寫反激的帖子很多，但很多帖子對于這個問題并沒有講透，特開一帖詳細說明，如果有誤，請共同探討，力圖把這個問題完全講明白。先上初級線圈電流波形：
圖中Ipk1表示DCM條件下的電感峰值電流，Ipk2表示CCM條件下的電感峰值電流。如果我們要設計一個反激電源，要求輸出電壓Vo、輸出電流Io，輸入最低直流電壓Vin、輸入最高直流電壓Vm。設計的第一步先規定一個工作頻率f（當然頻率的確定需要考慮很多因素，但這里只專注于討論DCM和CCM工作模式，暫且直接規定f），然后規定最大占空比D（反激通常在0.5以下為佳），現在分別按照DCM和CCM模式進行設計：
1、因為輸出功率等于輸入功率乘以效率，而輸出功率為Vo*Io，輸入電壓范圍也已知，所以首先假定效率并計算初級電流。
如果我們設計為DCM工作方式，顯然峰值電流更高，但由于其能量完全傳遞，在散熱允許的條件下，DCM方式可以用相對較小的磁芯輸出更大的功率。
2、初級電流確定后，就可以由此計算出初級所需的電感量L。
因為KRF一定小于1，所以L2一定大于L1，即同樣輸出功率、同樣輸入電壓、同樣開關頻率和占空比、同樣效率時，DCM的電感量一定小于CCM的電感量。
3、選擇合適的磁芯。
Vo和Io已知，Bm由磁性材料和工作溫度決定，由于采用有效值進行計算，所以Kj可以取8A/mm2，但需要注意趨膚效應。初級線圈窗口利用率Kw，假設用圓線把窗口繞滿，則總的利用率為3.14/4=78.5%；再假設輔助繞組、屏蔽層、絕緣膠帶占用15%，則初次級繞組共占78.5%-15%=63.5%；通常次級圈數少，優先考慮次級繞完滿層，所以初級需要占用較多的窗口面積，假定初級占36%；為了滿足絕緣要求，普通漆包線繞制變壓器是還需要加檔墻，由于檔墻是固定寬度的，所以磁芯繞線寬度越短，檔墻占據的比例越高，小功率應用場合甚至可能占30%以上。所以功率越小越依靠經驗選擇磁芯，估算的初級線圈窗口利用率誤差非常大。
4、計算變壓器各繞組圈數和線徑。
5、計算功率器件的電壓電流。主開關FET的電流有效值與變壓器初級電流有效值相同，峰值電壓和峰值電流：
；整流二極管的電流有效值
，峰值電壓和峰值電流：
注意：磁芯的選擇需要考慮的問題很多，首先考慮的是材質和環境溫度，如果環境溫度很高（70度？），而且磁材的溫升也較高（XX度/（W cm3））、居里溫度卻相對較低，那么就要盡可能減小鐵損。鐵損是和材質、頻率（f）和磁擺幅（delt B）相關的，頻率越高或者delt B越大，鐵損就越大，所以高頻（>300KHz？）或高溫（>55度？）應用條件，需要選用特殊磁材或者降低工作頻率或者減小delt B。
。今晚就推導你和Z版的帖子。明天我們在探討。同時，期待你更多的帖子。
。能看出你對這方面研究很深入。你上面提出的幾個觀點；第一點，不是很明白，請詳細解答一下。第二，三，五，七點，實際中基本也是這樣做的。第四點，有問題，大家平時都是通過一些手段或者繞法降低變壓器的漏感，讓其在初級感量的1%—5%，2%為宜，你所謂的超低漏感是多少？怎么才能做到超低的漏感呢？第六點，怎么設計才能保證磁芯和繞組二者的溫升差別不到5℃？還有就是二者的溫差如何測試？期待你的解答。
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