重短路的時候,如果立馬硬關閉
IGBT,輕則只是會在母線上造成過沖的感應電壓(至于為何會過沖可以查閱相關資料,很多資料都說到了),管子能抗過去,比如你在直流高壓母線上并聯了非常好的吸收電容,
有多重吸收電路等等。。

重則,管子關閉的時候會失效,關了也沒有用,IGBT還是會被過沖電壓擊穿短路,而且這個短路是沒有辦法恢復的,會立即損壞非常多的電路。有時候沒有過壓也能引起這種現象,
這個失效的原理具體模型本人未知,但是可以想象的是可能是由于管子相關的其他寄生電容和米勒電容共同引起失效的,或者是由于在過流,短路信號發生時候,IGBT已經發生了擎柱效應
就算你去關,關也關不死了。

還有第三種方式,是叫做:二級關閉,這種方式簡單來說,就是檢測到了短路,過流信號,PWM此時這個脈沖并沒有打算軟關閉或直接關閉,而是立即將此時刻對應的VGE驅動脈沖電壓降低到8V左右
以此來判斷是否還是在過流或短路區域,如果還是,繼續沿用這個8V的驅動,一直到設定的時間,比如多個個us還是這樣就會立即關了,如果不是,PWM將會恢復正常。這種方式一般可能見到不多,
所以我們不做深入研究。


理解了這些,我們可以看情況來具體采用那些關閉的方式,我認為在2KW級別中,DC380V內,直接采取硬關閉已經可以滿足要求了,只需要在H橋上并聯吸收特性良好的一個電容,就可以用600V的IGBT了。

關鍵的一點就是檢測時候要快速,檢測之后要關閉快速,只有做到了快,IGBT就不會燒。

 


(更新。。。。。。)打幾個字,好累,高手們繼續提出自己不同的見解!

 

(更新。。。。。。)打幾個字,好累,高手們繼續提出自己不同的見解!

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ta7698
LV.9
2
2011-12-28 16:00
說的不錯,IGBT代MOS確實是有這樣的問題,樓主繼續,學習一下。
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2011-12-28 16:01
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2011-12-28 16:09
@獨在水鄉
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樓上繼續,坐等!
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2011-12-28 16:12
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**

IGBT自身C-E短路后,如何處理? 

發生這種情況,一般都是不可恢復的故障,我們通常的做法是在HV+400V上加入一個保險,這是變頻器的通常做法。

現實中商品機器,有的沒有加入這個保險絲,有的是在橋路下部有一個MOSFET/IGBT做開關,沒有加入到保險絲的時候,前級會炸。會損壞相當多的元件。

 

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2011-12-28 16:15

如果采用專用驅動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護。

但是詳細了解IGBT特性之后,將會對產品設計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。

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2011-12-28 16:18
@lizlk
IGBT自身C-E短路后,如何處理? 發生這種情況,一般都是不可恢復的故障,我們通常的做法是在HV+400V上加入一個保險,這是變頻器的通常做法。現實中商品機器,有的沒有加入這個保險絲,有的是在橋路下部有一個MOSFET/IGBT做開關,沒有加入到保險絲的時候,前級會炸。會損壞相當多的元件。 
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SZLQ
LV.4
8
2011-12-28 16:19
@lizlk
如果采用專用驅動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護。但是詳細了解IGBT特性之后,將會對產品設計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。
繼續。。。
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2011-12-28 16:23
@lizlk
如果采用專用驅動芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之類的芯片,由于芯片考慮了IGBT的所有情況,所有就有非常多的保護。但是詳細了解IGBT特性之后,將會對產品設計帶來更好的效果,因為深層次的東西都了解了。
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2011-12-28 16:24
@獨在水鄉
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模塊除外,

實際上我認為保險的左右是為了,在IGBT有不可恢復的災難性故障的時候,熔斷,而不至于造成IGBT爆炸,現有的非常多的產品都是這樣實現的,繼電器的方式要解決許多問題,其中高壓直流拉弧的問題,一般繼電器用不了,只能用專用的繼電器高DC直流電壓的這種。

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2011-12-28 16:26
@SZLQ
繼續。。。
**此帖已被管理員刪除**
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2011-12-28 16:41
@滔滔江水~~~
[圖片]
樓主繼續專心聽講正好想學學IGBT驅動,買了幾個二手的還不只到咋用?
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2011-12-28 16:46
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**

