一個知識普及：
單硅的原理：
1，觸發：后級觸發電容充電（關斷電容也沒歇菜也在充電，為他的工作開始鋪墊），觸發電容兩端電壓開始上升，到30V左右（DB3的導通閾值），DB3導通，可控硅控制極得到觸發電流，可控硅導通。
2，失觸：由于DB3對可控硅的放電，觸發電容端電壓迅速下降，直到低于DB3截止閾值，DB3截止，可控硅失去觸發電流，但可控硅一旦觸發，不可自行逆轉，仍然傻瓜一樣導通，除非電流過零。，使可控硅過零只有2個方案：1，掉電，就是斷開可控硅，2，給可控硅施加1個相反方向的電流。
3，關斷：觸發電容充電同時，關斷電容也在充電，可控硅一旦導通，相當于使LC關斷電路短路，關斷電容正程對電感放電，在電感兩端產生一個逆程電流，既然叫“逆程”電流，說明此時在LC回路中流過的電流和充電電流是相反方向的，這個反向電流最終反向施加到可控硅，強行對沖可控硅流過的電流，使電流過零，粗暴而強制的截止可控硅。
LC串聯的所謂關斷電路，在別的應用中叫：“移相” “倒相”電路，顧名思義：就是這玩意可以讓電流反向。比如：單向電動機，副饒組和電容串聯就是起到移相作用，風扇，洗衣機才會轉起來嘛！
主題思想：
單硅有個毛病，效率低了點，為什么？就怪LC關斷電路！他消耗了很多的能源，他要充電的啊？他要放電的哦，放出去的電又沒有去到網抄，只是施加到可控硅使那SB關斷而已！一個方向性的建議：寧可電感大點，電容小點，這樣效率高點，電容容量越大，需要的充電電流越大，導致JJ的消耗越大，做的無用功更多，保證脈寬和可靠關斷前提下，建議你最好配1UF的電容+5MH的電感，而不是5UF的電容+1MH的電感，當然：這是個方向性的指導，這些數字不能當真，總之，為了效率，寧可L大C小，不為L小C大。
不過也難怪 中國貪官太多啦 上至中央 下至基層村干部