如題，DCM、CCM均可。
以輸入全電壓，輸出電壓12V-20v，輸出電流3A這個參數(shù)為例?；蛘咭部梢杂懻撘幌略谑裁摧敵鰠?shù)下才能做到。
【原創(chuàng)】普通單端反激實(shí)現(xiàn)效率96+
全部回復(fù)(47)
正序查看
倒序查看
這96+定得很高，實(shí)現(xiàn)有點(diǎn)困難。我先列出反激電源主要損耗點(diǎn)（從大到小排列）簡要提出一些對策，供大家討論：
1:變壓器損耗 由于反激電源特殊性，變壓器損耗比正激大
2.初級開關(guān)管損耗
對策：a采用臨界工作模式（與RCC工作模式一樣）并且把最小占空比設(shè)計(jì)為0.5,可實(shí)現(xiàn)初級ZVZCS開通，ZVS關(guān)閉；次級整流管zcs。
b選擇低RdsMOS管，例如COOLMOSFET，降低導(dǎo)通損耗
3.次級整流管損耗
4.吸收電路損耗 不可采用RCD吸收電路 ，無源無損吸收電路是首選
5.控制電路損耗 選用BiCMOS工藝控制IC，仔細(xì)設(shè)計(jì)外圍電路
效率達(dá)到90+目前能夠?qū)崿F(xiàn)，96+還有很長的路要走，降低變壓器損耗需采用優(yōu)質(zhì)磁芯和復(fù)雜的繞線工藝，采用有源箝位正激可能是個更好的選擇
0
回復(fù)
@52football
這96+定得很高，實(shí)現(xiàn)有點(diǎn)困難。我先列出反激電源主要損耗點(diǎn)（從大到小排列）簡要提出一些對策，供大家討論：1:變壓器損耗由于反激電源特殊性，變壓器損耗比正激大2.初級開關(guān)管損耗對策：a采用臨界工作模式（與RCC工作模式一樣）并且把最小占空比設(shè)計(jì)為0.5,可實(shí)現(xiàn)初級ZVZCS開通，ZVS關(guān)閉；次級整流管zcs。b選擇低RdsMOS管，例如COOLMOSFET，降低導(dǎo)通損耗3.次級整流管損耗4.吸收電路損耗不可采用RCD吸收電路 ，無源無損吸收電路是首選5.控制電路損耗選用BiCMOS工藝控制IC，仔細(xì)設(shè)計(jì)外圍電路 效率達(dá)到90+目前能夠?qū)崿F(xiàn)，96+還有很長的路要走，降低變壓器損耗需采用優(yōu)質(zhì)磁芯和復(fù)雜的繞線工藝，采用有源箝位正激可能是個更好的選擇
受教了?。?！繼續(xù)觀望學(xué)習(xí)中...
0
回復(fù)
@52football
這96+定得很高，實(shí)現(xiàn)有點(diǎn)困難。我先列出反激電源主要損耗點(diǎn)（從大到小排列）簡要提出一些對策，供大家討論：1:變壓器損耗由于反激電源特殊性，變壓器損耗比正激大2.初級開關(guān)管損耗對策：a采用臨界工作模式（與RCC工作模式一樣）并且把最小占空比設(shè)計(jì)為0.5,可實(shí)現(xiàn)初級ZVZCS開通，ZVS關(guān)閉；次級整流管zcs。b選擇低RdsMOS管，例如COOLMOSFET，降低導(dǎo)通損耗3.次級整流管損耗4.吸收電路損耗不可采用RCD吸收電路 ，無源無損吸收電路是首選5.控制電路損耗選用BiCMOS工藝控制IC，仔細(xì)設(shè)計(jì)外圍電路 效率達(dá)到90+目前能夠?qū)崿F(xiàn)，96+還有很長的路要走，降低變壓器損耗需采用優(yōu)質(zhì)磁芯和復(fù)雜的繞線工藝，采用有源箝位正激可能是個更好的選擇
DX 問下 DCDC 效率86% 反激 需要那些技術(shù)做支持 ，有什么好的芯片不？50W 以下
0
回復(fù)
3842是靠RC定頻的；只要想辦法變充電電流，就可以實(shí)現(xiàn)變頻了。