告訴你吧,絕對不會炸整流器,這個保險絲放置的地方有學問的,看看變頻器就知道了。

我再次說明,保護IGBT不是靠保險絲,保險絲只是最后一道門檻,防止IGBT爆炸或者冒煙。

我做了很多這種產品,DC低壓輸入從來不用放置什么保險,全部在高壓保險,就算H橋全部直通,前級照樣不壞,只會炸保險絲,升壓不會產生任何影響。

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2011-12-28 16:48
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**
靠繼電器,也不能保護IGBT,你的方式只是在IGBT擊穿之后,不讓他炸開,或者起火而已,和保險絲相比不知道有什么優勢,保險絲這個東西成熟,我沒有在變頻器上面看到用繼電器搞的,當然有些有,也不一定。
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2011-12-28 16:52
@神舟八號
樓主繼續專心聽講正好想學學IGBT驅動,買了幾個二手的還不只到咋用?
**此帖已被管理員刪除**
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2011-12-28 16:57
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**
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tby2008
LV.9
17
2011-12-28 17:00

最近我也一直在搜集關于IGBT保護的方法,降柵壓軟關斷技術還是比較先進的

IGBT做H橋后級,曾經看到過用mos和IGBT并聯的事例,利用mos的拖尾短的優點,IGBT充當主功率管,當IGBT關掉后,mos要延時一會在關;

還有一種是上臂用IGBT  下臂用mos的

談到IGBT和mos并用  曾經有過一個想法  來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題

主mos并聯按正常接法  同時并接一個副mos管承擔吸收的作用

就是在這個副mos GS間并接合適的電容

當主mos先關斷后  由于副mos的延遲作用  從而吸收尖峰電壓

當然推挽驅動的前提是要有合適的死區時間,不然副mos只好犧牲了

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2011-12-28 17:01
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**

我明白你的意思,你放置繼電器的作用是干嘛呢?不就是在IGBT擊穿之后,不會造成其他的東西破壞而已嘛,如果只是這個簡單的作用,為何不直接保險絲來的快,此時保險絲不是用來做保護的,而是用來在IGBT擊穿之后,不會燒別的東西,這一點沒有任何問題,不知道你明不明白。

以現在公司的產品方案,就算是H橋壞掉,直接短路,都只會燒保險,而不會燒升壓MOS,高壓二極管之類的東西。這一點,我相信很多人都體驗了,因為很多人做了壽版的600W機器上就是這樣,要是沒有這個保險,前級升壓MOS肯定壞掉。

IGBT短路保護,這個一定要有,也就是本貼接下來要做的保護相關的事情。由于短路保護,以及短路時候的檢測都涉及多方面的事情,今天寫不了啦,明天接著寫。

 

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2011-12-28 17:10
@tby2008
最近我也一直在搜集關于IGBT保護的方法,降柵壓軟關斷技術還是比較先進的IGBT做H橋后級,曾經看到過用mos和IGBT并聯的事例,利用mos的拖尾短的優點,IGBT充當主功率管,當IGBT關掉后,mos要延時一會在關;還有一種是上臂用IGBT 下臂用mos的談到IGBT和mos并用 曾經有過一個想法 來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題主mos并聯按正常接法 同時并接一個副mos管承擔吸收的作用就是在這個副mosGS間并接合適的電容當主mos先關斷后 由于副mos的延遲作用 從而吸收尖峰電壓當然推挽驅動的前提是要有合適的死區時間,不然副mos只好犧牲了

嗯,高手終于出現了,看得出你也研究的非常久和非常多了。

軟降柵壓是在IGBT過流情況下的時候需要這個操作,因為在IGBT過流的時候,如果里面關閉,DI/DT會跳出來和引線,雜散電感一起感應出非常高的電壓,造成IGBT擊穿。挼關閉就可以解決這個問題。

除了軟關閉,還有一種方式,就是二極關閉,這是另外的一種,這種技術可以將驅動特性做的非常硬,而且性能和軟關閉一樣好。

IGBT和MOS的組合,應用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。這種方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就會炸的很快。

H橋內有IGBT,又有MOS,一般在特定的機器上會出現,比如并網逆變器,通過一些高效的SPWM調制方式實現高效,低損耗,由于負載類型是單一,所以不需要考慮太多隱藏的因素。

希望高手們多多提出自己的意見,相互交流。

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2011-12-28 17:11
@tby2008
最近我也一直在搜集關于IGBT保護的方法,降柵壓軟關斷技術還是比較先進的IGBT做H橋后級,曾經看到過用mos和IGBT并聯的事例,利用mos的拖尾短的優點,IGBT充當主功率管,當IGBT關掉后,mos要延時一會在關;還有一種是上臂用IGBT 下臂用mos的談到IGBT和mos并用 曾經有過一個想法 來改善mos推挽電路的尖峰吸收問題主mos并聯按正常接法 同時并接一個副mos管承擔吸收的作用就是在這個副mosGS間并接合適的電容當主mos先關斷后 由于副mos的延遲作用 從而吸收尖峰電壓當然推挽驅動的前提是要有合適的死區時間,不然副mos只好犧牲了
**此帖已被管理員刪除**
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2011-12-28 17:15
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**

