兩個辦法試試,一是加大過流保護閾值,即減小RSENCE電阻
二是加大保護延時,即增加CDT電容
同意樓上觀點
1.增大短路延時,根據電池倍率適當調延時根據MOS管可以控制10MS以下,容性負2200以下,一般1~5MS延時基本可能實現,
2.過流延時加長,不要增大過流值(增大過流值而實現容性負載有很大弊端)