我是指從這個圖上能否大略的知道是過壓還是過流。我的判斷應該是過流，在容性狀態下炸的模塊。過壓的話一般不會這樣炸的。

從來沒發生這種情況，沒有現成的經驗給你。

炸模塊都是過熱造成的，有緩慢的過熱，在過熱保護失效的情況下。還有的是瞬間過熱，一般是欠激勵或者是短路保護速度慢，管芯迅速過熱而熱擊穿。很少有的情況是CE電壓有尖峰干擾竄入，CE擊穿，如果有CE限壓保護那只是丟卒保車，損壞的是保護元件，模塊就不壞了。

過壓和過流在這個圖片上看不出來的，如果你把模塊的外殼打開的話，去掉絕緣硅脂，或許可以看到（僅適合于不是炸毀特別嚴重的情況）：

過壓擊穿現象：一般IGBT芯片不是整個壞掉，你可以看到IGBT芯片里面有小黑點，這樣的話一般是由于過壓擊穿引起的。

過流擊穿現象：一般IGBT芯片整個壞了，基本上是芯片從中間炸開了，IGBT芯片有點面目全非的味道，這樣的話，一般是由于過流擊穿引起的。

你這是大衛模塊 ，一是負載有短路漏電情況下大電流連續工作后爆了， 二是工作的諧振點不對，三是你不懂哈，說也沒用

就是因為不懂，所以才來請教！

感性區是ZVS，容性區是ZCS，好好看資料吧！

我認同陳工的觀點，過壓擊穿一般都不會這么嚴重，很多時候只是IGBT芯片會有一個小斑點，過流的話，就會出現炸管，會把外殼炸開，甚至底板炸裂。

如果用英飛凌的，也不是說炸的不會這么嚴重，只不過相比之下，英飛凌的過流過壓能力強一些，如果過流達到一定閥值的話，也是會炸的面目全非的。

想法非常好，個人很贊同。

無論是國產的還是進口的IGBT模塊，其實原材料差不多，包括IGBT芯片，絕緣硅脂，陶瓷基板，銅基板。但是對于IGBT模塊來說，關鍵有一個封裝工藝在里面，這玩意就像懷孕，沒到時間，看不出肚子大，沒到時間，那肚里的孩子更加不可能生下來。

所以隨著時間的推移，國產的IGBT模塊質量提升，那幾乎沒有任何懸念的。

相關資料多的是，自已去找吧！

其實，使用的器件，包括電阻、電容、IC，IGBT模塊，甚至PCB，哪個都會有問題，包括器件本身的質量問題和使用不妥當造成的失效，亦或者是因為器件老化而產生的質量問題。總之，出現故障，肯定是有原因的，往往有時候表象很復雜，很難找出真正的原因。

話說回來，誰都想把自己的產品完美無缺，做機器的，想讓自己的機器在幾年時間之內不出問題；做器件的，想讓自己的器件用上去就不會壞；問題是，理想的狀態和現實的狀態那不相匹配啊，想法是好的，就是實現不了，呵呵。

出了問題，那就找問題，多分析，多總結，技術啊，器件工藝啊，那也就在不知不覺中前進了。

這問題不會在元件上,是在你設計與對應負載問題

本人最近在致力研究 感應加熱 元件合理應用

最後導出一各 負載參數表(僅適用無變壓器輸出架構)

暫時給他一個參數 叫 [磁載率]

他的定義就是  入電電流與諧振電流比

換句話就是說 多大諧震電流能帶多少入電電流,而入電電流就是能作用到負載的功(機器損號先忽略)

比如 20號鋼係數在17%-22%, 45號,鋼係數在12%-15%,砲筒(3鉻鋼)在7%-11%

這係數也會與線圈與負載距離有關,上係數以15mm-25mm測定

因此 比如60N100 IGBT 在20號鋼時可以 做到 16A(380V) 10KW 安全使用 不會超過IGBT ICM

在適當的選擇耗電 還可以降低周邊元件於量, 降低 所有元件 發熱

因此,看你IGBT狀況 可以肯定是你 負載 沒注意好,IGBT 超過 ICM 而炸毀

也相信你 周邊元件 比如電容 下場應該不比 IGBT 好

科技進步 在不同角度鑽研與分析

祝你好運

我用的整流模塊是100A/1600V的。正常工作電流是15A左右

這樣的用法一般應當不會有問題，但是如果買了不好的整流橋就說不正啦！

有一次我在試驗臺上把全橋臨時改接成半橋，那天事多注意力不集中，不小心把整流輸出接反供給IGBT模塊，第一次合閘跳空開（32A的空開），查沒有短路，懷疑是自己沒有用力合閘，再合閘又跳空開，手感空開跳開力度大，知道是有短路了。細查發現了問題，心里好害怕，75A/1200A的模塊及60A三相整流橋都沒壞，一年多了，現在還一直在使用。