我不明白你為何老是這么偏激,你看不進半點人家的意見,誰說了保護靠保險絲啊?和你溝通真是太難了,扯技術問題都這么難溝通,真搞不懂你。

我上面一再說明,保險絲是用來在IGBT擊穿之后,不將故障范圍擴大而已比如起火、爆炸之類,短路保護檢測還得用別的方式來進行的。說了這么多,都是白扯,呵呵。

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2011-12-28 19:02
@獨在水鄉
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我有個問題,繼電器的速度是否來得及?
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2011-12-28 19:11
@lizlk
嗯,高手終于出現了,看得出你也研究的非常久和非常多了。軟降柵壓是在IGBT過流情況下的時候需要這個操作,因為在IGBT過流的時候,如果里面關閉,DI/DT會跳出來和引線,雜散電感一起感應出非常高的電壓,造成IGBT擊穿。挼關閉就可以解決這個問題。除了軟關閉,還有一種方式,就是二極關閉,這是另外的一種,這種技術可以將驅動特性做的非常硬,而且性能和軟關閉一樣好。IGBT和MOS的組合,應用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。這種方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就會炸的很快。H橋內有IGBT,又有MOS,一般在特定的機器上會出現,比如并網逆變器,通過一些高效的SPWM調制方式實現高效,低損耗,由于負載類型是單一,所以不需要考慮太多隱藏的因素。希望高手們多多提出自己的意見,相互交流。

師傅,我的1000W機器,原先用的也是IGBT管G40N60,也燒過幾次,貌視這個尖峰是相當危險的,所以,在沒有用316J的情況下,我一般不敢用IGBT管了。青島程工民也和我說,在大功率情況下,IGBT管的發熱比MOS管小,我當時也覺得不可思議。

 

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btma
LV.8
24
2011-12-28 19:35
關注這個話題。IGBT的驅動和保護是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護應該是在設計階段就開始重視,防止發生功率管的損壞。至于已經發生故障了,要保護IGBT已經晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內,加保險或繼電器就是防止損壞的擴大。因此才有IGBT的驅動過流保護電路,希望在開始過流時就關斷(含軟關斷)IGBT。
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qghqgh
LV.6
25
2011-12-28 19:55
@獨在水鄉
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請您幫我推薦個能長時間過DC400V10A的繼電器看看?繼電器跳也是要時間的.這時間足夠炸管子了.
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ytwsdz
LV.7
26
2011-12-28 20:19

多幾句話哈,不明白就當沒看到,我們不是研究永動機的料哈,正題。

說到保護,有關書類有太多,西安那有個公司從那購了三大本有關功率器件的研究

有一天總于想明白了,保護千萬不要多不要亂,如請保標一樣,能著幾個就可,多了沒用,有誰能確保標的不變心不睡覺呢?同樣在電路上也是一樣。

問題還是在器件上,器件是廠家供給的,與理想總是有差別的,不可能不壞的,為了減小壞的故障率,就要給器件下半旗,留下余量是最好的辦法。如非要超能力研究,燒管那是太對的起你了,應該燒。

做事有余量基本成就就快出來了,那為何還有燒的問題呢,前級!!!管子如人體一樣,它張開口等著你給他吃什么,吃的不好就要有病了,所以嚴把入口關,這入口電源一定要做到細細細,內層函蓋一個技術人員的心血,別小看這入口關,你自己親手做的變壓器或許可放心(做到家才可以),別人加工的你不能相信更不能永遠相信是合格品!!!何況還有再生器件哈。

MOS與IGBT有著別,驅動是要調整的。那個G電阻多大是重要問題,防止共導產生的保護必須要有!!!電路中的相位一定要測量哈!

