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uc3843B 過(guò)流保護(hù)問(wèn)題

開(kāi)關(guān)電源上用了3843做了設(shè)計(jì),當(dāng)直流輸入為DC180V開(kāi)關(guān)電源能正常開(kāi)啟工作。當(dāng)直流輸入為DC120V時(shí)開(kāi)啟開(kāi)關(guān)電源,觀測(cè)開(kāi)關(guān)電源處于打嗝保護(hù)狀態(tài),如果電壓提升到180V時(shí)便進(jìn)入正常工作狀態(tài)(使用的調(diào)壓器可以連續(xù)改變輸入端電壓)。請(qǐng)各位分析下這是什么問(wèn)題引起的?是不是3843的3腳過(guò)流保護(hù)動(dòng)作了?

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LV.1
2
2011-05-10 21:43
你把R4換小試試就知道了啊
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2011-05-10 22:34
7腳VCC,包括R3位置,看著別扭。
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cy863
LV.4
4
2011-05-10 22:40
@
你把R4換小試試就知道了啊
是把R4換小了,由原來(lái)的R4=0.3歐更換為R4=0.1歐,觀測(cè)其在DC130V就可正常工作(還沒(méi)到設(shè)定的DC120V)且繼續(xù)把R4變小發(fā)現(xiàn)MOSFET發(fā)熱很厲害。就是不明白輸入電壓減小了,怎么會(huì)進(jìn)入過(guò)流保護(hù)了呢?
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cy863
LV.4
5
2011-05-10 22:41
@歲月留聲機(jī)
7腳VCC,包括R3位置,看著別扭。
R3是和C1在一起做RC吸收的
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amonson
LV.8
6
2011-05-10 23:26
@cy863
是把R4換小了,由原來(lái)的R4=0.3歐更換為R4=0.1歐,觀測(cè)其在DC130V就可正常工作(還沒(méi)到設(shè)定的DC120V)且繼續(xù)把R4變小發(fā)現(xiàn)MOSFET發(fā)熱很厲害。就是不明白輸入電壓減小了,怎么會(huì)進(jìn)入過(guò)流保護(hù)了呢?
P=VI
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2011-05-10 23:54
@amonson
P=VI

p=v2/r,把電阻放小了,所以管子會(huì)很熱。

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2011-05-11 00:28
@cy863
是把R4換小了,由原來(lái)的R4=0.3歐更換為R4=0.1歐,觀測(cè)其在DC130V就可正常工作(還沒(méi)到設(shè)定的DC120V)且繼續(xù)把R4變小發(fā)現(xiàn)MOSFET發(fā)熱很厲害。就是不明白輸入電壓減小了,怎么會(huì)進(jìn)入過(guò)流保護(hù)了呢?
多大負(fù)載?多大的MOS?R5多大?
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2011-05-11 00:28
@cy863
R3是和C1在一起做RC吸收的
這個(gè)吸收有創(chuàng)意
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LV.1
10
2011-05-11 07:05
@cy863
是把R4換小了,由原來(lái)的R4=0.3歐更換為R4=0.1歐,觀測(cè)其在DC130V就可正常工作(還沒(méi)到設(shè)定的DC120V)且繼續(xù)把R4變小發(fā)現(xiàn)MOSFET發(fā)熱很厲害。就是不明白輸入電壓減小了,怎么會(huì)進(jìn)入過(guò)流保護(hù)了呢?

這個(gè)可以根據(jù)你計(jì)算的峰值電流計(jì)算電阻啊。。

然后再調(diào)試。。

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2011-05-11 07:30
@
這個(gè)可以根據(jù)你計(jì)算的峰值電流計(jì)算電阻啊。。然后再調(diào)試。。

