首先，來做一個實驗，把一個MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會出現什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會導通甚至擊穿。這是為什么呢？因為我根本沒有加驅動電壓，MOS怎么會導通？用下面的圖，來做個仿真：

去探測G極的電壓，發現電壓波形如下：

G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導通，這是因為MOSFET的寄生參數在搗鬼。

關于MOSFET的寄生參數的描述，可以參考蜘蛛先生的帖子：http://bbs.dianyuan.com/topic/579603

期待啊%&……

這種情況有什么危害呢？實際情況下，MOS肯定有驅動電路的么，要么導通，要么關掉。問題就出在開機，或者關機的時候，最主要是開機的時候，此時你的驅動電路還沒上電。但是輸入上電了，由于驅動電路沒有工作，G級的電荷無法被釋放，就容易導致MOS導通擊穿。那么怎么解決呢？

在GS之間并一個電阻.

那么仿真的結果呢:

幾乎為0V.

什么叫驅動能力，很多PWM芯片，或者專門的驅動芯片都會說驅動能力，比如384X的驅動能力為1A，其含義是什么呢？

假如驅動是個理想脈沖源，那么其驅動能力就是無窮大，想提供多大電流就給多大。但實際中，驅動是有內阻的，假設其內阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認為其驅動能力為1A。

那什么叫驅動電阻呢，通常驅動器和MOS的G極之間，會串一個電阻，就如下圖的R3。

驅動電阻的作用，如果你的驅動走線很長，驅動電阻可以對走線電感和MOS結電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。

第二個，重要作用就是調解驅動器的驅動能力，調節開關速度。當然只能降低驅動能力，而不能提高。

對上圖進行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。

紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆。可以看到，當R3比較大時，驅動就有點力不從心了，特別在處理米勒效應的時候，驅動電壓上升很緩慢。

下圖，是驅動的下降沿 

sometimes老兄，您分析的很完美，請問您一個問題

如果一個電源根據功率算出來的是需要7A的MOS，那么

需要多大的驅動電流了，有沒能公式了。

謝謝

沙發，板凳都沒了，站著聽

好貼，找個沙地躺著聽！

今天再來聽課，謝謝

同樣標稱7A的mos，不同的廠家，不同的器件，參數是不一樣的。所以沒有什么公式可以去計算。

那么驅動的快慢對MOS的開關有什么影響呢？下圖是MOS導通時候DS的電壓：

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。

下圖是電流波形

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。

可以看到，驅動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度，對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅動情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，高頻諧波明顯變小。

但是驅動速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關損耗大了，下圖是不同驅動電阻下，導通損耗的功率曲線。

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，損耗明顯大了。

結論：驅動電阻到底選多大？還真難講，小了，EMI不好，大了，效率不好。

所以只能一個折中的選擇了。

那如果，開通和關斷的速度要分別調節，怎么辦？就用以下電路。

有問題想請教下樓主，最近在調試全橋電路，發現當輸入電壓加到100V的時候驅動波形就不對了，Vgs會出現一個跌落，如示波器截圖所示，輸入電壓再升高一些就會出現橋臂直通的情況，同一橋臂的兩個管子就燒掉了。我是利用光耦A3120來驅動橋臂的四個開關管的。希望得到您的幫助，謝謝了！

你的波形呢？

有可能是驅動能力不夠

樓主用的什么仿真軟件？看起來功能很強大，還可以仿真EMI 頻譜，

是否有破解版可以學習一下

這個是simetrix，網上應該有demo版本的。