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70W變壓器繞制測試總結

前段時間搞了好久70的產品,試驗了不同變壓器繞法產品的EMI和輻射,現總結如下,發出來一起探討:

使用主IC   LD7750產品輸入電壓90-264輸出24V 3A使用變壓器PQ3220(有點浪費);

變壓器采用三明治繞法主要測試不同屏蔽的時候EMI效果:

Ns次級,Np初級,Nvcc輔助繞組,E1屏蔽

1.1/2Np-E1-NS-Nvcc-1/2Np;

2.E1-1/2Np-E1-Ns-Nvcc-1/2Np;

3.1/2Np-E1-NS-1/4NP-NS-NVCC-1/4NP

變壓器繞組圈;數:NP:NS:NVCC=31:8:7主感量580  ,漏感  12uH以下;

經過測試:

1。經測試主感量在580  漏感在11.5u  在150K-5M段有12DB余量,在5-30有20DB余量;

      輻射在68M的時115V-230V都是只有6DB余量,應該是IC主頻的倍頻干擾吧好像沒有很好的消除辦法;

2。經測試主感量在585u,漏感在12u,在150K-5M段有20DB余量,在5-30DB也有20DB余量;

       輻射和1沒有差別;

3。主感量在580,漏感在7.5u    在150K-5M段只有5-8DB余量,在5-30M有23DB左右。

     輻射和1也沒有多少差別。

總結:經過測試總結到屏蔽繞組對傳導挺有用的,加的越多好像越管用(對低頻段);貌似對輻射沒有多大作用;

待解決的問題:經過測試輻射發現輻射不過大概由下邊三個地方發出:

1。MOS的D極發出的干擾貌似在30-60M左右不知道對不對;改善RCD可以解決可是可能不會有很好的效果;

2。IC本身發出的主頻倍頻干擾,比如主頻68K 的IC 在64-72MHz輻射出現尖峰;還沒有很好的解決辦法;是不是加大驅動電阻會有效果,還是因為布線不好造成IC主頻倍頻出現干擾;

3。肖特基反向恢復電流引起的尖峰干擾,主要在40-100M左右吧,解決的方法很多改變產品工作模式;加大RC吸收,加磁珠都可以。

傳導出現的問題以后再發,貌似也挺復雜;

 

最近在調試一款70W   12V  6A的產品  客戶要求使用1.8M的線材能耗過CEC5,哎怎么調都不行啊,

其實CEC說白了就是玩半載和25%負載時候的效率,能達到90以上,平均效率就好過了。呵呵。。

 

 

 

 

全部回復(25)
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2011-11-09 08:20
沙發
0
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2011-11-09 12:48
@獨在水鄉
沙發

給力,

看看再,

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2011-11-09 13:15
樓主能否原理圖和PCB圖上傳一下,讓大家學習學習啊!
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2011-11-09 14:17
不錯,有總結就會有進步!
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2011-11-09 19:44
@xiaobailong
樓主能否原理圖和PCB圖上傳一下,讓大家學習學習啊!
原理圖和PCB板都很簡單,明天下班了把數據COPY回來,發出來。。
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2011-11-09 23:12
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cheng111
LV.11
8
2011-11-10 11:43

總結的不錯。

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gzhenf
LV.4
9
2011-11-10 15:37
轉載了一些內容到http://bbs.dianyuan.com/topic/731589?t=269#last_post此貼中,沒關系吧
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wangbo0227
LV.8
10
2011-11-10 21:39
@gzhenf
轉載了一些內容到http://bbs.dianyuan.com/topic/731589?t=269#last_post此貼中,沒關系吧[圖片]

沒關系,歡迎常來。。

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dianyque
LV.4
11
2011-11-11 12:50

好, 實戰的東西,一定要頂

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mko145
LV.8
12
2011-11-11 14:14

很不錯,請再接再厲!  下面一點意見供參考 ~

1. 在變壓器的最外面加一層屏蔽或許有助于改善輻射。

2. MOS的開關動作產生的電磁干擾不限于30-60MHz,是全頻譜的。只不過由于PCB的走線,元件擺放位置,散熱片等結構原因使得某些頻率的噪聲得以輻射出來的多一些。(大電流開關回路的PCB走線及元件散熱片都相當于天線)。在MOS管上串個小磁珠也會有助于改善EMI。


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mujian123
LV.5
13
2011-11-11 14:42
@mko145
很不錯,請再接再厲! 下面一點意見供參考~1.在變壓器的最外面加一層屏蔽或許有助于改善輻射。2.MOS的開關動作產生的電磁干擾不限于30-60MHz,是全頻譜的。只不過由于PCB的走線,元件擺放位置,散熱片等結構原因使得某些頻率的噪聲得以輻射出來的多一些。(大電流開關回路的PCB走線及元件散熱片都相當于天線)。在MOS管上串個小磁珠也會有助于改善EMI。
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tony_dai
LV.8
14
2011-11-11 17:17
@笨小孩1114
不錯,有總結就會有進步!
說的不錯!頂一下
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wangbo0227
LV.8
15
2011-11-11 21:51
@mko145
很不錯,請再接再厲! 下面一點意見供參考~1.在變壓器的最外面加一層屏蔽或許有助于改善輻射。2.MOS的開關動作產生的電磁干擾不限于30-60MHz,是全頻譜的。只不過由于PCB的走線,元件擺放位置,散熱片等結構原因使得某些頻率的噪聲得以輻射出來的多一些。(大電流開關回路的PCB走線及元件散熱片都相當于天線)。在MOS管上串個小磁珠也會有助于改善EMI。
變壓器最外面加銅箔還沒有試過,這個產品不知道是不是因為IC主頻是68KHz的緣故,總是在50-70M輻射很高,只有7db左右的余量,可能稍微有點差異就導致輻射不過了,前兩天去測試輻射OKl了。今天讓別人帶過去測試輻射,3PIN輸入沒有過,真暈。過兩天還要去對策,按理論來說3PIN輸入應該是傳導難過一點,輻射應該沒有多少影響啊,怎么又是50-70M之間超標。
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jacobc
LV.4
16
2011-11-12 09:18
@wangbo0227
變壓器最外面加銅箔還沒有試過,這個產品不知道是不是因為IC主頻是68KHz的緣故,總是在50-70M輻射很高,只有7db左右的余量,可能稍微有點差異就導致輻射不過了,前兩天去測試輻射OKl了。今天讓別人帶過去測試輻射,3PIN輸入沒有過,真暈。過兩天還要去對策,按理論來說3PIN輸入應該是傳導難過一點,輻射應該沒有多少影響啊,怎么又是50-70M之間超標。
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gm2010
LV.4
17
2011-11-18 10:12
@jacobc
[圖片]
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preeminence
LV.4
18
2011-11-18 10:33