只要功率不變,SENSE電阻的大小應(yīng)該不會(huì)影響MOS的溫升呀

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ghsdwf
LV.6
12
2011-05-11 09:22
@cy863
是把R4換小了,由原來(lái)的R4=0.3歐更換為R4=0.1歐,觀測(cè)其在DC130V就可正常工作(還沒(méi)到設(shè)定的DC120V)且繼續(xù)把R4變小發(fā)現(xiàn)MOSFET發(fā)熱很厲害。就是不明白輸入電壓減小了,怎么會(huì)進(jìn)入過(guò)流保護(hù)了呢?
是不是進(jìn)入了過(guò)流保護(hù)用示波器測(cè)試3腳的電壓,如果峰值大于1V,即進(jìn)入了過(guò)流保護(hù),如果R4太小,將導(dǎo)致輸入3腳的電壓太小,384X工作在電壓模式,輸出驅(qū)動(dòng)占空比時(shí)大時(shí)小,導(dǎo)致MOSFET太熱,其次低壓不啟動(dòng)也有可能是C3太小!
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ghsdwf
LV.6
13
2011-05-11 09:23
@ghsdwf
是不是進(jìn)入了過(guò)流保護(hù)用示波器測(cè)試3腳的電壓,如果峰值大于1V,即進(jìn)入了過(guò)流保護(hù),如果R4太小,將導(dǎo)致輸入3腳的電壓太小,384X工作在電壓模式,輸出驅(qū)動(dòng)占空比時(shí)大時(shí)小,導(dǎo)致MOSFET太熱,其次低壓不啟動(dòng)也有可能是C3太小!
Sorry, 是C1太小
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cy863
LV.4
14
2011-05-11 20:39
@ghsdwf
Sorry,是C1太小
為什么C1太小會(huì)導(dǎo)致低壓時(shí)啟動(dòng)不了,還有是不是R1和R2的配比在低電壓接入時(shí)給3843的啟動(dòng)電壓不合適(DC180V接入時(shí)R1=15K,R2=100k)?R1和R2具體這樣工作的請(qǐng)老師指點(diǎn)?
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2011-05-11 20:45
@cy863
為什么C1太小會(huì)導(dǎo)致低壓時(shí)啟動(dòng)不了,還有是不是R1和R2的配比在低電壓接入時(shí)給3843的啟動(dòng)電壓不合適(DC180V接入時(shí)R1=15K,R2=100k)?R1和R2具體這樣工作的請(qǐng)老師指點(diǎn)?
C1影響啟動(dòng)??
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cy863
LV.4
16
2011-05-11 20:56
@javike
C1影響啟動(dòng)??
不清楚,請(qǐng)問(wèn)javike  R1和R2是怎樣在3843開(kāi)啟時(shí)向其提供一個(gè)開(kāi)啟電壓的?
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2011-05-11 21:00
@cy863
不清楚,請(qǐng)問(wèn)javike R1和R2是怎樣在3843開(kāi)啟時(shí)向其提供一個(gè)開(kāi)啟電壓的?
R1,R2是在上電時(shí)通過(guò)R3給3843供電開(kāi)啟的,開(kāi)啟后是靠線圈,D1,R3,C1來(lái)給3843維持供電的,所以C1大了會(huì)影響開(kāi)啟時(shí)間,但不會(huì)導(dǎo)致不啟動(dòng)。
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cy863
LV.4
18
2011-05-11 21:11
@javike
R1,R2是在上電時(shí)通過(guò)R3給3843供電開(kāi)啟的,開(kāi)啟后是靠線圈,D1,R3,C1來(lái)給3843維持供電的,所以C1大了會(huì)影響開(kāi)啟時(shí)間,但不會(huì)導(dǎo)致不啟動(dòng)。
那這三個(gè)電阻的阻值如果沒(méi)配比好是不是3843就不能正常啟動(dòng)呢?該如何去配呢?
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2011-05-11 21:43
@cy863
那這三個(gè)電阻的阻值如果沒(méi)配比好是不是3843就不能正常啟動(dòng)呢?該如何去配呢?
要根據(jù)IC的啟動(dòng)電流和工作電流來(lái)算
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cy863
LV.4
20
2011-05-11 22:09
@javike
要根據(jù)IC的啟動(dòng)電流和工作電流來(lái)算
哦,那我們就以UC3843B為例的話,該怎樣取這幾個(gè)的電阻值呢?前端輸入為DC90V—DC265V,謝謝javike 老師的指導(dǎo)。
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2011-05-11 22:26
@cy863
哦,那我們就以UC3843B為例的話,該怎樣取這幾個(gè)的電阻值呢?前端輸入為DC90V—DC265V,謝謝javike老師的指導(dǎo)。
用200~500K就可以了
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ghsdwf
LV.6
22
2011-05-11 22:29
@javike
R1,R2是在上電時(shí)通過(guò)R3給3843供電開(kāi)啟的,開(kāi)啟后是靠線圈,D1,R3,C1來(lái)給3843維持供電的,所以C1大了會(huì)影響開(kāi)啟時(shí)間,但不會(huì)導(dǎo)致不啟動(dòng)。

啟動(dòng)的原理是整流后的電壓通過(guò)R1、R2、R3給C1充電,C1電壓上升,當(dāng)C1電壓到達(dá)UC3843B的開(kāi)啟電壓時(shí),芯片啟動(dòng),輸出脈沖,同時(shí)C1的電壓會(huì)下降,因?yàn)橛忻}沖,輔助繞組會(huì)通過(guò)D1、R3、給C1充電,但是這個(gè)充電會(huì)有延時(shí),如果在這之前C1的電壓降到UC3843B的截止點(diǎn),就會(huì)啟動(dòng)不成功。為什么高壓時(shí)能啟動(dòng)呢?因?yàn)檎骱蟮碾妷阂恢痹谕ㄟ^(guò)R1、R2、R3給C1充電,電壓高時(shí)充電電流大,C1上電壓能維持更長(zhǎng)時(shí)間,啟動(dòng)能成功,反之低電壓會(huì)啟動(dòng)不成功。UC3843B啟動(dòng)電容一般取100uF,UC3842B一般取47uF,因?yàn)樗鼈兊拈_(kāi)啟電壓減去欠壓保護(hù)的差值不一樣。R1、R2的取值一般是使得最低電壓下充電電流為0.5mA,如果要啟動(dòng)快點(diǎn),適當(dāng)加大充電電流,電流大了R1、R2的損耗加大。以上是其它正常的情況下,僅考慮啟動(dòng)電路。

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cy863
LV.4
23
2011-05-11 22:29
@javike
用200~500K就可以了

好的,謝謝你啊!能不能介紹具體的計(jì)算方法?