從后面設置的保護如同到醫院化驗一樣泄后!不是強調的。

對于實際電路我也不能全推出來,點到為止。畢竟我要吃這碗飯,拍磚可以,粗口就讓你,

電路簡單是技術,從讀完那三本書,爆出一些心血,再沒用過什么保護芯片,什么亂七八糟的保標電路。

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2011-12-28 20:31
@蕭山老壽
師傅,我的1000W機器,原先用的也是IGBT管G40N60,也燒過幾次,貌視這個尖峰是相當危險的,所以,在沒有用316J的情況下,我一般不敢用IGBT管了。青島程工民也和我說,在大功率情況下,IGBT管的發熱比MOS管小,我當時也覺得不可思議。 

這幾天我搜尋了一下IGBT專驅芯片,有幾種非常值得推薦:

1,HCPL-316J

2,PC929,這個驅動大功率器件需要另外加圖騰。

3,ACPL-332J、330J

4,其實AVAGO公司網上有許多種帶VCE飽和檢測的專驅芯片。

對于米勒電容引起的這個尖峰,致命的是在下管,實際上下管也會通過寄生電容引起上管的柵極電壓過沖,不過是負向過沖,下管的是正向過沖,這個問題在MOSFET上可能會造成發熱和隨著功率加大,效率變得低下。

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2011-12-28 20:32
@btma
關注這個話題。IGBT的驅動和保護是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護應該是在設計階段就開始重視,防止發生功率管的損壞。至于已經發生故障了,要保護IGBT已經晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內,加保險或繼電器就是防止損壞的擴大。因此才有IGBT的驅動過流保護電路,希望在開始過流時就關斷(含軟關斷)IGBT。
對的,只有檢測在短路的瞬間,也就是在US級的時候軟關閉IGBT,這樣才能安全。
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2011-12-28 20:38
@btma
關注這個話題。IGBT的驅動和保護是一個專門的話題,有很多技巧。最有效的保護應該是在設計階段就開始重視,防止發生功率管的損壞。至于已經發生故障了,要保護IGBT已經晚了,加保險、繼電器都在時間量級上來不及,熔斷器、繼電器都是ms以上級別,一般IGBT穿通時就能抗20us內,加保險或繼電器就是防止損壞的擴大。因此才有IGBT的驅動過流保護電路,希望在開始過流時就關斷(含軟關斷)IGBT。
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2011-12-28 20:48
@ytwsdz
多幾句話哈,不明白就當沒看到,我們不是研究永動機的料哈,正題。說到保護,有關書類有太多,西安那有個公司從那購了三大本有關功率器件的研究有一天總于想明白了,保護千萬不要多不要亂,如請保標一樣,能著幾個就可,多了沒用,有誰能確保標的不變心不睡覺呢?同樣在電路上也是一樣。問題還是在器件上,器件是廠家供給的,與理想總是有差別的,不可能不壞的,為了減小壞的故障率,就要給器件下半旗,留下余量是最好的辦法。如非要超能力研究,燒管那是太對的起你了,應該燒。做事有余量基本成就就快出來了,那為何還有燒的問題呢,前級!!!管子如人體一樣,它張開口等著你給他吃什么,吃的不好就要有病了,所以嚴把入口關,這入口電源一定要做到細細細,內層函蓋一個技術人員的心血,別小看這入口關,你自己親手做的變壓器或許可放心(做到家才可以),別人加工的你不能相信更不能永遠相信是合格品!!!何況還有再生器件哈。MOS與IGBT有著別,驅動是要調整的。那個G電阻多大是重要問題,防止共導產生的保護必須要有!!!電路中的相位一定要測量哈!從后面設置的保護如同到醫院化驗一樣泄后!不是強調的。對于實際電路我也不能全推出來,點到為止。畢竟我要吃這碗飯,拍磚可以,粗口就讓你,電路簡單是技術,從讀完那三本書,爆出一些心血,再沒用過什么保護芯片,什么亂七八糟的保標電路。

是啊,您說了很多重點,謝謝!

但是還有些需要您的指點:您在上面說了降半旗,這個降半旗的額度如何定呢?

因為IGBT通常標的參數都是在100度,或者120度下面的參數,與在25度下的電流相差甚大,實際如何選用IGBT呢?

我當時做過一個最成功的試驗就是用SGH40N60UFD,這個管子是40A 25度下的,100度下才20A,逆變做220V/1000W阻性負載,由于有逐脈沖限流,高壓在380V,短路也沒有燒掉,是不是可以按照這個100度的電流比例來選用管子呢,這個問題我一直沒有搞明白,請指教!

您是不是指的就是用分立的元件來實現VCE檢測+軟關閉,配和好IGBT的傳輸特性曲線,找準VCE對應IC電流點的位置做閥值?我現在的電路非常簡單,就是這樣做的,但是沒有批量生產,不知您對此有何建議?

您不貼出那個電路,我表示支持。

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2011-12-28 20:51
@獨在水鄉
**此帖已被管理員刪除**

不會掛的,他沒有標注基準參數,抗20US極有可能

1:他沒有說VGE電壓多高,

2:他沒有說直流高壓有多高

3:他沒有說G極電阻多大。

在10US內都是有限制條件的,現在的低VCE On場截止的IGBT哪里還能抗10us,都在5us左右了。

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