兄弟Vds的問題解了嗎?新變壓器有沒有去試下。有問題,請聯系我。50~70M超你可試著將驅動改慢一些。

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wangbo0227
LV.8
19
2011-11-18 20:39
@mko145
很不錯,請再接再厲! 下面一點意見供參考~1.在變壓器的最外面加一層屏蔽或許有助于改善輻射。2.MOS的開關動作產生的電磁干擾不限于30-60MHz,是全頻譜的。只不過由于PCB的走線,元件擺放位置,散熱片等結構原因使得某些頻率的噪聲得以輻射出來的多一些。(大電流開關回路的PCB走線及元件散熱片都相當于天線)。在MOS管上串個小磁珠也會有助于改善EMI。

前段時間測試了一下輻射,MOS 的D腳串磁珠,反而更差,之前的時候RCD使用的是FR1007,在上面串磁珠也是效果差,很奇怪。2PIN的贏輻射OK了,除了40-60M有點差以外其他的都還OK,可是今天3PIN的卻沒有過,3PIN的好像在30-60M的時候總體都很高,可是高壓230V的時候卻沒有問題,因為時間比較急,很倉促沒有很好的辦法對策,沒事了畫一個等效圖,分析下載看看。。。。期待同行解決一下

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wangbo0227
LV.8
20
2011-11-18 20:43
@preeminence
兄弟Vds的問題解了嗎?新變壓器有沒有去試下。有問題,請聯系我。50~70M超你可試著將驅動改慢一些。
今天下午公的好狼狽啊,之前的時候都我測試對策完了在等別人,今天讓他們等了我半個小時都沒有弄好,雖然后面加了一大堆東西弄好了。30-60M總體很高的原因,回來后想了一下,因為是AC120V測試時才出現上面的現象,覺得還是肖特基發出的干擾吧,MOS的Vds發出的干擾的話,應該高壓更厲害,可是高壓的時候卻很好。
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preeminence
LV.4
21
2011-11-18 21:14
@wangbo0227
今天下午公的好狼狽啊,之前的時候都我測試對策完了在等別人,今天讓他們等了我半個小時都沒有弄好,雖然后面加了一大堆東西弄好了。30-60M總體很高的原因,回來后想了一下,因為是AC120V測試時才出現上面的現象,覺得還是肖特基發出的干擾吧,MOS的Vds發出的干擾的話,應該高壓更厲害,可是高壓的時候卻很好。

你測試的時候沒有試著整改二次吸收電路參數嗎?二極體沒加過磁珠,但是30~60M一般情況下來說應該是MOSFET這邊傳出的干擾成份會比較多一些。大電解上有沒有并過CC.你還可以試著在第一個電感前L和N對地加471P左右的Y電容試下。

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wangbo0227
LV.8
22
2011-11-18 21:21
@preeminence
你測試的時候沒有試著整改二次吸收電路參數嗎?二極體沒加過磁珠,但是30~60M一般情況下來說應該是MOSFET這邊傳出的干擾成份會比較多一些。大電解上有沒有并過CC.你還可以試著在第一個電感前L和N對地加471P左右的Y電容試下。

MOS發出的噪音,一般情況下不是高壓輸入的時候更厲害啊,大電容和輸出電容和VCC電容都有加瓷片或SMD電容并聯。有沒有辦法找到30-60M雜訊是從哪里發出的啊,我的QQ:262414188加我慢慢討論。

 

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wangbo0227
LV.8
23
2011-11-18 21:35
@wangbo0227
MOS發出的噪音,一般情況下不是高壓輸入的時候更厲害啊,大電容和輸出電容和VCC電容都有加瓷片或SMD電容并聯。有沒有辦法找到30-60M雜訊是從哪里發出的啊,我的QQ:262414188加我慢慢討論。 
交流側的EMI濾波電感應該不會飽和吧,因為在低壓輸入的時候電流很大
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i7i8i92050
LV.2
24
2011-11-24 08:21
@wangbo0227
交流側的EMI濾波電感應該不會飽和吧,因為在低壓輸入的時候電流很大

輸出線上加個磁環看下,是不是這邊輻射出來的

初級L.N對大地有電容嗎,可以更改這兩個電容試試

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waterayay
LV.7
25
2011-11-24 15:47
路過~~
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wangbo0227
LV.8
26
2011-11-24 21:28
@i7i8i92050
輸出線上加個磁環看下,是不是這邊輻射出來的初級L.N對大地有電容嗎,可以更改這兩個電容試試
加了磁環效果也不怎么好,下去了2DB左右,目前3PIN的對策了很多,不過我都沒有信心再去測試了,覺得那樣還是過不了。
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