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cy863
LV.4
24
2011-05-11 22:35
@ghsdwf
啟動(dòng)的原理是整流后的電壓通過(guò)R1、R2、R3給C1充電,C1電壓上升,當(dāng)C1電壓到達(dá)UC3843B的開(kāi)啟電壓時(shí),芯片啟動(dòng),輸出脈沖,同時(shí)C1的電壓會(huì)下降,因?yàn)橛忻}沖,輔助繞組會(huì)通過(guò)D1、R3、給C1充電,但是這個(gè)充電會(huì)有延時(shí),如果在這之前C1的電壓降到UC3843B的截止點(diǎn),就會(huì)啟動(dòng)不成功。為什么高壓時(shí)能啟動(dòng)呢?因?yàn)檎骱蟮碾妷阂恢痹谕ㄟ^(guò)R1、R2、R3給C1充電,電壓高時(shí)充電電流大,C1上電壓能維持更長(zhǎng)時(shí)間,啟動(dòng)能成功,反之低電壓會(huì)啟動(dòng)不成功。UC3843B啟動(dòng)電容一般取100uF,UC3842B一般取47uF,因?yàn)樗鼈兊拈_(kāi)啟電壓減去欠壓保護(hù)的差值不一樣。R1、R2的取值一般是使得最低電壓下充電電流為0.5mA,如果要啟動(dòng)快點(diǎn),適當(dāng)加大充電電流,電流大了R1、R2的損耗加大。以上是其它正常的情況下,僅考慮啟動(dòng)電路。
謝謝你的指導(dǎo),由于DC90V沒(méi)啟動(dòng)成功我便把R1和R2減小了,結(jié)果很順利就可以啟動(dòng)了但隨著直流輸入電壓的增加到DC256V時(shí)R1和R2便被燒壞了。
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2011-05-11 22:37
@cy863
謝謝你的指導(dǎo),由于DC90V沒(méi)啟動(dòng)成功我便把R1和R2減小了,結(jié)果很順利就可以啟動(dòng)了但隨著直流輸入電壓的增加到DC256V時(shí)R1和R2便被燒壞了。
R1和R2至少要用1/2W的
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cy863
LV.4
26
2011-05-11 22:45
@javike
R1和R2至少要用1/2W的
啊!我用的是貼片1210的封裝。剛剛重新計(jì)算了下在R1=100k和R2=15k的條件下使充電電流到0.5mA前端輸入直流電壓只要DC57.5V看來(lái)是其他的問(wèn)題了。
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2011-05-11 23:24
@cy863
啊!我用的是貼片1210的封裝。剛剛重新計(jì)算了下在R1=100k和R2=15k的條件下使充電電流到0.5mA前端輸入直流電壓只要DC57.5V看來(lái)是其他的問(wèn)題了。
1210標(biāo)準(zhǔn)就是1/2W的
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LV.1
28
2011-05-12 07:00
@cy863
好的,謝謝你啊!能不能介紹具體的計(jì)算方法?
(VINNIN-VCCON)/ION
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LV.1
29
2011-05-12 07:01
@
(VINNIN-VCCON)/ION

VINMIN:電路輸入最小電壓

VCCON:IC最低啟動(dòng)電壓

ION:最小啟動(dòng)電流

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LV.1
30
2011-05-12 07:02
@cy863
啊!我用的是貼片1210的封裝。剛剛重新計(jì)算了下在R1=100k和R2=15k的條件下使充電電流到0.5mA前端輸入直流電壓只要DC57.5V看來(lái)是其他的問(wèn)題了。
樓主,你現(xiàn)在是想解決啥問(wèn)題啊?是不是MOS發(fā)熱問(wèn)題?
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cy863
LV.4
31
2011-05-12 07:23
@
樓主,你現(xiàn)在是想解決啥問(wèn)題啊?是不是MOS發(fā)熱問(wèn)題?
MOS發(fā)熱太快,有人告訴我是因?yàn)镽4取值太小,他告訴我一般取0.2歐—0.5歐。但我想知道過(guò)載或過(guò)流時(shí)如何按照我們自己的設(shè)計(jì)來(lái)對(duì)R4取值?(剛接觸開(kāi)關(guān)電源所以想弄清楚每部分原理,請(qǐng)各位多教點(diǎn),謝謝!)
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